Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
The paper presents the results of development, optimization and improvement of p–i–n photodiode technology based on high-resistance p-type silicon with increased responsivity at a wavelength of 1060 nm. The optimal material was selected and the technological modes optimal for solving the set task we...
Збережено в:
| Дата: | 2020 |
|---|---|
| Автори: | , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2020
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.16 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
| Завантажити файл: |  |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1867569671175143424 |
|---|---|
| author | Kukurudziak , Mykola Andreeva, Olga Lipka, Volodymyr |
| author_facet | Kukurudziak , Mykola Andreeva, Olga Lipka, Volodymyr |
| author_institution_txt_mv | [
{
"author": "Mykola Kukurudziak ",
"institution": "Rhythm Optoelectronics Shareholding Company, Chernivtsy, Ukraine"
},
{
"author": "Olga Andreeva",
"institution": "Rhythm Optoelectronics Shareholding Company, Chernivtsy, Ukraine"
},
{
"author": "Volodymyr Lipka",
"institution": "Rhythm Optoelectronics Shareholding Company, Chernivtsy, Ukraine"
}
] |
| author_sort | Kukurudziak , Mykola |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-06-09T12:20:19Z |
| description | The paper presents the results of development, optimization and improvement of p–i–n photodiode technology based on high-resistance p-type silicon with increased responsivity at a wavelength of 1060 nm. The optimal material was selected and the technological modes optimal for solving the set task were established and worked out іn the course of research. |
| doi_str_mv | 10.15222/TKEA2020.5-6.16 |
| first_indexed | 2025-09-24T17:30:23Z |
| format | Article |
| fulltext |
Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2020, No 5–616 ISSN 2309-9992 (Online)
1
MODERN ELECTRONIC TECHNOLOGIES
УДК 535.23:628.98:535.31:621.383.52:537.312.51:631.382
M. S. KUKURUDZIAK, O. P. ANDREEVA, V. M. LIPKA
Ukraine, Chernivtsi, Rhythm Optoelectronics Shareholding Company
E-mail: mykola.kukurudzyak@gmail.com
HIGH-RESISTIVITY p-TYPE SILICON-BASED
p-i-n PHOTODIODE WITH HIGH RESPONSIVITY
AT THE WAVELENGTH OF 1060 nm
According to ISO 2047 [1], the near-infrared
(IR) region of the spectrum of optical radiation is
characterized by the spectral range from 780 to 3000 nm.
Various primary transducers are used to detect infrared
radiation in this region of spectrum.
To study the energy parameters of infrared radiation,
cavity and fl at heat fl ux converters are used [2], which
are nonselective and have high inertia. Devices and
thermoelectric transducers, which convert thermal
energy into electricity, are widely used as sensors of
thermal radiation [3]. Modules based on anisotropic
thermocouples are responsive parts of heat receivers.
Thermoelectrically homogeneous anisotropic single
crystals can be used to directly convert thermal energy
into electrical energy [4]. But, like cavity transducers,
they are non-selective and have high inertia.
Semiconductor-based photodetectors with a spectral
range of sensitivity corresponding to the above-men-
tioned spectral range are eff ective for solving the problem
of radiometry of the near-IR region of the spectrum [5].
One of the basic materials used in this fi eld of electronics
is silicon. The spectral sensitivity range of silicon
photodiodes is from 380 to 1100 nm with a peak spectral
response wavelength of 800—900 nm. This spectral
range is interesting because it is covered with most
infrared lasers and LEDs with operating wavelengths of
850, 900, 950, 1060 nm [6].
Obviously, increasing the responsivity of photodiodes
is a high-priority task, the solution of which offers
ample scope for optoelectronic equipment that uses such
photodiodes. In particular, there is a task to develop and
produce photodiodes with modulation-fl ux high current
monochromatic and pulse responsivity.
This work is dedicated to improving and testing
the process that would provide photodiodes based on
high-resistivity p-type silicon. Such photodiodes would
simultaneously have an increased current monochromatic
responsivity across the modulated fl ux (f = 20 ± 5 kHz) at
The paper presents the results of development, optimization and improvement of p–i–n photodiode technology based on
high-resistance p-type silicon with increased responsivity at a wavelength of 1060 nm. The optimal material was selected
and the technological modes optimal for solving the set task were established and worked out іn the course of research.
