Buchumschlag

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского

A brief description and comparison of the liquid-encapsulated Czochralski (LEC) method with other growth techniques is presented, as well as its role in the development of semi-insulating GaAs technology. Information is provided on modern developments in growth equipment for producing large-diameter...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2006
Hauptverfasser:	Kovtun, G. P., Shcherban’, A. P.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Schlagworte:	монокристаллы арсенида галлия полуизолирующий арсенид галлия методы выращивания метод Чохральского с жидкостной герметизацией расплава характеристики установок
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.03
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Ростовое оборудование для производства полуизолирующего GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
von: Ivanov, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Тонкая структура спектров лазерного излучения при электронной накачке на основе радиационно модифицированных оптически однородных нелегированных кристаллов GaAs
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2011)

Прогнозирование напряжения отсечки ионно-имплантированных полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Вольт-фарадные измерения в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Диагностика глубоких центров на границе пленка–подложка в тонкопленочных эпитаксиальных структурах GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Получение полуизолирующего кремния для высоковольтных приборов
von: Turtsevich, A. S.
Veröffentlicht: (2008)

Датчик гидростатического давления на основе микрокристаллов антимонида галлия
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Фотодиод на основе GaP с повышенной чувствительностью в коротковолновой области УФ-спектра
von: Dobrovol’skii, Yu. G.
Veröffentlicht: (2012)

Технологические приемы улучшения теплового режима выращивания кристаллов GaAs методом Чохральского
von: Ковтун, Г.П., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Вольт-фарадные характеристики ионно-имплантированных структур GaAs
von: Gorev, N. B., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Влияние обработки водородом монокристаллов теллурида кадмия на их спектры оптического пропускания
von: Pigur, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Оборудование для производства технологических атмосфер (Обзор)
von: Марчук, Ю.В., et al.
Veröffentlicht: (2010)

«Сатурн» остается на орбите
von: Chmil, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Оборудование установок десульфурации чугуна
von: Большаков, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Фильтровентиляционное оборудование из Германии
von: Ильиных, А.А.
Veröffentlicht: (2014)

Инженерное оборудование энергоэффективных зданий
von: Драганов, Б.Х., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Новое оборудование для интенсификации теплообмена в шахтных печах производства извести
von: Торчинский, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Современное оборудование для сварки трением
von: Зяхор, И.В.
Veröffentlicht: (2001)

Оборудование для автоматической дуговой сварки
Veröffentlicht: (2017)

Новое оборудование для микроплазменных процессов
von: Войнарович, С.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)

VIII Специализированая выставка «Металл. Оборудование. Инструмент »
Veröffentlicht: (2018)

Высокотехнологичное сварочное оборудование для роботизированных комплексов
von: Мельников, А.Ю., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Оборудование для термообработки сварных соединений трубопроводов
von: Пантелеймонов, Е.А.
Veröffentlicht: (2012)

Оборудование комплекса десульфурации чугуна гранулированным магнием
von: Башмаков, А.М.
Veröffentlicht: (2009)

ДОСЛІДЖЕННЯ ДИНАМІЧНИХ ЯКОСТЕЙ ВАНТАЖНИХ ПОЇЗДІВ, ОБЛАДНАНИХ КОЛЕСАМИ З РІЗНИМИ ПРОФІЛЯМИ ПОВЕРХОНЬ КОЧЕННЯ
von: KOVTUN, O. M., et al.
Veröffentlicht: (2025)

Турбинное оборудование для малых ГЭС. Опыт разработки и производства за 15 лет
von: Бумарсков, C.A.
Veröffentlicht: (2011)

К 70-летию кафедры «Оборудование и технология сварочного производства» ГВУЗ «Приазовский ГТУ»
von: Роянов, В.А.
Veröffentlicht: (2016)

Технология и оборудование для производства корпусов баллонов высокого давления из листового проката
von: Савицкий, М.М., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Современное сборочное оборудование для микроэлектроники из Беларуси
Veröffentlicht: (1998)

Модернизированное оборудование для АУЗК концевых участков труб
von: Найда, В.Л., et al.
Veröffentlicht: (2008)

IV Специализированная выставка «Металл. Оборудование. Инструмент-2012»
von: Рыбакова, О.А.
Veröffentlicht: (2012)

ПОЛІПШЕННЯ ЕНЕРГЕТИЧНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ЕЛЕКТРОПРИВОДІВ З ВЕКТОРНИМ КЕРУВАННЯМ ШЛЯХОМ КОМПЕНСАЦІЇ ПАРАМЕТРИЧНОЇ НЕСИМЕТРІЇ АСИНХРОННИХ ДВИГУНІВ
von: Мельников , В.О., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: Vainberg, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Electron mobility in the GaAs/InGaAs/GaAs quantum wells
von: V. V. Vainberg, et al.
Veröffentlicht: (2013)

GaAs Gunn Diodes with AlAs-GaAs-AlAs Resonance Tunnel Cathode
von: Storozhenko, I. P., et al.
Veröffentlicht: (2013)