Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм
The paper presents the results of development, optimization and improvement of p–i–n photodiode technology based on high-resistance p-type silicon with increased responsivity at a wavelength of 1060 nm. The optimal material was selected and the technological modes optimal for solving the set task we...
Збережено в:
| Дата: | 2020 |
|---|---|
| Автори: | Kukurudziak , Mykola, Andreeva, Olga, Lipka, Volodymyr |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Англійська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2020
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.16 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentСхожі ресурси
Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2021)
Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2023)
Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
Максимально допустимий перегин пачкорду типу SM на довжині хвилі 1550нм
за авторством: Маркевич, П.В., та інші
Опубліковано: (2010)
за авторством: Маркевич, П.В., та інші
Опубліковано: (2010)
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)
Релаксація розподілу надлишкових неосновних носіїв заряду в макропористому кремнію
за авторством: Karachevtseva, L. A., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Karachevtseva, L. A., та інші
Опубліковано: (2018)
Створення двосторонніх структур макропористого кремнію з нанопокриттями для сонячних елементів
за авторством: Karachevtseva, L. A., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Karachevtseva, L. A., та інші
Опубліковано: (2021)
РОЗРОБКА ТЕРМОСТІЙКОГО МАТЕРІАЛУ НА ОСНОВІ НІТРИДУ КРЕМНІЮ З ПІДВИЩЕНОЮ ЗНОСОСТІЙКІСТЮ
за авторством: Івженко, B. B., та інші
Опубліковано: (2022)
за авторством: Івженко, B. B., та інші
Опубліковано: (2022)
Метод «очищення» поверхні фоточутливих елементів кремнієвих p-i-n фотодіодів від дислокацій
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023)
Інформаційно-вимірювальна система на базі датчиків з тензорезисторами на основі мікрокристалів кремнію
за авторством: Druzhinin, A. O., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Druzhinin, A. O., та інші
Опубліковано: (2018)
ПІДВИЩЕННЯ ПЛАСТИЧНОСТІ ВИСОКОМІЦНОГО ЧАВУНУ ВНУТРІШНЬОФОРМОВИМ МОДИФІКУВАННЯМ РОЗПЛАВУ ЗІ ЗМЕНШЕНИМ ВМІСТОМ КРЕМНІЮ: Procesi littâ, 2023, Vol 3 (153), 3-11
за авторством: Бубликов, В.Б., та інші
Опубліковано: (2023)
за авторством: Бубликов, В.Б., та інші
Опубліковано: (2023)
Вплив локального електричного поля на фотолюмінесценцію нанокристалів CdS на поверхні окиснених структур макропористого кремнію
за авторством: Karachevtseva, L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Karachevtseva, L., та інші
Опубліковано: (2015)
Особливість релаксації поверхневої фотопровідності в структурах макропористого кремнію у видимій області спектра
за авторством: Karas, N. I., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Karas, N. I., та інші
Опубліковано: (2020)
Квазінаправлені та фотонні моди в двовимірних структурах макропористого кремнію з нанопокриттями SiO2
за авторством: Karachevtseva, L., та інші
Опубліковано: (2015)
за авторством: Karachevtseva, L., та інші
Опубліковано: (2015)
1D та 2D поляритони в структурах макропористого кремнію з нанопокриттями
за авторством: Karachevtseva, L. A., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Karachevtseva, L. A., та інші
Опубліковано: (2021)
Новий підхід до підвищення чутливості газового сенсора на основі плівок нанокристалічного карбіду кремнію
за авторством: Semenov, Alexander, та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Semenov, Alexander, та інші
Опубліковано: (2021)
Розробка технології виготовлення сенсорних чипів з підвищеною чутливістю та покращеними фізико-механічними характеристиками для оптичних сенсорів на основі поверхневого плазмонного резонансу
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Данько, В.А., та інші
Опубліковано: (2017)
Дискретні фотоприймачі середньохвильового ІЧ-діапазону спектру на основі HgCdTe
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
за авторством: Tsybrii, Z. F., та інші
Опубліковано: (2017)
Промислові екосистеми і технологічний розвиток
за авторством: Soldak, Myroslava O.
Опубліковано: (2019)
за авторством: Soldak, Myroslava O.
Опубліковано: (2019)
Безпровідна система моніторингу деформацій з використанням тензорезисторів на основі ниткоподібних кристалів кремнію
за авторством: Druzhinin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Druzhinin, Anatoliy, та інші
Опубліковано: (2025)
Фотоприймальний пристрій підвищеної надійності та тривкості до фонової освітленості для FSO
за авторством: Lipka, Volodymyr, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Lipka, Volodymyr, та інші
Опубліковано: (2025)
ДО 90-РІЧЧЯ ЕЛЕКТРОТЕХНІЧНОГО ФАКУЛЬТЕТУ ХАРКІВСЬКОГО ТЕХНОЛОГІЧНОГО ІНСТИТУТУ. ВІДКРИТТЯ ПАМ'ЯТНИКА ПРОФЕСОРУ КОПНЯЄВУ П.П.
