Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
A brief description and comparison of the liquid-encapsulated Czochralski (LEC) method with other growth techniques is presented, as well as its role in the development of semi-insulating GaAs technology. Information is provided on modern developments in growth equipment for producing large-diameter...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.03 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1861137313541652480 |
|---|---|
| author | Kovtun, G. P. Shcherban’, A. P. |
| author_facet | Kovtun, G. P. Shcherban’, A. P. |
| author_sort | Kovtun, G. P. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-30T21:13:10Z |
| description | A brief description and comparison of the liquid-encapsulated Czochralski (LEC) method with other growth techniques is presented, as well as its role in the development of semi-insulating GaAs technology. Information is provided on modern developments in growth equipment for producing large-diameter SI-GaAs crystals by the LEC method. Comparative characteristics of pulling installations of the new and previous generations are given. The tendencies in the development of growth equipment, along with the current state of domestic mechanical engineering and industrial production of gallium arsenide, are described. |
| first_indexed | 2026-03-31T01:00:55Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-896 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-31T01:00:55Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-8962026-03-30T21:13:10Z Growth equipment for production of semi-insulating GaAs by the Czochralski method Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского Kovtun, G. P. Shcherban’, A. P. gallium arsenide single crystals semi-insulating GaAs growth methods Czochralski method with liquid encapsulation equipment characteristics монокристаллы арсенида галлия полуизолирующий арсенид галлия методы выращивания метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава характеристики установок A brief description and comparison of the liquid-encapsulated Czochralski (LEC) method with other growth techniques is presented, as well as its role in the development of semi-insulating GaAs technology. Information is provided on modern developments in growth equipment for producing large-diameter SI-GaAs crystals by the LEC method. Comparative characteristics of pulling installations of the new and previous generations are given. The tendencies in the development of growth equipment, along with the current state of domestic mechanical engineering and industrial production of gallium arsenide, are described. Дана краткая характеристика и сравнение метода Чохральского (ЖГЧ) с другими методами, а также его место в развитии технологии получения ПИ-GaAs. Представлена информация о современных разработках ростового оборудования для производства ПИ-GaAs большого диаметра методом ЖГЧ. Приведены сравнительные характеристики вытягивающих установок нового и предшествующего поколений. Описаны тенденции разработок ростового оборудования, а также состояние отечественного машиностроения и промышленного производства арсенида галлия. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.03 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 3-6 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 3-6 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.03/812 Copyright (c) 2006 Kovtun G. P., Shcherban’ A. P. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | монокристаллы арсенида галлия полуизолирующий арсенид галлия методы выращивания метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава характеристики установок Kovtun, G. P. Shcherban’, A. P. Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского |
| title | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского |
| title_alt | Growth equipment for production of semi-insulating GaAs by the Czochralski method |
| title_full | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского |
| title_fullStr | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского |
| title_full_unstemmed | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского |
| title_short | Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского |
| title_sort | ростовое оборудование для производства полуизолирующего gaas методом чохральского |
| topic | монокристаллы арсенида галлия полуизолирующий арсенид галлия методы выращивания метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава характеристики установок |
| topic_facet | gallium arsenide single crystals semi-insulating GaAs growth methods Czochralski method with liquid encapsulation equipment characteristics монокристаллы арсенида галлия полуизолирующий арсенид галлия методы выращивания метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава характеристики установок |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.03 |
| work_keys_str_mv | AT kovtungp growthequipmentforproductionofsemiinsulatinggaasbytheczochralskimethod AT shcherbanap growthequipmentforproductionofsemiinsulatinggaasbytheczochralskimethod AT kovtungp rostovoeoborudovaniedlâproizvodstvapoluizoliruûŝegogaasmetodomčohralʹskogo AT shcherbanap rostovoeoborudovaniedlâproizvodstvapoluizoliruûŝegogaasmetodomčohralʹskogo |