Buchumschlag

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора

It has been experimentally shown that in a field phototransistor with a channel doped with tin, the region of high dynamic resistance is extended, in contrast to a transistor doped with tellurium. This difference is related to the specific mechanisms of channel cutoff in each case. The mechanisms of...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2006
1. Verfasser:	Yodgorova, D. М.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Schlagworte:	полевой фототранзистор фоточувствительность динамическое сопротивление легированный оловом р–n-переход
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.6.43
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Механизм управления фоточувствительностью полевого фототранзистора
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Многофункциональная гомопереходная арсенид-галлиевая n–p–m-структура
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование метрологических параметров датчиков на основе pН-чувствительных полевых транзисторов
von: Kukla, A. L., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Механизм насыщения тока стока полевого транзистора с р–n-переходом
von: Ёдгорова, Д.М.
Veröffentlicht: (2006)

Некоторые особенности ограничителя тока на полевом транзисторе
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

К вопросу о минимизации числа межслойных переходов при трассировке печатных плат
von: Luzin, S. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

МАГНИТОЭЛЕКТРИЧЕСКИЙ ДВИГАТЕЛЬ ВОЗВРАТНО-ВРАЩАТЕЛЬНОГО ДВИЖЕНИЯ С УПРУГОЙ СВЯЗЬЮ РОТОРА
von: Антонов, А.Е., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Исследование процесса формирования токовых характеристик кремниевого фотодиода с выпрямляющими барьерами
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Оптимизация расположения межслойных переходов на группе проводников
von: Knop, K. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
von: Yakovlev, I. V.
Veröffentlicht: (2007)

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Нестационарные электронные процессы в барьерных структурах и приборы на их основе
von: Jafarova, E. A.
Veröffentlicht: (2006)

Высокочувствительный фотоприемник на основе германиевой двухбарьерной структуры с эффектом смыкания
von: Abdulkhaev, O. A., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Трехпараметрический генераторный датчик
von: Filinyuk, M. A., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Механизм управления конкурентоспособностью винопродукции
von: Аблязова, С.А.
Veröffentlicht: (2006)

Парофазне карбонілювання метанолу на каталізаторах NiCl2-CuCl2(Sn)/AC(кордієрит)
von: Kapran, A. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2020)

Исследование допустимой импульсной мощности кремниевой p+–p–n+-структуры
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Особенности изготовления Cd1–xZnxTe-детектора ионизирующего излучения
von: Tomashik, Z. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Фотоприемники ультрафиолетового излучения на основе тонких пленок ZnS
von: Bobrenko, Yu. N., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Принципы полнофакторного численно-полевого анализа режима нагрузки турбогенератора
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Механизм управления развитием промышленного предприятия
von: Филипишин, И.В.
Veröffentlicht: (2011)

Полевая ионная микроскопия сплавов в условиях стимулированного полевого испарения
von: Ксенофонтов, В.А., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Анализ влияния способа соединения столбиковых выводов интегральных схем на их сопротивление
von: Hotra, Z. Yu., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Особенности усилительных свойств полевого транзистора в схеме с динамической нагрузкой
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Механизм управления устойчивым развитием регионального туризма
von: Гречишкина, Е.А.
Veröffentlicht: (2018)

Организационно-экономический механизм управления туристической отраслью
von: Падерин, А.В.
Veröffentlicht: (2011)

Механизм управления организационным поведением сотрудников предприятий
von: Дорофеева, А.А.
Veröffentlicht: (2014)

Хозяйственный механизм управления развитием промышленных предприятий
von: Половинкина, А.И.
Veröffentlicht: (2005)

Организационно-экономический механизм управления нвестиционной привлекательностью предприятия
von: Буряков, М.П.
Veröffentlicht: (2005)

Очаг землетрясения как возбудимая среда: последовательная аксиоматика скалярного полевого описания
von: Костинский, А.С.
Veröffentlicht: (2014)

Влияние толщины кремниевых пластин на характеристики многопереходных солнечных элементов с вертикальными p–n-переходами
von: Gnilenko, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2012)

МОДЕЛИРОВАНИЕ ЗАВИСИМОСТИ ЭЛЕКТРИЧЕСКОГО СОПРОТИВЛЕНИЯ ГРАНУЛИРОВАННЫХ ТОКОПРОВОДЯЩИХ СРЕД ОТ ПРОТЕКАЮЩЕГО В НИХ ИМПУЛЬСНОГО ТОКА
von: Захарченко, С.Н.
Veröffentlicht: (2012)

ОЦЕНКА ПОГРЕШНОСТИ ЭТАЛОННОЙ КОНДУКТОМЕТРИЧЕСКОЙ ЯЧЕЙКИ, ОБУСЛОВЛЕННОЙ НЕЭКВИПОТЕНЦИАЛЬНОСТЬЮ ПОВЕРХНОСТИ ЭЛЕКТРОДОВ
von: Глухенький, А.И., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Технология изготовления контактов к карбиду кремния
von: Kudryk, Ya. Ya., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Исследование эффекта насыщения тока стока полевого транзистора с последовательно соединенными каналами
von: Каримов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)

ГАРМОНИЧЕСКИЙ АНАЛИЗ ЭЛЕКТРОМАГНИТНЫХ ВЕЛИЧИН ТРЕХФАЗНОЙ ОБМОТКИ СТАТОРА ТУРБОГЕНЕРАТОРА НА ОСНОВЕ КЛАССИЧЕСКИХ И ЧИСЛЕННО-ПОЛЕВЫХ МЕТОДОВ
von: Милых, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Спектры фоточувствительности поверхностно-барьерных структур Ni–n-GaAs
von: Melebayew, D., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Новые возможности фотоэлектрического метода определения высоты барьера в структурах Au–n-GaAs
von: Melebayev, D., et al.
Veröffentlicht: (2007)