Keywords: photodiode, silicon, sensitivity, technological mode.
the operating voltage Uop = 30 V and a pulse responsivity
at the wavelength λ = 1060 nm (pulse duration τ = 500 ns),
at Uop= 120 V, namely, not less than 0.4 A/W.
We started by analyzing the parameters of high-
responsivity silicon p-i-n photodiodes manufactured
abroad. We established that products of Orion (PD 342,
Russia) [7] and Sensors Inc. (BPX 65, USA) [8] to be the
best in the fi eld. It was found that despite the increasing
need of the market for devices designed for λop= 1060 nm,
Sensors Inc. produces low-voltage photodiodes operating
at the wavelength of λop= 850 nm. And products of Orion
Sc&PrCo have relatively high dark currents (up to 7 μA)
and capacitance of photodiodes (up to 20 pF) at low-
current responsivity values (0.2 A/W), that cannot satisfy
the needs of customers of the market in full. Thus, the
analysis has shown that none of the known photodiodes
meets the requirements listed in the purpose of this work.
The research was conducted simultaneously on two
diff erent materials. The fi rst one (Si1) is a p-type silicon
with lifetime of minority charge carriers τ1 = 1400 μs
and resistivity ρ1 = 16 kОhm. The second one (Si2) had
the following parameters: τ2 = 1800 μs and ρ2 changing
from 14 kОhm at one end of the ingot to 25 kОhm at the
other end of the ingot. The wafers made from the second
ingot were monitored for resistance and launched into
production as two diff erent materials in order to collect
statistics on the dependence of the parameters of obtained
devices on the initial resistance of the material.
Methods of Measurements
Current monochromatic responsivity SІλ was
controlled by the method of comparing responsivity of
the investigated photodiode (PD) with the responsivity
of the reference one, which was certified by the
metrological department of the enterprise. Measurements
were performed under illumination of the PD with a
modulated radiation fl ux of fmod = 20 kHz and a power
of below 1·10–3 W. Load resistance of the responsive
DOI: 10.15222/TKEA2020.5-6.16
Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2020, No 5–6 17ISSN 2309-9992 (Online)
2
MODERN ELECTRONIC TECHNOLOGIES
element (RE) was RL = 10 kОhm and operating voltage
Uop = 30 V. Pulse responsivity Sp was controlled at pulse
durations τp = 500 ns and Uop = 120 V. Both the emitter
and the optical system were made to illuminate only one
PD responsive element. A voltmeter was used to measure
fi rst the voltage of the photosignal at the output of the
reference photodetector (Ust), and then, without changing
the power supply mode of the emitter, the voltage at the
output of the tested PD (Ui).
The current monochromatic and pulse responsivity
of the ith RE were calculated by the formulas:
Sі.Іλ = SІλ.stUi / Ust; (1)
Sі.p = Sp.stUi / Ust, (2)
where Ui is the photosignal voltage of the ith RE of the
tested PD;
Ust is the photovoltaic voltage of the reference PD;
SІλ.st, Sp.st are current monochromatic and pulse responsivity
of the reference PD.
Dark currents of the PD Id were measured at the
supply voltage of 120 V in accordance with GOST
17772-88, and their specifi c values were calculated by
the formula [9]
Іd.spec = Іd / АRЕ, (3)
where АRЕ is the area of the responsive element.
Experimental Details
The devices were manufactured using standard
planar technology [10]. Parameters were regulated and
technological modes were selected by optimizing and
establishing the thermal operations that would ensure
the required parameters.
Diff usion process is crucial in the technology of
manufacturing semiconductor devices. To obtain the
optimal concentration of non-basic charge carriers Nd,
we performed two-stage diff usion from solid phosphorus
sources.
After diff usion of phosphorus, the surface resistance
ρs of the wafers, dark currents Id, and resistivity Sp were
monitored in order to inspect the wafers for quality and
correct the technological process. The optimal values of
ρs were experimentally established to be
2,7 ≥ ρs ≥ 2,5 Оhm/sm (4)
At ρs ≥ 2.7 Ohm/sm, increase in Id was observed
above the set values.
