Зображення обкладинки

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора

It has been experimentally shown that in a field phototransistor with a channel doped with tin, the region of high dynamic resistance is extended, in contrast to a transistor doped with tellurium. This difference is related to the specific mechanisms of channel cutoff in each case. The mechanisms of...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2006
Автор:	Yodgorova, D. М.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Теми:	полевой фототранзистор фоточувствительность динамическое сопротивление легированный оловом р–n-переход
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.43
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Yodgorova, D. M.
Опубліковано: (2006)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2009)

Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)

Микроэлектронные термодиодные сенсоры экстремальной электроники
за авторством: Shwarts, Yu. M., та інші
Опубліковано: (2005)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
за авторством: Ёдгорова, Д.М.
Опубліковано: (2006)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
за авторством: Kukla, A. L., та інші
Опубліковано: (2013)

Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах
за авторством: Yodgorova, D. М., та інші
Опубліковано: (2006)

Оценка перераспределения потенциала в трехбарьерной структуре
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВИГАТЕЛЬ ВОЗВРАТНО-ВРАЩАТЕЛЬНОГО ДВИЖЕНИЯ С УПРУГОЙ СВЯЗЬЮ РОТОРА
за авторством: Антонов, А.Е., та інші
Опубліковано: (2012)

Определение характеристик двухбарьерных фотодиодных структур с металлополупроводниковыми переходами
за авторством: Yodgorova, D. M., та інші
Опубліковано: (2005)

К вопросу о минимизации числа межслойных переходов при трассировке печатных плат
за авторством: Luzin, S. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
за авторством: Jafarova, E. A.
Опубліковано: (2006)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2013)

Ионный инжектор полевого типа
за авторством: Возный, В.И., та інші
Опубліковано: (2010)

Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2006)

Оптимизация расположения межслойных переходов на группе проводников
за авторством: Knop, K. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Yakovlev, I. V.
Опубліковано: (2007)

Когнитивная фразеология: опыт полевого анализа
за авторством: Эмирова, А.М.
Опубліковано: (2002)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
за авторством: Vakiv, N. M., та інші
Опубліковано: (2012)

Трехпараметрический генераторный датчик
за авторством: Filinyuk, M. A., та інші
Опубліковано: (2014)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
за авторством: Abdulkhaev, O. A., та інші
Опубліковано: (2015)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
за авторством: Karimov, A. V., та інші
Опубліковано: (2011)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
за авторством: Tomashik, Z. F., та інші
Опубліковано: (2013)

Механизм управления конкурентоспособностью винопродукции
за авторством: Аблязова, С.А.
Опубліковано: (2006)

Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона
за авторством: Filynyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2006)

Разработка устройств для анализа спектра сигналов СВЧ
за авторством: Larkin, S. Yu.
Опубліковано: (2006)

Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
за авторством: Hotra, Z. Yu., та інші
Опубліковано: (2009)

Механизм управления развитием промышленного предприятия
за авторством: Филипишин, И.В.
Опубліковано: (2011)

Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
за авторством: Gnilenko, A. B., та інші
Опубліковано: (2012)

Модули солнечных элементов на основе тандемных гетероструктур GaAs–InGaAs–AlGaAs
за авторством: Krukovskiy, S. I., та інші
Опубліковано: (2004)

Принципы полнофакторного численно-полевого анализа режима нагрузки турбогенератора
за авторством: Милых, В.И., та інші
Опубліковано: (2009)

Схемотехническое моделирование и синтез активных СВЧ-фильтров на полевых транзисторах Шоттки
за авторством: Filinyuk, N. А., та інші
Опубліковано: (2005)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
за авторством: Bobrenko, Yu. N., та інші
Опубліковано: (2009)

МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАНУЛИРОВАННЫХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ СРЕД ОТ ПРОТЕКАЮЩЕГО В НИХ ИМПУЛЬСНОГО ТОКА
за авторством: Захарченко, С.Н.
Опубліковано: (2012)

ОЦЕНКА ПОГРЕШНОСТИ ЭТАЛОННОЙ КОНДУКТОМЕТРИЧЕСКОЙ ЯЧЕЙКИ, ОБУСЛОВЛЕННОЙ НЕЭКВИПОТЕНЦИАЛЬНОСТЬЮ ПОВЕРХНОСТИ ЭЛЕКТРОДОВ
за авторством: Глухенький, А.И., та інші
Опубліковано: (2010)