Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
An analysis has been carried out of the properties of epitaxial GaAs layers obtained from gallium melts doped with rare‑earth elements (REEs). It has been established that each REE corresponds to a certain critical concentration in the melt, above which an inversion of the conductivity type of the e...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.2.47 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1860416282805927936 |
|---|---|
| author | Krukovsky, S. I. Suvorotka, N. Ya. |
| author_facet | Krukovsky, S. I. Suvorotka, N. Ya. |
| author_sort | Krukovsky, S. I. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-22T12:01:22Z |
| description | An analysis has been carried out of the properties of epitaxial GaAs layers obtained from gallium melts doped with rare‑earth elements (REEs). It has been established that each REE corresponds to a certain critical concentration in the melt, above which an inversion of the conductivity type of the epitaxial layers is observed. The most suitable REEs for obtaining epitaxial GaAs layers with high electron mobility (27,000–45,000 cm²/(V·s), at 77 K), low concentration of intrinsic defects, and excellent surface morphology are Sc, Gd, and Yb. |
| first_indexed | 2026-03-23T02:00:26Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-874 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-23T02:00:26Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8742026-03-22T12:01:22Z Properties of epitaxial GaAs layers doped with rare earth elements Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами Krukovsky, S. I. Suvorotka, N. Ya. epitaxial layers rare‑earth elements inversion point эпитаксиальные слои редкоземельные элементы точка инверсии An analysis has been carried out of the properties of epitaxial GaAs layers obtained from gallium melts doped with rare‑earth elements (REEs). It has been established that each REE corresponds to a certain critical concentration in the melt, above which an inversion of the conductivity type of the epitaxial layers is observed. The most suitable REEs for obtaining epitaxial GaAs layers with high electron mobility (27,000–45,000 cm²/(V·s), at 77 K), low concentration of intrinsic defects, and excellent surface morphology are Sc, Gd, and Yb. Проведен анализ свойств эпитаксиальных слоев GaAs, полученных из галлиевых расплавов, легированных редкоземельными элементами (РЗЭ). Установлено, что каждому РЗЭ соответствует определенная критическая концентрация в расплаве, выше которой наблюдается инверсия типа проводимости эпитаксиальных слоев. Наиболее пригодными РЗЭ для получения эпитаксиальных слоев GaAs с высокой подвижностью электронов (27000—45000 см²/(В·с), 77 К), низкой концентрацией собственных дефектов и совершенной морфологией поверхности являются Sc, Gd, Yb. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007-04-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.2.47 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2007): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 47-51 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 47-51 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.2.47/794 Copyright (c) 2007 Krukovsky S. I., Suvorotka N. Ya. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | эпитаксиальные слои редкоземельные элементы точка инверсии Krukovsky, S. I. Suvorotka, N. Ya. Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_alt | Properties of epitaxial GaAs layers doped with rare earth elements |
| title_full | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_fullStr | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_full_unstemmed | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_short | Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами |
| title_sort | свойства эпитаксиальных слоев gaas, легированных редкоземельными элементами |
| topic | эпитаксиальные слои редкоземельные элементы точка инверсии |
| topic_facet | epitaxial layers rare‑earth elements inversion point эпитаксиальные слои редкоземельные элементы точка инверсии |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.2.47 |
| work_keys_str_mv | AT krukovskysi propertiesofepitaxialgaaslayersdopedwithrareearthelements AT suvorotkanya propertiesofepitaxialgaaslayersdopedwithrareearthelements AT krukovskysi svojstvaépitaksialʹnyhsloevgaaslegirovannyhredkozemelʹnymiélementami AT suvorotkanya svojstvaépitaksialʹnyhsloevgaaslegirovannyhredkozemelʹnymiélementami |