When relation (4) was true for silicon type Si1, values
of Sp1 at the level of 0.3—0.35 A/W (Uop = 120 V) were
observed. For Si2 silicon type, values Sp2 were observed
at the level of 0.34—0.37 A/W (Uop = 120 V). Si2 material
(14 kOhm) under these conditions had a reduced level of
currents and Sp2 at the level of 0.25—0.27 A/W (0.3 A/W
at the PD output) after the diff usion of phosphorus. For
this reason, it was deemed advisable to test it any further.
To ensure the qualitative parameters of the PD, the
optimal bohr diffusion modes were experimentally
established for the maximum possible restoration of
charge carriers lifetime, which was reduced during the
previous thermal procedures.
Results and Discussion
Thus, the results of the study allowed establishing
that the photodiodes based on the selected materials and
manufactured by the proposed technology achieved the
following responsivity values:
— for Si1
Sp1 = 0.36—0,39 А/W ;
SІλ1 = 0.4—0,43 А/W ;
Іd.spec1 = 7—11 nA / mm2 (Uop = 120 V);
— for Si2
Sp2 = 0,38—0,42 А/W;
SІλ2 = 0.42—0,5 А/W;
Id.spec2 = 10—15 nA / mm2 (Uop = 120 V).
As to the RE of the photodiode crystal, the maximum
obtained value of the current monochromatic responsivity
SІλ2 = 0,52 А/W was reached for Si2. The capacitance of
the devices reached 11—15 pF for Si2, while for silicon
of the Si1 type it was slightly higher, which is, of course,
natural for a material with lower resistance.
The analysis of the results allowed establishing
statistical relationship between Sp and SІλ. The de-
vices with Sp = 0.36—0.39 A/W simultaneously pro-
vided SІλ = 0.43—0.45 A/W, while the devices with
Sp = 0.4—0.43 had SІλ = 0.46—0.5 A/W.
The obtained averaged curve of the dependence
of the current pulse monochromatic sensitivity on the
operating voltage at the p–n junction is shown in the
fi gure. It illustrates that the sensitivity in a material with
higher resistance is saturated at lower voltages than in
one with lower resistance. The Si2-based devices with
ρ ≈ 25 kОhm reach the maximum sensitivity values at
a voltage of 45—60 V. At Uop = 60—120 V, the value
of Sp remains unchanged. A slightly diff erent pattern is
A graph showing the dependence of the current pulse
monochromatic responsivity on the operating voltage at the
p–n junction obtained for silicon PDs with ρ ≤ 25 kОhm (1)
and ρ = 16 kОhm (2)
1
2
Sp, A/W
0.5
0.4
0.3
0.2
0.1
0
30 60 90 120 150 180 Uo, V
Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2020, No 5–618 ISSN 2309-9992 (Online)
3
MODERN ELECTRONIC TECHNOLOGIES
observed in Si1 with ρ1 = 16 kОhm. Here saturation is
achieved at 80—100 V. This is explained by the fact that
in a more resistive material, depletion of charge carriers
in the i-region occurs faster, i.e., at lower voltages.
Heavy doping of the extreme n+ and p+ layers makes
them conductive, and the maximum value of the electric
current is reached in the i-layer. But since there are no
free carriers in the i-layer, there is no electric current, so
due to radiation of the i-layer, free electron-hole pairs
are formed in it. These pairs quickly separate and move
in opposite directions to their electrodes. As a rule, not
all absorbed quanta of light create electron-hole pairs.
In order to take this fact into account, one should use
the measure of eff ectiveness of conversion of photons
into electric current, or the so-called quantum effi ciency
(quantum yield) of the photodetector.
Quantum effi ciency (output) of a photodiode is the
ratio of the number of electrons born per second to
the number of photons incident on the PD. Quantum
effi ciency (dimensionless quantity) is defi ned as [11]
(5)
where Nph is the number of photons falling on the detector
per unit time;
Ne is the number of free electrons (or electron-hole
pairs) born as a result;
Iph is photocurrent;
e is electron charge;
h is Planck constant;
ν is radiation frequency;
P is optical radiation power.
To create an electron-hole pair, the energy hν of the
absorbed quantum must be suffi cient for the transition
of an electron from the valence band to the conduction
band, i.e., the condition hν ≥ Eg must be met. The current
monochromatic sensitivity is defi ned as [12]
(6)
Given the maximum obtained value (for fi nished
devices) SІλ = 0,5 A/W, we derive that η ≈ 58%. According
to [11], this value is close to the theoretical limit.
