Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
An AuGe–TiB2–Au contact to gallium arsenide has been developed, possessing the property of injecting hot electrons. The barrier height is 0.25 eV for GaAs with a carrier concentration of (0.3–1)·1016 cm–3. A diode package with a capacitance of 0.04 pF has been designed. The fabricated Gunn diodes pr...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.05 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1861499672112136192 |
|---|---|
| author | Ivanov, V. N. Kovtonyuk, V. M. Nikolaienko, Yu. E. |
| author_facet | Ivanov, V. N. Kovtonyuk, V. M. Nikolaienko, Yu. E. |
| author_sort | Ivanov, V. N. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-03T20:24:53Z |
| description | An AuGe–TiB2–Au contact to gallium arsenide has been developed, possessing the property of injecting hot electrons. The barrier height is 0.25 eV for GaAs with a carrier concentration of (0.3–1)·1016 cm–3. A diode package with a capacitance of 0.04 pF has been designed. The fabricated Gunn diodes provide an output microwave power of about 40 mW at the fundamental oscillation frequency of 80 GHz, with an efficiency of 4%. The diodes operate stably in the temperature range from –50°C to +60°C and begin stable generation from –70°C. |
| first_indexed | 2026-04-04T01:00:27Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-914 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-04T01:00:27Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9142026-04-03T20:24:53Z Technology of manufacturing GaAs Gunn diodes for the short millimeter wavelength range Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн Ivanov, V. N. Kovtonyuk, V. M. Nikolaienko, Yu. E. Gunn diode mesa structure titanium diboride hot electrons диод Ганна мезаструктура диборид титана горячие электроны An AuGe–TiB2–Au contact to gallium arsenide has been developed, possessing the property of injecting hot electrons. The barrier height is 0.25 eV for GaAs with a carrier concentration of (0.3–1)·1016 cm–3. A diode package with a capacitance of 0.04 pF has been designed. The fabricated Gunn diodes provide an output microwave power of about 40 mW at the fundamental oscillation frequency of 80 GHz, with an efficiency of 4%. The diodes operate stably in the temperature range from –50°C to +60°C and begin stable generation from –70°C. Разработан AuGe–TiB2–Au контакт к арсениду галлия, обладающий свойством инжектировать горячие электроны. Высота барьера 0,25 эВ для GaAs с концентрацией носителей (0,3…1)·1016 см–3. Разработан корпус диода с емкостью 0,04 пФ. Изготовленные диоды Ганна имеют на основной частоте генерации 80 ГГц выходную СВЧ-мощность порядка 40 мВт с КПД 4%. Диоды стабильно работают в диапазоне температур от –50°С до +60°С и начинают стабильно генерировать с температуры –70°С. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.05 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 5-7 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 5-7 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.05/828 Copyright (c) 2006 Ivanov V. N., Kovtonyuk V. M., Nikolaienko Yu. E. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | диод Ганна мезаструктура диборид титана горячие электроны Ivanov, V. N. Kovtonyuk, V. M. Nikolaienko, Yu. E. Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн |
| title | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн |
| title_alt | Technology of manufacturing GaAs Gunn diodes for the short millimeter wavelength range |
| title_full | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн |
| title_fullStr | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн |
| title_full_unstemmed | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн |
| title_short | Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн |
| title_sort | технология изготовления gaas-диодов ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн |
| topic | диод Ганна мезаструктура диборид титана горячие электроны |
| topic_facet | Gunn diode mesa structure titanium diboride hot electrons диод Ганна мезаструктура диборид титана горячие электроны |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.05 |
| work_keys_str_mv | AT ivanovvn technologyofmanufacturinggaasgunndiodesfortheshortmillimeterwavelengthrange AT kovtonyukvm technologyofmanufacturinggaasgunndiodesfortheshortmillimeterwavelengthrange AT nikolaienkoyue technologyofmanufacturinggaasgunndiodesfortheshortmillimeterwavelengthrange AT ivanovvn tehnologiâizgotovleniâgaasdiodovgannadlâdiapazonakorotkihmillimitrovyhdlinvoln AT kovtonyukvm tehnologiâizgotovleniâgaasdiodovgannadlâdiapazonakorotkihmillimitrovyhdlinvoln AT nikolaienkoyue tehnologiâizgotovleniâgaasdiodovgannadlâdiapazonakorotkihmillimitrovyhdlinvoln |