Aвтоматизированный спектрометр глубоких уровней для исследования полупроводниковых структур

• Дата: 2007
• Автори: Boiko, Yu. V., Kuznetsov, G. V., Savitsky, S. М., Tretyak, O. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
• Теми: релаксационный спектрометр; глубокие уровни; примесные и дефектные центры
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.3.59
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

An automated spectrometer for investigating the parameters of impurity and defect centers in semiconductors and semiconductor structures using deep-level transient spectroscopy is described. A developed software package for control and data processing enables automation of measurement procedures and...