Note that the radiation interaction is only eff ective in
the i-layer. When photons hit the р+ and n+ layers, they
produce diff usion current, which has high inertia and
impairs speed response.
That is why we manufactured the photodiodes with
as wide a space charge region as possible, so that it
could completely absorb all the incident light. After all,
the obtained quantum effi ciency, although approaching
the theoretical one, is not the maximum value, and this
result can still be improved.
REFERENCES
1. Optics and photonics — Spectral bands. ISO 20473: 2007.
ISO Focus № 5, 2007, 72 p. (ISO standard). https://www.iso.org/
standard/39482.html
2. Kmito A. A., Sklyarov Yu. A. Pirgeliometriya [Pyrgeliometry].
Leningrad, Gidrometizdat, 1981, 232 p. (Rus)
3. Pavlov A. V., Chernykov A. I. Priyemniki izlucheniya
avtomaticheskikh ustroystv [Receivers of radiation of automatic
devices]. Moscow, Energy, 1974, 274 p. (Rus)
4. Ashcheulov A. A., Snarsky A. A., Coats A. F. [Anisotropic
thermocouples]. Fizika i tekhnika poluprovodnikov, 1997, vol. 31,
no. 11, pp. 1281-1298. (Rus)
5. Verbytsky V. G., Vikulin I. M., Vorobienko P. P. et al.
Rozrobka vysokoefektyvnykh mikro-, nanotekhnolohiy optoelektroniky
i komunikatsiynykh system na yikh osnovi [Development of
highly effi cient micro-, nanotechnologies of optoelectronics and
communication systems based on them]. Kyiv, LOGOS, 2009,
302 p. (Ukr)
6. Vigdorovich E. N. Fizychni osnovy, konstruktsiya i tekhnolohiya
optoelektronnykh prystroyiv [Physical bases, design and technology
of optoelectronic devices]. MGUP, 2011, 205 p. (Ukr)
7. FD 342 Certifi cate. Orion Scientifi c and Production Company.
http://www.orion-ir.ru/ru/product.html
8. BPX 65 photodiode certifi cate. Sensors Inc. http://www.digikey.
com/product-detail/en/BPX%2065/BPX%2065-ND/2205355
9. GOST1772-88. [Radiation receivers. Semiconductor
photovoltaic and photodetector devices. Methods of measuring
photoelectric parameters and determination of characteristics].
Moscow. Izdatel'stvo standartov, 1988,158 p. (Rus)
10. Filachev A. M., Taubkin I. I., Trishenkov M. A. [Solid state
photoelectronics. Photodiodes]. Moskow, Fizmatkniga, 2011. (Rus)
11. Noikin Yu. M., Makhno P. V. Fizicheskiye osnovy opticheskoy
svyazi: elektronnoye uchebnoye posobiye [Physical bases of optical
communication: electronic textbook]. Rostov-on-Don, SFU, 2011,
355 p. (Rus)
12. P. K. Cheo. Volokonnaya optika: Pribory i sistemy [Fiber
optics: Devices and systems]. Moscow, Energoatomizdat, 1988,
280 p. (Rus)
Received 10.10 2020
Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature, 2020, No 5–6 19ISSN 2309-9992 (Online)
4
MODERN ELECTRONIC TECHNOLOGIES
Н. С. КУКУРУДЗЯК, О. П. АНДРЕЕВА, В. Н. ЛИПКА
Украина, г. Черновцы, ЦКБ «Ритм»
E-mail: mykola.kukurudzyak@gmail.com
p–i–n-ФОТОДИОД НА ОСНОВЕ ВИСОКООМНОГО КРЕМНИЯ p-ТИПА
С ПОВЫШЕННОЙ ЧУВСТВИТЕЛЬНОСТЬЮ НА ДЛИНЕ ВОЛНЫ 1060 нм
Представлены результаты разроботки, оптимизации и улучшения технологии p–i–n-фотодиода на основе вы-
сокоомного кремния р-типа с повышенной чувствительностью на длине волны 1060 нм. В процессе исследований
был подобран материал с оптимальным уровнем времени жизни неосновных носителей заряда и сопротивлением.
Установлены и отработаны оптимальные для решения поставленных задач технологические режимы,.
