Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
A brief description and comparison of the liquid-encapsulated Czochralski (LEC) method with other growth techniques is presented, as well as its role in the development of semi-insulating GaAs technology. Information is provided on modern developments in growth equipment for producing large-diameter...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | Kovtun, G. P., Shcherban’, A. P. |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.03 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004)
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2006)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008)
Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2004)
Формирование столбиковых выводов для GaAs пиксельных детекторов
за авторством: Berishvili, Z. V., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Berishvili, Z. V., та інші
Опубліковано: (2004)
Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
за авторством: Garkavenko, A. S.
Опубліковано: (2011)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Turtsevich, A. S.
Опубліковано: (2008)
Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2007)
Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2009)
Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2014)
Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2006)
Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Druzhinin, A. A., та інші
Опубліковано: (2015)
Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Dobrovol’skii, Yu. G.
Опубліковано: (2012)
Плазмохимическое травление эпитаксиальных структур нитрида галлия
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Borisenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Yatsunenko, A. G., та інші
Опубліковано: (2005)
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2004)
Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorev, N. B., та інші
Опубліковано: (2008)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Andronova, E. V., та інші
Опубліковано: (2011)
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
за авторством: Balitskii, О. A.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Balitskii, О. A.
Опубліковано: (2005)
Температурное поле в кристалле иттрий-алюминиевого граната при двухстадийном выращивании
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2005)
Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Pigur, O. N., та інші
Опубліковано: (2011)
Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Турцевич, А.С.
Опубліковано: (2008)
Выращивание крупногабаритных монокристаллов вольфрамата кадмия с высокой оптической однородностью
за авторством: Solskii, I. M.
Опубліковано: (2005)
за авторством: Solskii, I. M.
Опубліковано: (2005)
«Сатурн» остается на орбите
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Chmil, V. M., та інші
Опубліковано: (2013)
Получение оптически однородных монокристаллов ниобата лития больших размеров
за авторством: Solskii, I. M., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Solskii, I. M., та інші
Опубліковано: (2005)
Оборудование установок десульфурации чугуна
за авторством: Большаков, В.И., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Большаков, В.И., та інші
Опубліковано: (2005)
Фильтровентиляционное оборудование из Германии
за авторством: Ильиных, А.А.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Ильиных, А.А.
Опубліковано: (2014)
Инженерное оборудование энергоэффективных зданий
за авторством: Драганов, Б.Х., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Драганов, Б.Х., та інші
Опубліковано: (2006)
Современное оборудование для судостроения
за авторством: Зайффарт, П.И.
Опубліковано: (2010)
за авторством: Зайффарт, П.И.
Опубліковано: (2010)
Аналитическое оборудование компании LECO
за авторством: Антонов, А.Б., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Антонов, А.Б., та інші
Опубліковано: (2013)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Kudrynskyi, Z. R., та інші
Опубліковано: (2012)
Современное оборудование для сварки трением
за авторством: Зяхор, И.В.
Опубліковано: (2001)
за авторством: Зяхор, И.В.
Опубліковано: (2001)
Оборудование для автоматической дуговой сварки
Опубліковано: (2017)
Опубліковано: (2017)
Новое оборудование для микроплазменных процессов
за авторством: Войнарович, С.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Войнарович, С.Г., та інші
Опубліковано: (2011)
ДОСЛІДЖЕННЯ ДИНАМІЧНИХ ЯКОСТЕЙ ВАНТАЖНИХ ПОЇЗДІВ, ОБЛАДНАНИХ КОЛЕСАМИ З РІЗНИМИ ПРОФІЛЯМИ ПОВЕРХОНЬ КОЧЕННЯ
за авторством: KOVTUN, O. M., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: KOVTUN, O. M., та інші
Опубліковано: (2025)
GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Storozhenko, I. P., та інші
Опубліковано: (2013)
VIII Специализированая выставка «Металл. Оборудование. Инструмент »
Опубліковано: (2018)
Опубліковано: (2018)
Высокотехнологичное сварочное оборудование для роботизированных комплексов
за авторством: Мельников, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Мельников, А.Ю., та інші
Опубліковано: (2014)
Схожі ресурси
-
Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
за авторством: Kovtun, G. P., та інші
Опубліковано: (2004) -
Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
за авторством: Ковтун, Г.П., та інші
Опубліковано: (2006) -
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007) -
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Maronchuk, I. E., та інші
Опубліковано: (2008) -
Разработка конструкции и технологии изготовления диодов Ганна для КВЧ-терапии
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2004)