Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
It has been experimentally shown that in a field phototransistor with a channel doped with tin, the region of high dynamic resistance is extended, in contrast to a transistor doped with tellurium. This difference is related to the specific mechanisms of channel cutoff in each case. The mechanisms of...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.43 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1861137315605250048 |
|---|---|
| author | Yodgorova, D. М. |
| author_facet | Yodgorova, D. М. |
| author_sort | Yodgorova, D. М. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-03-30T21:05:34Z |
| description | It has been experimentally shown that in a field phototransistor with a channel doped with tin, the region of high dynamic resistance is extended, in contrast to a transistor doped with tellurium. This difference is related to the specific mechanisms of channel cutoff in each case. The mechanisms of photosensitivity have been clarified, and a direct dependence of internal photocurrent amplification on the steepness of the transfer characteristic and the output dynamic resistance has been established. The results can be applied in the design of optoelectronic circuits based on field phototransistors |
| first_indexed | 2026-03-31T01:00:57Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-906 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-03-31T01:00:57Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9062026-03-30T21:05:34Z Mechanism of controlling the photosensitivity of a field phototransisto Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора Yodgorova, D. М. field phototransistor photosensitivity dynamic resistance tin doping p–n junction полевой фототранзистор фоточувствительность динамическое сопротивление легированный оловом р–n-переход It has been experimentally shown that in a field phototransistor with a channel doped with tin, the region of high dynamic resistance is extended, in contrast to a transistor doped with tellurium. This difference is related to the specific mechanisms of channel cutoff in each case. The mechanisms of photosensitivity have been clarified, and a direct dependence of internal photocurrent amplification on the steepness of the transfer characteristic and the output dynamic resistance has been established. The results can be applied in the design of optoelectronic circuits based on field phototransistors Экспериментально показано, что в полевом фототранзисторе с каналом, легированным оловом, участок с высоким динамическим сопротивлением является протяженным, в отличие от транзистора, легированного теллуром, что связано с особенностями процессов запирания канала в каждом случае. Выяснены механизмы фоточувствительности и установлена прямая зависимость процессов внутреннего усиления фототока от крутизны передаточной характеристики и выходного динамического сопротивления. Результаты могут быть использованы при конструировании оптоэлектронных схем на основе полевых фототранзисторов. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-02-28 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.43 Technology and design in electronic equipment; No. 6 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 43-47 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 6 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 43-47 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.43/826 Copyright (c) 2006 D. М. Yodgorova http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | полевой фототранзистор фоточувствительность динамическое сопротивление легированный оловом р–n-переход Yodgorova, D. М. Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора |
| title | Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора |
| title_alt | Mechanism of controlling the photosensitivity of a field phototransisto |
| title_full | Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора |
| title_fullStr | Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора |
| title_full_unstemmed | Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора |
| title_short | Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора |
| title_sort | механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора |
| topic | полевой фототранзистор фоточувствительность динамическое сопротивление легированный оловом р–n-переход |
| topic_facet | field phototransistor photosensitivity dynamic resistance tin doping p–n junction полевой фототранзистор фоточувствительность динамическое сопротивление легированный оловом р–n-переход |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.43 |
| work_keys_str_mv | AT yodgorovadm mechanismofcontrollingthephotosensitivityofafieldphototransisto AT yodgorovadm mehanizmupravleniâfotočuvstvitelʹnostʹûpolevogofototranzistora |