Предложены режимы диффузии фосфора, которые позволяют получить оптимальную концентрацию неосновных
носителей заряда. Для обеспечения качественных параметров фотодиодов экспериментально установлены режимы
диффузии бора для максимального восстановления времени жизни носителей заряда, который снижался в процессе
проведения термических операций. Сформулированы основные критерии выбора ширины n+- i p+-областей и обла-
сти пространственного заряда, соответствующей полному поглощению излучения.
Получены фотодиоды с повышенной токовой монохроматической импульсной чувствительностью и чувствитель-
ностью на модулированном потоке при обеспечении низких уровней темновых токов и емкости фоточувствитель-
ных элементов.Достигнута квантовая эффективность порядка 58%, что приближается к теоретическому пределу.
Ключевые слова: фотодиод, кремний, чувствительность, технологический режим.
DOI: 10.15222/TKEA2020.5-6.16
UDC 535.23:628.98:535.31:621.383.52:537.312.51:631.382
Опис статті для цитування:
Kukurudziak M. S., Andreeva O. P., Lipka V. M. High-resistivity
p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at
the wavelength of 1060 nm. Техно логия и конструи рование в
электронной аппаратуре, 2020, № 5–6, с. 16–19. http://dx.doi.
org/10.15222/TKEA2020.5-6.16
Cite the article as:
Kukurudziak M. S., Andreeva O. P., Lipka V. M. High-resistivity
p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at
the wavelength of 1060 nm. Tekhnologiya i Konstruirovanie v
Elektronnoi Apparature, 2020, no. 5–6, pp. 16–19. http://dx.doi.
org/10.15222/TKEA2020.5-6.16
М. С. КУКУРУДЗЯК, О. П. АНДРЄЄВА, В. М. ЛІПКА
Україна, м. Чернівці, ЦКБ «Ритм»
E-mail: mykola.kukurudzyak@gmail.com
p–i–n-ФОТОДІОД НА ОСНОВІ ВИСОКООМНОГО КРЕМНІЮ p-ТИПУ
З ПІДВИЩЕНОЮ ЧУТЛИВІСТЮ НА ДОВЖИНІ ХВИЛІ 1060 нм
Ефективними для вирішення завдань радіометрії ближньої ІЧ-області спектру — від 780 до 3000 нм — є фотоприймачі на
основі напівпровідників, спектральний діапазон чутливості яких відповідає зазначеному спектральному діапазону. Попри
потребу, на ринку відсутні фотодіоди з високою струмовою монохроматичною чутливістю на модульованому потоці та
імпульсною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм (не менше 0,4 А/Вт), які б характеризувалися низькими питомими тем-
новими струмами та ємністю.
Одним з основних використовуваних матеріалів в цій галузі електроніки є кремній. Спектральний діапазон чутливості
кремнієвих фотодіодів складає від 380 до 1100 нм з максимумом спектральної характеристики в області 800 — 900 нм.
В цьому діапазоні працює більшість ІЧ-лазерів та світлодіодів.
У цій статті представлено результати розробки, оптимізації та вдосконалення технології p–i–n-фотодіоду на
основі високоомного кремнію р-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм. В процесі досліджень
було підібрано матеріал з оптимальним рівнем часу життя неосновних носіїв заряду та опором. Встановлено і
відпрацьовано технологічні режими, оптимальні для вирішення поставленої задачі.
Запропоновано режими дифузії фосфора, які дозволяють отримати оптимальні концентрації неосновних носіїв за-
ряду. Для забезпечення якісних параметрів фотодіодів експериментально встановлено режими дифузії бора для мак-
симального відновлення часу життя носіїв заряду, який знижувався під час термічних операцій.
Сформульовано основні критерії ширини n+- та p+-областей та області просторового заряду для повного поглинан-
ня випромінювання.
Отримано фотодіоди з підвищеною струмовою монохроматичною імпульсною чутливістю та чутливістю на моду-
льованому потоці за умов забезпечення низьких рівнів темнових струмів та ємності фоточутливих елементів.
Досягнуто квантової ефективності порядку 58%, що наближається до теоретичної межі.
Ключові слова: фотодіод, кремній, чутливість, технологічний режим.
