Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
Results of studies on ohmic contacts based on Ni/Au films to the p-type GaN region are presented. The influence of Ni/Au layer thickness, deposition conditions, and contact formation regimes on specific contact resistance, element redistribution in metal–semiconductor structures, and optical propert...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.43 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |