Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов

• Datum: 2007
• Hauptverfasser: Bosiy, V. I., Danilov, N. G., Cohan, V. P., Novitskiy, V. А., Semashko, Е. М., Tkachenko, V. V., Shponiak, T. A.
• Format: Artikel
• Sprache: Ukrainisch
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
• Schlagworte: светоизлучающий диод; омический контакт; р-область GaN; пленка Ni/Au
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.43
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Results of studies on ohmic contacts based on Ni/Au films to the p-type GaN region are presented. The influence of Ni/Au layer thickness, deposition conditions, and contact formation regimes on specific contact resistance, element redistribution in metal–semiconductor structures, and optical propert...