Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллимитровых длин волн
An AuGe–TiB2–Au contact to gallium arsenide has been developed, possessing the property of injecting hot electrons. The barrier height is 0.25 eV for GaAs with a carrier concentration of (0.3–1)·1016 cm–3. A diode package with a capacitance of 0.04 pF has been designed. The fabricated Gunn diodes pr...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.05 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Технология изготовления GaAs-диодов Ганна для диапазона коротких миллиметровых длин волн
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2006)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Ivanov, V. N., та інші
Опубліковано: (2007)
Диоды Ганна из InP с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны. Ч. 1. Межфазные взаимодействия в катодных контактах
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Boltovets, N. S., та інші
Опубліковано: (2010)
Формирование мезаструктур 4НSiC p–i–n-диодов методом ионно-плазменного травления
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
за авторством: Boltovets, M. S., та інші
Опубліковано: (2009)
Исследование термометрических характеристик GaP-диодов p+–n-типа
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Krasnov, V. A., та інші
Опубліковано: (2008)
Особенности формирования быстровосстанавливающихся кремниевых диодов
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Gorban, A. N., та інші
Опубліковано: (2008)
Характеристики варизонных AlInN диодов Ганна
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Кайдаш, М.В.
Опубліковано: (2013)
Коммутационные управляемые устройства на p–i–n-диодах миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Karushkin, N. F., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Karushkin, N. F., та інші
Опубліковано: (2016)
Свойства металлических контактов на пленках TiO2, изготовленных методом реактивного магнетронного распыления
за авторством: Brus, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Brus, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)
Повышение надежности диодов Шоттки при воздействии разрядов cтатического электричества
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Sоlоdukha, V. A., та інші
Опубліковано: (2012)
Резонансные частоты диодов Ганна на основе варизонных полупроводниковых нитридов
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Стороженко, И.П.
Опубліковано: (2012)
Confinement effects on decay rate of surface electron states over liquid helium
за авторством: Sokolov, S.S., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Sokolov, S.S., та інші
Опубліковано: (2008)
Photoresonance and conductivity of surface electrons on liquid ³He
за авторством: Konstantinov, D., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Konstantinov, D., та інші
Опубліковано: (2008)
Dynamical structure factor of two-dimensional electrons over a helium film
за авторством: Patricia Cristina Venturini, та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Patricia Cristina Venturini, та інші
Опубліковано: (2008)
Electron attachment to atomic hydrogen on the surface of liquid ⁴He
за авторством: Arai, T., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Arai, T., та інші
Опубліковано: (2008)
Формирование прозрачных омических контактов к р-GaN для светоизлучающих диодов
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Bosiy, V. I., та інші
Опубліковано: (2007)
Энергетические и частотные характеристики GaAs диодов Ганна с AlxGa1-xAs и GaPxAs1-x катодами
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2007)
Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Basanets, V. V., та інші
Опубліковано: (2015)
Режимы работы лавинно-генераторных диодов микроволнового диапазона
за авторством: Максимов, П.П.
Опубліковано: (2016)
за авторством: Максимов, П.П.
Опубліковано: (2016)
Динамика двухчастотных лавинно-генераторных диодов микроволнового диапазона
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Лукин, К.А., та інші
Опубліковано: (2015)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Вакив, Н.М., та інші
Опубліковано: (2010)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Vakiv, M. M., та інші
Опубліковано: (2010)
Тенденции развития клинотронов миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Лысенко, Е.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
за авторством: Лысенко, Е.Е., та інші
Опубліковано: (2008)
Радиотелескоп декаметрового диапазона длин волн УРАН-2
за авторством: Мень, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Мень, А.В., та інші
Опубліковано: (2003)
Активный смеситель сдвига частоты миллиметрового диапазона на диодах Ганна
за авторством: Плаксин, С.В., та інші
Опубліковано: (2005)
за авторством: Плаксин, С.В., та інші
Опубліковано: (2005)
Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Яковлев, И.В.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Яковлев, И.В.
Опубліковано: (2007)
Приемо-передающий радиолокационный модуль миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Зуйков, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
за авторством: Зуйков, В.А., та інші
Опубліковано: (2003)
Магнитный радиоспектроскопический комплекс «КВАРК» миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Недух, С.В.
Опубліковано: (2008)
за авторством: Недух, С.В.
Опубліковано: (2008)
Волноводно-микрополосковый переход 8-миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Yakovlev, I. V.
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yakovlev, I. V.
Опубліковано: (2007)
Моделирование электрических схем защиты с использованием силовых лавинных диодов Кравчина В. В., Нагорная Н. Н.
за авторством: Kravchina, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Kravchina, V. V., та інші
Опубліковано: (2010)
Перспективы использования диодов Ганна на основе GaN, AlN и InN
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Полупроводниковый генератор миллиметрового диапазона на запредельном волноводе
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Plaksin, S. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Диоды Ганна из GaAs с катодным контактом, инжектирующим горячие электроны
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Иванов, В.Н., та інші
Опубліковано: (2007)
Волноводный делитель 10-миллиметрового диапазона длин волн с развязанными выходами
за авторством: Yakovlev, I. V., та інші
Опубліковано: (2007)
за авторством: Yakovlev, I. V., та інші
Опубліковано: (2007)
Oscillation mode transformation of edge magnetoplasmons in two-dimensional electron system on liquid-helium surface
за авторством: Yamanaka, Shuji, та інші
Опубліковано: (2013)
за авторством: Yamanaka, Shuji, та інші
Опубліковано: (2013)
Низкочастотные аномалии эффективной массы заряженных кластеров в жидком гелии
за авторством: Шикин, В.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Шикин, В.
Опубліковано: (2013)
О резонансной частоте диодов Ганна на основе варизонных полупроводников AlGaAs, GaPAs и GaSbAs
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Стороженко, И.П., та інші
Опубліковано: (2011)
Подавление щелевого вида колебаний в коаксиальных магнетронах миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Омиров, А.А.
Опубліковано: (2013)
за авторством: Омиров, А.А.
Опубліковано: (2013)
О перспективах создания коаксиального магнетрона коротковолновой части миллиметрового диапазона длин волн
за авторством: Омиров, А.А.
Опубліковано: (2012)
за авторством: Омиров, А.А.
Опубліковано: (2012)
Проектирование схемы считывания для матриц ИК-фотодиодов среднего диапазона длин волн
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2004)
за авторством: Рева, В.П., та інші
Опубліковано: (2004)