DOI: 10.15222/TKEA2020.5-6.16
УДК 535.23:628.98:535.31:621.383.52:537.312.51:631.382
|
| id | oai:tkea.com.ua:article-93 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | English |
| last_indexed | 2026-06-10T01:00:29Z |
| publishDate | 2020 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| resource_txt_mv | wwwtkeacomua/a5/fca9fa53bbcc1ef62b885746c9887ca5.pdf |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-932026-06-09T12:20:19Z High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм Kukurudziak , Mykola Andreeva, Olga Lipka, Volodymyr photodiode silicon sensitivity technological mode фотодіод кремній чутливість технологічний режим The paper presents the results of development, optimization and improvement of p–i–n photodiode technology based on high-resistance p-type silicon with increased responsivity at a wavelength of 1060 nm. The optimal material was selected and the technological modes optimal for solving the set task were established and worked out іn the course of research. Ефективними для вирішення завдань радіометрії ближньої ІЧ-області спектру — від 780 до 3000 нм — є фотоприймачі на основі напівпровідників, спектральний діапазон чутливості яких відповідає зазначеному спектральному діапазону. Попри потребу, на ринку відсутні фотодіоди з високою струмовою монохроматичною чутливістю на модульованому потоці та імпульсною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм (не менше 0,4 А/Вт), які б характеризувалися низькими питомими темновими струмами та ємністю.Одним з основних використовуваних матеріалів в цій галузі електроніки є кремній. Спектральний діапазон чутливості кремнієвих фотодіодів складає від 380 до 1100 нм з максимумом спектральної характеристики в області 800 — 900 нм. В цьому діапазоні працює більшість ІЧ-лазерів та світлодіодів.У цій статті представлено результати розробки, оптимізації та вдосконалення технології p–i–n-фотодіоду на основі високоомного кремнію р-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм. В процесі досліджень було підібрано матеріал з оптимальним рівнем часу життя неосновних носіїв заряду та опором. Встановлено і відпрацьовано технологічні режими, оптимальні для вирішення поставленої задачі.Запропоновано режими дифузії фосфора, які дозволяють отримати оптимальні концентрації неосновних носіїв заряду. Для забезпечення якісних параметрів фотодіодів експериментально встановлено режими дифузії бора для максимального відновлення часу життя носіїв заряду, який знижувався під час термічних операцій.Сформульовано основні критерії ширини n+- та p+-областей та області просторового заряду для повного поглинання випромінювання.Отримано фотодіоди з підвищеною струмовою монохроматичною імпульсною чутливістю та чутливістю на модульованому потоці за умов забезпечення низьких рівнів темнових струмів та ємності фоточутливих елементів.Досягнуто квантової ефективності порядку 58%, що наближається до теоретичної межі. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2020-12-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.16 10.15222/TKEA2020.5-6.16 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2020): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 16-19 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2020): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 16-19 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2020.5-6 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.16/84 Copyright (c) 2020 Mykola Kukurudziak , Olga Andreeva, Volodymyr Lipka http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | фотодіод кремній чутливість технологічний режим Kukurudziak , Mykola Andreeva, Olga Lipka, Volodymyr Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм |
| title | Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм |
| title_alt | High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm |
| title_full | Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм |
| title_fullStr | Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм |
| title_full_unstemmed | Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм |
| title_short | Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм |
| title_sort | р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм |
| topic | фотодіод кремній чутливість технологічний режим |
| topic_facet | photodiode silicon sensitivity technological mode фотодіод кремній чутливість технологічний режим |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.16 |
| work_keys_str_mv | AT kukurudziakmykola highresistivityptypesiliconbasedpinphotodiodewithhighresponsivityatthewavelengthof1060nm AT andreevaolga highresistivityptypesiliconbasedpinphotodiodewithhighresponsivityatthewavelengthof1060nm AT lipkavolodymyr highresistivityptypesiliconbasedpinphotodiodewithhighresponsivityatthewavelengthof1060nm AT kukurudziakmykola rinfotodíodnaosnovívisokoomnogokremníûptipuzpídviŝenoûčutlivístûnadovžiníhvilí1060nm AT andreevaolga rinfotodíodnaosnovívisokoomnogokremníûptipuzpídviŝenoûčutlivístûnadovžiníhvilí1060nm AT lipkavolodymyr rinfotodíodnaosnovívisokoomnogokremníûptipuzpídviŝenoûčutlivístûnadovžiníhvilí1060nm |