Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора

It has been experimentally shown that in a field phototransistor with a channel doped with tin, the region of high dynamic resistance is extended, in contrast to a transistor doped with tellurium. This difference is related to the specific mechanisms of channel cutoff in each case. The mechanisms of...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автор: Yodgorova, D. М.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.43
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси