Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
Surface‑barrier structures of the type Pb/δ-layer/р-Pb0,87Sn0,13Te0,96Se0,04/р+-Pb0,8Sn0,2Te/Au. were fabricated using liquid‑phase epitaxy and thermal vacuum deposition. At a measurement temperature of 170 K, with a peak wavelength of 8.2 μm and a cutoff wavelength of 8.5 μm, they exhibited a diffe...
Gespeichert in:
| Datum: | 2007 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.42 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1860416285015277568 |
|---|---|
| author | Tkachuk, A. I. Tsarenko, O. N. Raybets, S. I. Tkachuk, I. Yu. Kovalyov, Yu. G. |
| author_facet | Tkachuk, A. I. Tsarenko, O. N. Raybets, S. I. Tkachuk, I. Yu. Kovalyov, Yu. G. |
| author_sort | Tkachuk, A. I. |
| baseUrl_str | |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-22T19:57:10Z |
| description | Surface‑barrier structures of the type Pb/δ-layer/р-Pb0,87Sn0,13Te0,96Se0,04/р+-Pb0,8Sn0,2Te/Au. were fabricated using liquid‑phase epitaxy and thermal vacuum deposition. At a measurement temperature of 170 K, with a peak wavelength of 8.2 μm and a cutoff wavelength of 8.5 μm, they exhibited a differential resistance–area product at zero bias R0A = 0.39…0.92 Ω·cm², peak quantum efficiency of 0.33…0.42, and specific detectivity of (0.76…1.68)·1010 cm·Hz0.5/W. |
| first_indexed | 2026-03-23T02:00:28Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-887 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-23T02:00:28Z |
| publishDate | 2007 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8872026-03-22T19:57:10Z Fabrication of surface barrier structures based on quaternary A4B6 solid solutions Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6 Tkachuk, A. I. Tsarenko, O. N. Raybets, S. I. Tkachuk, I. Yu. Kovalyov, Yu. G. liquid‑phase epitaxy surface‑barrier structures photovoltaic sensor жидкофазная эпитаксия поверхностно-барьерные структуры фотовольтаический сенсор Surface‑barrier structures of the type Pb/δ-layer/р-Pb0,87Sn0,13Te0,96Se0,04/р+-Pb0,8Sn0,2Te/Au. were fabricated using liquid‑phase epitaxy and thermal vacuum deposition. At a measurement temperature of 170 K, with a peak wavelength of 8.2 μm and a cutoff wavelength of 8.5 μm, they exhibited a differential resistance–area product at zero bias R0A = 0.39…0.92 Ω·cm², peak quantum efficiency of 0.33…0.42, and specific detectivity of (0.76…1.68)·1010 cm·Hz0.5/W. Методами жидкофазной эпитаксии и термического вакуумного напыления получены поверхностно-барьерные структуры Pb/δ-слой/р-Pb0,87Sn0,13Te0,96Se0,04/р+-Pb0,8Sn0,2Te/Au. При температуре измерений 170 К, пиковой длине волны 8,2 мкм и длине волны отсечки 8,5 мкм они имели произведение дифференциального сопротивления при нулевом смещении на активную площадь R0A=0,39…0,92 Ом·cм2, пиковую квантовую эффективность 0,33…0,42 и удельную обнаружительную способность (0,76…1,68)·1010 см·Гц1/2/Вт. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2007-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.42 Technology and design in electronic equipment; No. 1 (2007): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 42-44 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 1 (2007): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 42-44 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.42/807 Copyright (c) 2007 Tkachuk A. I., Tsarenko O. N., Raybets S. I., Tkachuk I. Yu., Kovalyov Yu. G. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | жидкофазная эпитаксия поверхностно-барьерные структуры фотовольтаический сенсор Tkachuk, A. I. Tsarenko, O. N. Raybets, S. I. Tkachuk, I. Yu. Kovalyov, Yu. G. Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6 |
| title | Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6 |
| title_alt | Fabrication of surface barrier structures based on quaternary A4B6 solid solutions |
| title_full | Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6 |
| title_fullStr | Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6 |
| title_full_unstemmed | Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6 |
| title_short | Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6 |
| title_sort | получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов а4в6 |
| topic | жидкофазная эпитаксия поверхностно-барьерные структуры фотовольтаический сенсор |
| topic_facet | liquid‑phase epitaxy surface‑barrier structures photovoltaic sensor жидкофазная эпитаксия поверхностно-барьерные структуры фотовольтаический сенсор |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.42 |
| work_keys_str_mv | AT tkachukai fabricationofsurfacebarrierstructuresbasedonquaternarya4b6solidsolutions AT tsarenkoon fabricationofsurfacebarrierstructuresbasedonquaternarya4b6solidsolutions AT raybetssi fabricationofsurfacebarrierstructuresbasedonquaternarya4b6solidsolutions AT tkachukiyu fabricationofsurfacebarrierstructuresbasedonquaternarya4b6solidsolutions AT kovalyovyug fabricationofsurfacebarrierstructuresbasedonquaternarya4b6solidsolutions AT tkachukai polučeniepoverhnostnobarʹernyhstrukturnaosnovečetyrehkomponentnyhtverdyhrastvorova4v6 AT tsarenkoon polučeniepoverhnostnobarʹernyhstrukturnaosnovečetyrehkomponentnyhtverdyhrastvorova4v6 AT raybetssi polučeniepoverhnostnobarʹernyhstrukturnaosnovečetyrehkomponentnyhtverdyhrastvorova4v6 AT tkachukiyu polučeniepoverhnostnobarʹernyhstrukturnaosnovečetyrehkomponentnyhtverdyhrastvorova4v6 AT kovalyovyug polučeniepoverhnostnobarʹernyhstrukturnaosnovečetyrehkomponentnyhtverdyhrastvorova4v6 |