Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде
A method is proposed for controlled modification of the lifetime of minority charge carriers in the base of a semiconductor diode crystal under the action of a short modifying current pulse, which leads to sharp non‑uniform heating of the crystal. Studies have been carried out on changes in the char...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.32 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1860416285001646080 |
|---|---|
| author | Kushnirenko, V. V. Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Savitsky, S. M. Tretyak, O. V. |
| author_facet | Kushnirenko, V. V. Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Savitsky, S. M. Tretyak, O. V. |
| author_sort | Kushnirenko, V. V. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-22T19:58:27Z |
| description | A method is proposed for controlled modification of the lifetime of minority charge carriers in the base of a semiconductor diode crystal under the action of a short modifying current pulse, which leads to sharp non‑uniform heating of the crystal. Studies have been carried out on changes in the characteristics of industrial diode crystals KD105–KD209. The energy parameters of newly introduced recombination centers have been determined. |
| first_indexed | 2026-03-23T02:00:28Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-884 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-23T02:00:28Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8842026-03-22T19:58:27Z Influence of direct current pulses on the lifetime of minority charge carriers in a p+–n diode Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде Kushnirenko, V. V. Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Savitsky, S. M. Tretyak, O. V. minority carrier lifetime recombination centers semiconductor diode current pulse heating p –n junction час життя неосновних носіїв центри рекомбінації напівпровідниковий діод імпульсне нагрівання струмом p –n-перехід A method is proposed for controlled modification of the lifetime of minority charge carriers in the base of a semiconductor diode crystal under the action of a short modifying current pulse, which leads to sharp non‑uniform heating of the crystal. Studies have been carried out on changes in the characteristics of industrial diode crystals KD105–KD209. The energy parameters of newly introduced recombination centers have been determined. Предложен способ регулируемого изменения времени жизни неосновных носителей заряда в базе диодного кристалла полупроводника под действием короткого модифицирующего импульса тока, приводящего к резкому неоднородному разогреву кристалла. Проведены исследования изменения характеристик кристаллов промышленных диодов КД105–КД209. Определены энергетические параметры вводимых новых центров рекомбинации. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.32 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2007): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 32-35 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 32-35 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.32/804 Copyright (c) 2007 Kushnirenko V. V., Ninidze G. K., Pavljuk S. P., Savitsky S. M., Tretyak O. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | час життя неосновних носіїв центри рекомбінації напівпровідниковий діод імпульсне нагрівання струмом p –n-перехід Kushnirenko, V. V. Ninidze, G. K. Pavljuk, S. P. Savitsky, S. M. Tretyak, O. V. Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде |
| title | Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде |
| title_alt | Influence of direct current pulses on the lifetime of minority charge carriers in a p+–n diode |
| title_full | Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде |
| title_fullStr | Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде |
| title_full_unstemmed | Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде |
| title_short | Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде |
| title_sort | воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде |
| topic | час життя неосновних носіїв центри рекомбінації напівпровідниковий діод імпульсне нагрівання струмом p –n-перехід |
| topic_facet | minority carrier lifetime recombination centers semiconductor diode current pulse heating p –n junction час життя неосновних носіїв центри рекомбінації напівпровідниковий діод імпульсне нагрівання струмом p –n-перехід |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.32 |
| work_keys_str_mv | AT kushnirenkovv influenceofdirectcurrentpulsesonthelifetimeofminoritychargecarriersinapndiode AT ninidzegk influenceofdirectcurrentpulsesonthelifetimeofminoritychargecarriersinapndiode AT pavljuksp influenceofdirectcurrentpulsesonthelifetimeofminoritychargecarriersinapndiode AT savitskysm influenceofdirectcurrentpulsesonthelifetimeofminoritychargecarriersinapndiode AT tretyakov influenceofdirectcurrentpulsesonthelifetimeofminoritychargecarriersinapndiode AT kushnirenkovv vozdejstvieimpulʹsovprâmogotokanavremâžiznineosnovnyhnositelejzarâdavrndiode AT ninidzegk vozdejstvieimpulʹsovprâmogotokanavremâžiznineosnovnyhnositelejzarâdavrndiode AT pavljuksp vozdejstvieimpulʹsovprâmogotokanavremâžiznineosnovnyhnositelejzarâdavrndiode AT savitskysm vozdejstvieimpulʹsovprâmogotokanavremâžiznineosnovnyhnositelejzarâdavrndiode AT tretyakov vozdejstvieimpulʹsovprâmogotokanavremâžiznineosnovnyhnositelejzarâdavrndiode |