Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм

The paper presents the results of development, optimization and improvement of p–i–n photodiode technology based on high-resistance p-type silicon with increased responsivity at a wavelength of 1060 nm. The optimal material was selected and the technological modes optimal for solving the set task we...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2020
Hauptverfasser:	Kukurudziak , Mykola, Andreeva, Olga, Lipka, Volodymyr
Format:	Artikel
Sprache:	English
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2020
Schlagworte:	фотодіод кремній чутливість технологічний режим
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.16
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

id	oai:tkea.com.ua:article-93
record_format	ojs
spelling	oai:tkea.com.ua:article-932025-11-06T20:05:22Z High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм Kukurudziak , Mykola Andreeva, Olga Lipka, Volodymyr photodiode silicon sensitivity technological mode фотодіод кремній чутливість технологічний режим The paper presents the results of development, optimization and improvement of p–i–n photodiode technology based on high-resistance p-type silicon with increased responsivity at a wavelength of 1060 nm. The optimal material was selected and the technological modes optimal for solving the set task were established and worked out іn the course of research. Ефективними для вирішення завдань радіометрії ближньої ІЧ-області спектру — від 780 до 3000 нм — є фотоприймачі на основі напівпровідників, спектральний діапазон чутливості яких відповідає зазначеному спектральному діапазону. Попри потребу, на ринку відсутні фотодіоди з високою струмовою монохроматичною чутливістю на модульованому потоці та імпульсною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм (не менше 0,4 А/Вт), які б характеризувалися низькими питомими темновими струмами та ємністю.Одним з основних використовуваних матеріалів в цій галузі електроніки є кремній. Спектральний діапазон чутливості кремнієвих фотодіодів складає від 380 до 1100 нм з максимумом спектральної характеристики в області 800 — 900 нм. В цьому діапазоні працює більшість ІЧ-лазерів та світлодіодів.У цій статті представлено результати розробки, оптимізації та вдосконалення технології p–i–n-фотодіоду на основі високоомного кремнію р-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм. В процесі досліджень було підібрано матеріал з оптимальним рівнем часу життя неосновних носіїв заряду та опором. Встановлено і відпрацьовано технологічні режими, оптимальні для вирішення поставленої задачі.Запропоновано режими дифузії фосфора, які дозволяють отримати оптимальні концентрації неосновних носіїв заряду. Для забезпечення якісних параметрів фотодіодів експериментально встановлено режими дифузії бора для максимального відновлення часу життя носіїв заряду, який знижувався під час термічних операцій.Сформульовано основні критерії ширини n+- та p+-областей та області просторового заряду для повного поглинання випромінювання.Отримано фотодіоди з підвищеною струмовою монохроматичною імпульсною чутливістю та чутливістю на модульованому потоці за умов забезпечення низьких рівнів темнових струмів та ємності фоточутливих елементів.Досягнуто квантової ефективності порядку 58%, що наближається до теоретичної межі. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2020-12-27 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.16 10.15222/TKEA2020.5-6.16 Technology and design in electronic equipment; No. 5–6 (2020): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 16-19 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 5–6 (2020): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 16-19 3083-6549 3083-6530 10.15222/TKEA2020.5-6 en https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.16/84 Copyright (c) 2020 Mykola Kukurudziak , Olga Andreeva, Volodymyr Lipka http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/
institution	Technology and design in electronic equipment
baseUrl_str
datestamp_date	2025-11-06T20:05:22Z
collection	OJS
language	English
topic	фотодіод кремній чутливість технологічний режим
spellingShingle	фотодіод кремній чутливість технологічний режим Kukurudziak , Mykola Andreeva, Olga Lipka, Volodymyr Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
topic_facet	photodiode silicon sensitivity technological mode фотодіод кремній чутливість технологічний режим
format	Article
author	Kukurudziak , Mykola Andreeva, Olga Lipka, Volodymyr
author_facet	Kukurudziak , Mykola Andreeva, Olga Lipka, Volodymyr
author_sort	Kukurudziak , Mykola
title	Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
title_short	Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
title_full	Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
title_fullStr	Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
title_full_unstemmed	Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
title_sort	р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
title_alt	High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
description	The paper presents the results of development, optimization and improvement of p–i–n photodiode technology based on high-resistance p-type silicon with increased responsivity at a wavelength of 1060 nm. The optimal material was selected and the technological modes optimal for solving the set task were established and worked out іn the course of research.
publisher	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
publishDate	2020
url	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.16
work_keys_str_mv	AT kukurudziakmykola highresistivityptypesiliconbasedpinphotodiodewithhighresponsivityatthewavelengthof1060nm AT andreevaolga highresistivityptypesiliconbasedpinphotodiodewithhighresponsivityatthewavelengthof1060nm AT lipkavolodymyr highresistivityptypesiliconbasedpinphotodiodewithhighresponsivityatthewavelengthof1060nm AT kukurudziakmykola rinfotodíodnaosnovívisokoomnogokremníûptipuzpídviŝenoûčutlivístûnadovžiníhvilí1060nm AT andreevaolga rinfotodíodnaosnovívisokoomnogokremníûptipuzpídviŝenoûčutlivístûnadovžiníhvilí1060nm AT lipkavolodymyr rinfotodíodnaosnovívisokoomnogokremníûptipuzpídviŝenoûčutlivístûnadovžiníhvilí1060nm
first_indexed	2025-09-24T17:30:23Z
last_indexed	2025-11-07T03:05:41Z
_version_	1848099200741408768

Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм

Institution

Ähnliche Einträge