Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
A combined method for obtaining epitaxial layers of A3B5 semiconductor compounds is described, carried out in a single technological process by both forced cooling and isothermal mixing of solution-melts. In this process, the parameters of the grown layers are determined by the cooling regime and th...
Збережено в:
| Дата: | 2007 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.56 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |