Воздействие импульсов прямого тока на время жизни неосновных носителей заряда в р+–n-диоде

• Дата: 2007
• Автори: Kushnirenko, V. V., Ninidze, G. K., Pavljuk, S. P., Savitsky, S. M., Tretyak, O. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007
• Теми: час життя неосновних носіїв; центри рекомбінації; напівпровідниковий діод; імпульсне нагрівання струмом; p –n-перехід
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.32
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

A method is proposed for controlled modification of the lifetime of minority charge carriers in the base of a semiconductor diode crystal under the action of a short modifying current pulse, which leads to sharp non‑uniform heating of the crystal. Studies have been carried out on changes in the char...