Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
A combined method for obtaining epitaxial layers of A3B5 semiconductor compounds is described, carried out in a single technological process by both forced cooling and isothermal mixing of solution-melts. In this process, the parameters of the grown layers are determined by the cooling regime and th...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.56 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1859691503343894528 |
|---|---|
| author | Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. |
| author_facet | Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. |
| author_sort | Yodgorova, D. M. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-14T11:44:24Z |
| description | A combined method for obtaining epitaxial layers of A3B5 semiconductor compounds is described, carried out in a single technological process by both forced cooling and isothermal mixing of solution-melts. In this process, the parameters of the grown layers are determined by the cooling regime and the rate of supply of the mixed solutions. The proposed method and device are of interest for producing semiconductor structures with a variable bandgap width in the active regions. |
| first_indexed | 2026-03-15T02:00:23Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-855 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-15T02:00:23Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8552026-03-14T11:44:24Z Combined method of growing epitaxial layers of A³B⁵ semiconductor compounds Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. device method structure regime epitaxy heterolayer устройство способ структура режим эпитаксия гетерослой A combined method for obtaining epitaxial layers of A3B5 semiconductor compounds is described, carried out in a single technological process by both forced cooling and isothermal mixing of solution-melts. In this process, the parameters of the grown layers are determined by the cooling regime and the rate of supply of the mixed solutions. The proposed method and device are of interest for producing semiconductor structures with a variable bandgap width in the active regions. Описан комбинированный способ получения эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений А3В5 в едином технологическом процессе как принудительным охлаждением, так и изотермическим смешиванием растворов-расплавов, в котором параметры выращиваемых слоев задаются режимом охлаждения и скоростью подачи смешиваемых растворов. Предлагаемый способ и устройство представляют интерес для получения полупроводниковых структур с изменяющейся шириной запрещенной зоны активных областей. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007-06-29 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.56 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2007): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 56-58 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 56-58 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.56/777 Copyright (c) 2007 Yodgorova D. M., Karimov A. V., Giyasova F. A., Saidova R. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | устройство способ структура режим эпитаксия гетерослой Yodgorova, D. M. Karimov, A. V. Giyasova, F. A. Saidova, R. A. Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ |
| title | Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ |
| title_alt | Combined method of growing epitaxial layers of A³B⁵ semiconductor compounds |
| title_full | Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ |
| title_fullStr | Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ |
| title_full_unstemmed | Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ |
| title_short | Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵ |
| title_sort | комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений a³b⁵ |
| topic | устройство способ структура режим эпитаксия гетерослой |
| topic_facet | device method structure regime epitaxy heterolayer устройство способ структура режим эпитаксия гетерослой |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.56 |
| work_keys_str_mv | AT yodgorovadm combinedmethodofgrowingepitaxiallayersofa3b5semiconductorcompounds AT karimovav combinedmethodofgrowingepitaxiallayersofa3b5semiconductorcompounds AT giyasovafa combinedmethodofgrowingepitaxiallayersofa3b5semiconductorcompounds AT saidovara combinedmethodofgrowingepitaxiallayersofa3b5semiconductorcompounds AT yodgorovadm kombinirovannyjsposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedinenija3b5 AT karimovav kombinirovannyjsposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedinenija3b5 AT giyasovafa kombinirovannyjsposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedinenija3b5 AT saidovara kombinirovannyjsposobvyraŝivaniâépitaksialʹnyhsloevpoluprovodnikovyhsoedinenija3b5 |