Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
Surface‑barrier structures of the type Pb/δ-layer/р-Pb0,87Sn0,13Te0,96Se0,04/р+-Pb0,8Sn0,2Te/Au. were fabricated using liquid‑phase epitaxy and thermal vacuum deposition. At a measurement temperature of 170 K, with a peak wavelength of 8.2 μm and a cutoff wavelength of 8.5 μm, they exhibited a diffe...
Saved in:
| Date: | 2007 |
|---|---|
| Main Authors: | Tkachuk, A. I., Tsarenko, O. N., Raybets, S. I., Tkachuk, I. Yu., Kovalyov, Yu. G. |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2007
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2007.1.42 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentSimilar Items
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
by: Ткачук, А.И., et al.
Published: (2007)
by: Ткачук, А.И., et al.
Published: (2007)
Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2007)
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2007)
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2012)
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2012)
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2009)
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2009)
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
by: Andronova, E. V., et al.
Published: (2011)
by: Andronova, E. V., et al.
Published: (2011)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)
by: Maronchuk, I. E., et al.
Published: (2008)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
by: Andronova, О. V., et al.
Published: (2008)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)
by: Melebayew, D., et al.
Published: (2008)
Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n–GaAs
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
by: Мелебаев, Д., et al.
Published: (2008)
Металлы с дырочной проводимостью в излучающих поверхностно-барьерных диодах
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2000)
by: Гаркавенко, А.С.
Published: (2000)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)
by: Semenov, A. V., et al.
Published: (2012)
Спектральная фоточувствительность Ni—Si:Au поверхностно-барьерных структур с инжекционным усилением
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2002)
by: Курмашев, Ш.Д., et al.
Published: (2002)
Радиационные эффекты в арсенидгаллиевых поверхностно-барьерных структурах, возникающие под воздействием γ и β излучения
by: Исмайлов, К.А., et al.
Published: (2001)
by: Исмайлов, К.А., et al.
Published: (2001)
Manifestation of the Upper Hubbard band in the 2D Hubbard model at low electron density
by: Kagan, M.Yu., et al.
Published: (2011)
by: Kagan, M.Yu., et al.
Published: (2011)
Теплоемкость твердых растворов ³Не в ⁴Не
by: Анцыгина, Т.Н., et al.
Published: (1995)
by: Анцыгина, Т.Н., et al.
Published: (1995)
Магнитосопротивление наноуглеродных материалов на основе углеродных нанотрубок
by: Лень, Т.А., et al.
Published: (2011)
by: Лень, Т.А., et al.
Published: (2011)
Теплоемкость электронного газа на поверхности нанотрубки со сверхрешеткой в магнитном поле
by: Ермолаев, А.М., et al.
Published: (2011)
by: Ермолаев, А.М., et al.
Published: (2011)
Импактные структуры в морях и океанах
by: Гуров, Е.П.
Published: (2016)
by: Гуров, Е.П.
Published: (2016)
Квантовые осцилляции в перестраиваемом графеновом бислое
by: Фальковский, Л.А.
Published: (2011)
by: Фальковский, Л.А.
Published: (2011)
Двумерный оператор Паули в магнитном поле
by: Гриневич, П.Г., et al.
Published: (2011)
by: Гриневич, П.Г., et al.
Published: (2011)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
by: Novosyadlyi, S. P., et al.
Published: (2009)
Структура и свойства твердых растворов Ar–Kr
by: Солодовник, А.А., et al.
Published: (2019)
by: Солодовник, А.А., et al.
Published: (2019)
Восстановление медьсодержащих твердых растворов со структурой шпинели
by: Зиновик, Е.В., et al.
Published: (2006)
by: Зиновик, Е.В., et al.
Published: (2006)
ДАТЧИКИ ВИГИНУ НА ОСНОВІ БІОНАНОКОМПОЗИТІВ ІЗ НАНОЦЕЛЮЛОЗИ ТА ПОЛІВІНІЛОВОГО СПИРТУ ДЛЯ НОСИМОЇ ЕЛЕКТРОНІКИ
by: NAIDONOV, A., et al.
Published: (2024)
by: NAIDONOV, A., et al.
Published: (2024)
Тепловая математическая модель полупроводниковых приборов при измерении ВАХ импульсным способом
by: Druzhinin, А. A., et al.
Published: (2012)
by: Druzhinin, А. A., et al.
Published: (2012)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2008)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
by: Dranchuk, S. N., et al.
Published: (2013)
by: Dranchuk, S. N., et al.
Published: (2013)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2007)
by: Yodgorova, D. M., et al.
Published: (2007)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
by: Krasnov, V. A., et al.
Published: (2008)
by: Krasnov, V. A., et al.
Published: (2008)
Charge and spin effects in mesoscopic Josephson junctions (Review Article)
by: Krive, I.V., et al.
Published: (2004)
by: Krive, I.V., et al.
Published: (2004)
Низкотемпературная пластичность разбавленных твердых растворов Ne в n-H₂
by: Алексеева, Л.А., et al.
Published: (1997)
by: Алексеева, Л.А., et al.
Published: (1997)
Низкотемпературная аномалия пластичности концентрированных ГЦК твердых растворов: система Pb–In
by: Исаев, Н.В., et al.
Published: (2005)
by: Исаев, Н.В., et al.
Published: (2005)
Электрофизические свойства полумагнитных твердых растворов Hg₁₋xMnxTe
by: Несмелова, И.М., et al.
Published: (2004)
by: Несмелова, И.М., et al.
Published: (2004)
Кривая фазового расслоения ГПУ слабых твердых растворов ³He-⁴He
by: Ганьшин, А.Н., et al.
Published: (2000)
by: Ганьшин, А.Н., et al.
Published: (2000)
Структура и параметр ориентационного порядка твердых растворов Ar-CO₂
by: Стржемечный, М.А., et al.
Published: (1998)
by: Стржемечный, М.А., et al.
Published: (1998)
Spontaneous and persistent currents in superconductive and mesoscopic structures (Review Article)
by: Kulik, I.O.
Published: (2004)
by: Kulik, I.O.
Published: (2004)
Повышение электромагнитной помехоустойчивости сигнальных преобразователей на сенсорах Холла
by: Hotra, Z. Yu., et al.
Published: (2013)
by: Hotra, Z. Yu., et al.
Published: (2013)
Similar Items
-
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А⁴В⁶
by: Ткачук, А.И., et al.
Published: (2007) -
Поверхностно-барьерные структуры для ультрафиолетовых сенсоров пламени
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2007) -
Влияние распределения примеси в базе на фотоэлектрические свойства поверхностно-барьерных УФ-фотоприемников
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2012) -
Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
by: Bobrenko, Yu. N., et al.
Published: (2009) -
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)