Buchumschlag

Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур

An automated spectrometer for investigating the parameters of impurity and defect centers in semiconductors and semiconductor structures using deep-level transient spectroscopy is described. A developed software package for control and data processing enables automation of measurement procedures and...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2007
Hauptverfasser:	Boiko, Yu. V., Kuznetsov, G. V., Savitsky, S. М., Tretyak, O. V.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Schlagworte:	релаксационный спектрометр глубокие уровни примесные и дефектные центры
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.59
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi2Te3 в процессе их хранения
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
von: Turtsevich, A. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
von: Kondrik, A. I.
Veröffentlicht: (2016)

Модульный спектрометр для оценки качества технологии твердотельных детекторов
von: Perevertaylo, V. L., et al.
Veröffentlicht: (2013)

СПЕКТРОМЕТР-ІДЕНТИФІКАТОР НА ОСНОВІ ТВЕРДОТІЛЬНОГО ДЕТЕКТОРА ДЛЯ ОБ’ЄКТІВ ЯДЕРНО-ПАЛИВНОГО ЦИКЛУ
von: Zabulonov, Yuriy, et al.
Veröffentlicht: (2021)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
von: Popov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках
von: Окулов, В.И.
Veröffentlicht: (2004)

Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
von: Несмелова, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления
von: Брандт, Н.Б., et al.
Veröffentlicht: (1996)

Харьковский государственный технический университет радиоэлектроники
Veröffentlicht: (1998)

Проблемы применения аппаратурных средств для экологического мониторинга техногенных электромагнитных полей
von: Grudzinski, Е. М., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Широкоформатная система экспонирования ЭМ-5034
Veröffentlicht: (1999)

Микроскоп МКИ-2М
Veröffentlicht: (1999)

Установка автоматического контроля топологии фотошаблонов ЭМ-602ЭАМ
Veröffentlicht: (1998)

Многоканальный лазерный генератор изображений ЭМ-5089В
Veröffentlicht: (1998)

Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ
Veröffentlicht: (1999)

КБТЭМ-ОМО - современный центр проектирования и производства оптико-механического и контрольно-измерительного оборудования
Veröffentlicht: (1998)

Львовское Научно-производственное предприятие "Карат"
Veröffentlicht: (1998)

Установка предварительной настройки кварцевых резонаторов ЭМ-6310
von: Сасин, М.К., et al.
Veröffentlicht: (1999)

Современное сборочное оборудование для микроэлектроники из Беларуси
Veröffentlicht: (1998)

Многоканальный лазерный генератор изображений ЭМ-5299Б
Veröffentlicht: (1998)

ЭПР-спектрометр миллиметрового диапазона для исследования образцов с высокой проводимостью
von: Бeкиров, Б.Э., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Аппаратура для мониторинга элементного состава полиметаллических руд РЛП-21
von: Yefimenko, S. A.
Veröffentlicht: (2009)

Потоковий спектрометр атмосферного аерозолю
von: Іванченко, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Автоматизированный атомно-эмиссионный спектрометр
von: Егоров, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Многофункциональный цифровой приемник-спектрометр
von: Васильев, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
von: Лаврич, Ю.Н., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Микроволновый спектрометр атомов в ридберговских состояниях
von: Дюбко, С.Ф., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Анализ уровней конкурентоспособности турпредприятия
von: Швец, И.Ю.
Veröffentlicht: (2006)

Дополнение классификатора уровней субординации
von: Штапаук, С.С., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
von: Алиев, Р., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Диэлектрические характеристики высокотеплопроводной AlN-керамики в диапазоне частот 3–93 ГГц
von: Chasnyk, V. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Модульный спектрометр для оценки качества технологии твердотельных детекторов
von: Перевертайло, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Алгоритм решения уравнений диффузионно-дрейфовой модели полупроводниковых структур с лавинными p-n переходами
von: Максимов, П.П.
Veröffentlicht: (2008)

Погляд на сьогодення і майбутнє експрес-контролю виробництва сталі
von: Азаренков, Є.А.
Veröffentlicht: (2023)

Автодинный спектрометр ядерного квадрупольного резонанса с равномерной частотной шкалой
von: Samila, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Колімований гамма-спектрометр на основі CdZnTe-детектора
von: Батій, В.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)