Зображення обкладинки

Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур

An automated spectrometer for investigating the parameters of impurity and defect centers in semiconductors and semiconductor structures using deep-level transient spectroscopy is described. A developed software package for control and data processing enables automation of measurement procedures and...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2007
Автори:	Boiko, Yu. V., Kuznetsov, G. V., Savitsky, S. М., Tretyak, O. V.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
Теми:	релаксационный спектрометр глубокие уровни примесные и дефектные центры
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.59
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Автоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур
за авторством: Бойко, Ю.В., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi2Te3 в процессе их хранения
за авторством: Aliyeva, A. P., та інші
Опубліковано: (2016)

Исследование качества пайки кристаллов мощных транзисторов релаксационным импеданс-спектрометром
за авторством: Turtsevich, A. S., та інші
Опубліковано: (2012)

Детекторные свойства Cd0,9Zn0,1Te:Al под влиянием гамма-облучения малой дозы
за авторством: Kondrik, A. I.
Опубліковано: (2016)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)

Модульный спектрометр для оценки качества технологии твердотельных детекторов
за авторством: Perevertaylo, V. L., та інші
Опубліковано: (2013)

СПЕКТРОМЕТР-ІДЕНТИФІКАТОР НА ОСНОВІ ТВЕРДОТІЛЬНОГО ДЕТЕКТОРА ДЛЯ ОБ’ЄКТІВ ЯДЕРНО-ПАЛИВНОГО ЦИКЛУ
за авторством: Zabulonov, Yuriy, та інші
Опубліковано: (2021)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)

Харьковский государственный технический университет радиоэлектроники
Опубліковано: (1998)

Mechanisms of radiative and nonradiative recombination in ZnSe:Cr and ZnSe:Fe
за авторством: Godlewski, M., та інші
Опубліковано: (2004)

Проблемы применения аппаратурных средств для экологического мониторинга техногенных электромагнитных полей
за авторством: Grudzinski, Е. М., та інші
Опубліковано: (2007)

Эффекты резонансного рассеяния электронов на донорных примесях в полупроводниках
за авторством: Окулов, В.И.
Опубліковано: (2004)

Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
за авторством: Несмелова, И.М., та інші
Опубліковано: (2004)

Спектроскопия глубоких уровней радиационных дефектов в полупроводниках A⁴B⁶ с помощью давления
за авторством: Брандт, Н.Б., та інші
Опубліковано: (1996)

Установка автоматического контроля топологии фотошаблонов ЭМ-602ЭАМ
Опубліковано: (1998)

Многоканальный лазерный генератор изображений ЭМ-5089В
Опубліковано: (1998)

Установка ремонта топологии на фотошаблонах ЭМ-5001АМ
Опубліковано: (1999)

Современное сборочное оборудование для микроэлектроники из Беларуси
Опубліковано: (1998)

Многоканальный лазерный генератор изображений ЭМ-5299Б
Опубліковано: (1998)

Установка предварительной настройки кварцевых резонаторов ЭМ-6310
за авторством: Сасин, М.К., та інші
Опубліковано: (1999)

Широкоформатная система экспонирования ЭМ-5034
Опубліковано: (1999)

Микроскоп МКИ-2М
Опубліковано: (1999)

КБТЭМ-ОМО - современный центр проектирования и производства оптико-механического и контрольно-измерительного оборудования
Опубліковано: (1998)

Львовское Научно-производственное предприятие "Карат"
Опубліковано: (1998)

ГНПП «КБТЭМ-СО» — официальный дилер немецкого филиала фирмы SМС в Республике Беларусь
за авторством: Волков, А.С.
Опубліковано: (1999)

Ртутный микрозонд для исследования локальных электрофизических свойств полупроводниковых структур
за авторством: Popov, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)

Портативный спектрометр ЯМР
за авторством: Молчанов, А.Н., та інші
Опубліковано: (2016)

Аппаратура для мониторинга элементного состава полиметаллических руд РЛП-21
за авторством: Yefimenko, S. A.
Опубліковано: (2009)

Автоматизированный атомно-эмиссионный спектрометр
за авторством: Егоров, В.А., та інші
Опубліковано: (2008)

Многофункциональный цифровой приемник-спектрометр
за авторством: Васильев, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2014)

Потоковий спектрометр атмосферного аерозолю
за авторством: Іванченко, Л.В., та інші
Опубліковано: (2011)

Диэлектрические характеристики высокотеплопроводной AlN-керамики в диапазоне частот 3–93 ГГц
за авторством: Chasnyk, V. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Двухканальный переключатель СВЧ-мощности на основе электрически активных полупроводниковых структур
за авторством: Лаврич, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2014)

Микроволновый спектрометр атомов в ридберговских состояниях
за авторством: Дюбко, С.Ф., та інші
Опубліковано: (2011)

ЭПР-спектрометр миллиметрового диапазона для исследования образцов с высокой проводимостью
за авторством: Бeкиров, Б.Э., та інші
Опубліковано: (2013)

Квантовая природа механизмов образования монослойных структур Ag на монокристаллических полупроводниковых поверхностях
за авторством: Карбовская, Л.И., та інші
Опубліковано: (2019)

Неразрушающий метод измерения глубины залегания p-n-перехода полупроводниковых фотоэлектрических структур
за авторством: Алиев, Р., та інші
Опубліковано: (2010)

Анализ уровней конкурентоспособности турпредприятия
за авторством: Швец, И.Ю.
Опубліковано: (2006)

Дополнение классификатора уровней субординации
за авторством: Штапаук, С.С., та інші
Опубліковано: (2007)