Buchumschlag

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

Results of studies on ohmic contacts based on Ni/Au films to the p-type GaN region are presented. The influence of Ni/Au layer thickness, deposition conditions, and contact formation regimes on specific contact resistance, element redistribution in metal–semiconductor structures, and optical propert...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Bosiy, V. I., Danilov, N. G., Cohan, V. P., Novitskiy, V. А., Semashko, Е. М., Tkachenko, V. V., Shponiak, T. A.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	светоизлучающий диод омический контакт р-область GaN пленка Ni/Au
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.43
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
von: Босый, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
von: Boltovets, N. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
von: Krasnov, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Закономерности деградации светоизлучающих диодов
von: Vikulin, I. М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Закономерности деградации светоизлучающих диодов
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Мощные СВЧ-транзисторы на основе широкозонных полупроводников
von: Bosyi, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Вплив розкиду значень електричних параметрів RGB-світлодіодів на однорідність світіння світлодіодних екранів при мінімальній градації яскравості
von: Veleschuk, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2017)

Дослідження електричних та магнітних характеристик високотемпературних датчиків Холла на основі гетероструктури AlGaN/GaN
von: Stempitsky, V. R., et al.
Veröffentlicht: (2017)

ТЕРМОДИНАМІЧНИЙ РОЗРАХУНОК ДІАГРАМИ ПЛАВКОСТІ СИСТЕМИ Ga-N ЗА АТМОСФЕРНОГО ТА ВИСОКИХ ТИСКІВ
von: Туркевич, В. З., et al.
Veröffentlicht: (2022)

Электрические и фотоэлектрические свойства гетероструктур NiO/p-CdTe и NiO/n-CdTe
von: Parkhomenko, H. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
von: Gorban, A. N., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Омические контакты к материалам на основе нитрида индия
von: Sai, P. O.
Veröffentlicht: (2016)

Влияние термообработки на электрофизические свойства CdZnTe-детекторов γ-излучения
von: Kutniy, V. E., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Наноструктурированные антидиффузионные слои в контактах к широкозонным полупроводникам
von: Kudryk, Ya. Ya.
Veröffentlicht: (2013)

Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)

MODELLING OF OPERATION MODES AND ELECTROMAGNETIC INTERFERENCES OF GaN-TRANSISTOR CONVERTERS
von: Onikienko, Y. O., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Analysis of the influence of load inductance on nonlinear distortions of a class D amplifier caused by «dead time»
von: Naida, S. A., et al.
Veröffentlicht: (2021)

Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
von: Sоlоdukha, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au—Ti—Pd—n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Басанец, В.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Джозефсоновские свойства прозрачных туннельных контактов
von: Шлапак, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Про один підхід, пов'язаний з дослідженням напружено-деформованого стану кусково-однорідної ізотропної пластини з тріщиною за згину з урахуванням ширини області контакту її берегів
von: Опанасович, Віктор Костянтинович; Львівський національний університет імені Івана Франка, кафедра механіки, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
von: Rotner, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
von: Kravchina, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Перестраиваемая линия задержки сигнала СВЧ-диапазона на основе сегнетоэлектрических и алмазных пленок
von: Afanasyev, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование нанопленок Cu, Ag, Au под воздействием атомов водорода
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Арсенид-галлиевые p+–n–p+-структуры с обедняемой базовой областью
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Konakova, R. V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Тепловые режимы формирования омических контактов к арсениду галлия
von: Иващук, А.В.
Veröffentlicht: (2000)

Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Экспресс-метод контроля качества полупроводниковых диодных кристаллов
von: Pavljuk, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
von: Boltovets, M. S., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Наноструктуровані композити на основі осадженого кремнезему та кристалітів Ni, вкритих вуглецем із карбонізованого крохмалю
von: Gun'ko, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2023)

Радиационная технология улучшения омических контактов к элементам электронной техники
von: Конакова, Р.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Системы контроля-мониторинга температуры и влажности среды на основе толстых пленок оксишпинелей
von: Vakiv, N. M.
Veröffentlicht: (2010)

Безадгезивные акустические мембраны на полиимидной основе
von: Vorob'ev, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)