Зображення обкладинки

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

Results of studies on ohmic contacts based on Ni/Au films to the p-type GaN region are presented. The influence of Ni/Au layer thickness, deposition conditions, and contact formation regimes on specific contact resistance, element redistribution in metal–semiconductor structures, and optical propert...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Bosiy, V. I., Danilov, N. G., Cohan, V. P., Novitskiy, V. А., Semashko, Е. М., Tkachenko, V. V., Shponiak, T. A.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Теми:	светоизлучающий диод омический контакт р-область GaN пленка Ni/Au
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.43
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Босый, В.И., та інші
Опубліковано: (2007)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Novitskyi, S. V.
Опубліковано: (2012)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
за авторством: Kudryk, Ya. Ya., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)

Закономерности деградации светоизлучающих диодов
за авторством: Викулин, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
за авторством: Veleschuk, V. P., та інші
Опубліковано: (2017)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
за авторством: Stempitsky, V. R., та інші
Опубліковано: (2017)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
за авторством: Туркевич, В. З., та інші
Опубліковано: (2022)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
за авторством: Parkhomenko, H. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2008)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
за авторством: Sai, P. O.
Опубліковано: (2016)

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
за авторством: Kudryk, Ya. Ya.
Опубліковано: (2013)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2006)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
за авторством: Onikienko, Y. O., та інші
Опубліковано: (2020)

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time»
за авторством: Naida, S. A., та інші
Опубліковано: (2021)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Konakova, R. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
за авторством: Иващук, А.В.
Опубліковано: (2000)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
за авторством: Конакова, Р.В., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
за авторством: Новицкий, С.В.
Опубліковано: (2012)

МАТЕМАТИЧЕСКАЯ МОДЕЛЬ РАЗВИТИЯ ПРОЦЕССОВ НА КАТОДЕ ЭЛЕКТРИЧЕСКИХ КОНТАКТОВ
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2013)

Повышение адгезионной прочности никелевых контактов ветвей термоэлектрических модулей
за авторством: Asheulov, A. A., та інші
Опубліковано: (2006)

Про один підхід, пов'язаний з дослідженням напружено-деформованого стану кусково-однорідної ізотропної пластини з тріщиною за згину з урахуванням ширини області контакту її берегів
за авторством: Опанасович, Віктор Костянтинович; Львівський національний університет імені Івана Франка, кафедра механіки, та інші
Опубліковано: (2016)

СТМ-дослідження впорядкування молекул діарилетенів на поверхні Аu(111)
за авторством: Snegir, S. V., та інші
Опубліковано: (2014)

Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2008)

Электропроводящие тонкие пленки для BaCuTeF прозрачных контактов в полупроводниковой электронике
за авторством: Готра, З.Ю., та інші
Опубліковано: (2008)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A₃B₅
за авторством: Александров, С.Б., та інші
Опубліковано: (2011)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
за авторством: Kravchina, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
за авторством: Rotner, S. M., та інші
Опубліковано: (2006)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
за авторством: Afanasyev, M. S., та інші
Опубліковано: (2010)

Характеристика та функціоналізація потрійної наноповерхні InGaN для системи накопичення енергії в основах сонячних елементів: дослідження методом молекулярного моделювання
за авторством: Mollaamin, F.
Опубліковано: (2025)

Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
за авторством: Zhavzharov, E. L., та інші
Опубліковано: (2015)

Гідрофілізація поверхні Au(111), функціоналізованої алкантіолами
за авторством: Snegir, S. V., та інші
Опубліковано: (2016)

Дизайн та дослідження фазових характеристик гетероструктури por-Ga2O3/por-GaAs/mono-GaAs
за авторством: Kovachov, S. S., та інші
Опубліковано: (2024)

Наноструктуровані композити на основі осадженого кремнезему та кристалітів Ni, вкритих вуглецем із карбонізованого крохмалю
за авторством: Gun'ko, V. M., та інші
Опубліковано: (2023)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)

Оборудование для формирования омических контактов полупроводниковых приборов на основе соединений A3B5
за авторством: Aleksandrov, S. B., та інші
Опубліковано: (2011)