Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона
Schemes of combined semiconductor inductors suitable for implementation as hybrid or semiconductor microcircuits have been developed. The use of dual-gate Schottky transistors makes it possible to realize semiconductor inductors with values of several nanohenries at frequencies of 18–20 GHz, with a...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.09 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1861499672227479552 |
|---|---|
| author | Filynyuk, N. А. Kuzemko, А. М. Jourban, Salech M. M. |
| author_facet | Filynyuk, N. А. Kuzemko, А. М. Jourban, Salech M. M. |
| author_sort | Filynyuk, N. А. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-03T20:26:29Z |
| description | Schemes of combined semiconductor inductors suitable for implementation as hybrid or semiconductor microcircuits have been developed. The use of dual-gate Schottky transistors makes it possible to realize semiconductor inductors with values of several nanohenries at frequencies of 18–20 GHz, with a temperature instability coefficient of 0.07 %·°C–1 in the temperature range of 0–40 °C. Unlike thin-film inductors, they exhibit higher inductance and quality factor, which are independent of geometric dimensions. |
| first_indexed | 2026-04-04T01:00:27Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-916 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-04T01:00:27Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9162026-04-03T20:26:29Z Semiconductor inductors for the microwave range Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона Filynyuk, N. А. Kuzemko, А. М. Jourban, Salech M. M. field-effect transistor negatron active inductor microwave integrated circuit полевой транзистор негатрон активная индуктивность СВЧ интегральная схема Schemes of combined semiconductor inductors suitable for implementation as hybrid or semiconductor microcircuits have been developed. The use of dual-gate Schottky transistors makes it possible to realize semiconductor inductors with values of several nanohenries at frequencies of 18–20 GHz, with a temperature instability coefficient of 0.07 %·°C–1 in the temperature range of 0–40 °C. Unlike thin-film inductors, they exhibit higher inductance and quality factor, which are independent of geometric dimensions. Разработаны схемы комбинированных полупроводниковых индуктивностей, пригодных для исполнения в виде гибридной или полупроводниковой микросхемы. Использование двухзатворных транзисторов Шоттки позволяет реализовать полупроводниковые индуктивности величиной в несколько наногенри на частоте 18–20 ГГц при коэффициенте температурной нестабильности 0,07 %·°С–1 в температурном диапазоне 0–40°С. В отличие от пленочных индуктивностей они обладают большей индуктивностью и добротностью, которая не зависит от геометрических размеров. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-10-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.09 Technology and design in electronic equipment; No. 5 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 9-13 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 9-13 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.09/844 Copyright (c) 2006 Filynyuk N. А., Kuzemko А. М., Salech M. M. Jourban http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | полевой транзистор негатрон активная индуктивность СВЧ интегральная схема Filynyuk, N. А. Kuzemko, А. М. Jourban, Salech M. M. Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона |
| title | Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона |
| title_alt | Semiconductor inductors for the microwave range |
| title_full | Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона |
| title_fullStr | Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона |
| title_full_unstemmed | Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона |
| title_short | Полупроводниковые индуктивности для СВЧ-диапазона |
| title_sort | полупроводниковые индуктивности для свч-диапазона |
| topic | полевой транзистор негатрон активная индуктивность СВЧ интегральная схема |
| topic_facet | field-effect transistor negatron active inductor microwave integrated circuit полевой транзистор негатрон активная индуктивность СВЧ интегральная схема |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.5.09 |
| work_keys_str_mv | AT filynyukna semiconductorinductorsforthemicrowaverange AT kuzemkoam semiconductorinductorsforthemicrowaverange AT jourbansalechmm semiconductorinductorsforthemicrowaverange AT filynyukna poluprovodnikovyeinduktivnostidlâsvčdiapazona AT kuzemkoam poluprovodnikovyeinduktivnostidlâsvčdiapazona AT jourbansalechmm poluprovodnikovyeinduktivnostidlâsvčdiapazona |