за авторством: Товажнянський, Л.Л., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Товажнянський, Л.Л., та інші
Опубліковано: (2011)
Силуміни для поршнів з високим вмістом кремнію: металознавчі аспекти, особливості виробництва та перспективи: Processy litʹâ, 2019, Tom 135, №3, p.14-32
за авторством: Сінчук, А. В., та інші
Опубліковано: (2019)
за авторством: Сінчук, А. В., та інші
Опубліковано: (2019)
КРИТЕРІЇ ФОРМУВАННЯ СПЕКТРАЛЬНИХ КАНАЛІВ ДЛЯ РЕАЛІЗАЦІЇ БАГАТОКАНАЛЬНИХ МЕТОДІВ ТЕРМОМЕТРІЇ ВИПРОМІНЕННЯ
за авторством: Гоц, Наталія Євгенівна
Опубліковано: (2012)
за авторством: Гоц, Наталія Євгенівна
Опубліковано: (2012)
ЗОНИ ЕФЕКТИВНОГО РЕГУЛЮВАННЯ НАПРУГИ ДЖЕРЕЛАМИ РОЗОСЕРЕДЖЕНОЇ ГЕНЕРАЦІЇ З ІНВЕРТОРНИМ ПРИЄДНАННЯМ У РОЗПОДІЛЬНІЙ ЕЛЕКТРИЧНІЙ МЕРЕЖІ
за авторством: Труніна, Г.О.
Опубліковано: (2014)
за авторством: Труніна, Г.О.
Опубліковано: (2014)
Оптимізація вмісту вуглецю і марганцю в сталі 110Г13Л: Processy litʹâ, 2020, Tom 142, №4, p.26-33
за авторством: Локтіонов-Ремізовський, В. А., та інші
Опубліковано: (2020)
за авторством: Локтіонов-Ремізовський, В. А., та інші
Опубліковано: (2020)
Поліпшення параметрів кремнієвих варикапів при використанні лазерного гетерування
за авторством: Vikulin, I. M., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Vikulin, I. M., та інші
Опубліковано: (2018)
Анализ структурно-химического состояния и классификация оксидных и металлических фаз системы кремний−кальций−барий−кислород. Сплавы силикокальцийбария. Сообщение 2
за авторством: Белов, Б.Ф., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Белов, Б.Ф., та інші
Опубліковано: (2018)
Створення хромової карбідосталі з підвищеною зносостійкістю
за авторством: Шевченко, О.М., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Шевченко, О.М., та інші
Опубліковано: (2012)
АСПЕКТИ ЕМУЛЯЦІЇ ТЕХНОЛОГІЧНИХ ОБ'ЄКТІВ ПРИ ФУНКЦІОНАЛЬНИХ ВИПРОБУВАННЯХ ЕЛЕКТРОМЕХАНІЧНИХ СИСТЕМ
за авторством: Ноженко , В.Ю., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Ноженко , В.Ю., та інші
Опубліковано: (2018)
ОСОБЛИВОСТІ ПЕРЕХІДНИХ ХАРАКТЕРИСТИК ВИМІРЮВАЛЬНИХ СИСТЕМ ВИСОКОВОЛЬТНИХ ІМПУЛЬСІВ ПРИ ЗНАЧНІЙ ДОВЖИНІ КАБЕЛЬНОГО ПРИЄДНАННЯ
за авторством: Бржезицький, В.О., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Бржезицький, В.О., та інші
Опубліковано: (2012)
Особливості перехідних характеристик вимірювальних систем високовольтних імпульсів при значній довжині кабельного приєднання
за авторством: Бржезицький, В.О., та інші
Опубліковано: (2012)
за авторством: Бржезицький, В.О., та інші
Опубліковано: (2012)
Дослідження динамічних ВАХ Si-фотодіодів в області малих струмів за допомогою комп’ютеризованого вимірювального комплексу
за авторством: Kshevetskyi, Oleg, та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Kshevetskyi, Oleg, та інші
Опубліковано: (2025)
ПІДВИЩЕННЯ СТІЙКОСТІ ДО ДІЇ ШУМІВ І ІНДУСТРІАЛЬНИХ ЗАВАД ВИСОКОЧУТЛИВИХ ВИМІРЮВАЛЬНИХ КАНАЛІВ СЕНСОРНИХ СИСТЕМ
за авторством: Мельник, В.Г., та інші
Опубліковано: (2021)
за авторством: Мельник, В.Г., та інші
Опубліковано: (2021)
Оцінка зміни текстури поверхні кремнію під дією магнітного поля та високотемпературної пластичної деформації за допомогою фрактального аналізу
за авторством: Krit, O.M., та інші
Опубліковано: (2025)
за авторством: Krit, O.M., та інші
Опубліковано: (2025)
Розв’язання задач з підвищеною точністю обчислень
за авторством: Опанасенко, В.М., та інші
Опубліковано: (2011)
за авторством: Опанасенко, В.М., та інші
Опубліковано: (2011)
Дифузійне фазоутворення в нанорозмірних шаруватих плівкових композиціях Pt(15 нм)/Fe(15 нм) і (Pt(7,5 нм)/Fe(7,5 нм))₂ на підкладках SiO₂(100 нм)/Si(001)
за авторством: Макогон, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2014)
за авторством: Макогон, Ю.Н., та інші
Опубліковано: (2014)
Розсіювання акустичної хвилі порою
за авторством: Нагорний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
за авторством: Нагорний, В.П., та інші
Опубліковано: (2016)
ОСНОВНІ ТЕНДЕНЦІЇ РОЗВИТКУ ЕНЕРГЕТИКИ УКРАЇНИ
за авторством: Карп, І.М.
Опубліковано: (2018)
за авторством: Карп, І.М.
Опубліковано: (2018)
Зміна провідності структур «пористий кремній з наночастинками срібла — кремній» при детектуванні перекису водню
за авторством: Kutova, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
за авторством: Kutova, O. Yu., та інші
Опубліковано: (2018)
Схожі ресурси
-
Кремнієвий p–i–n-фотодіод із підвищеною імпульсною чутливістю
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2021) -
Утворення дефектів на поверхні Si-підкладок в процесі термічного напилення золота
за авторством: Kukurudziak, Mykola, та інші
Опубліковано: (2023) -
Проблеми хіміко-динамічного полірування в технології кремнієвих p-i-n фотодіодів
за авторством: Kukurudziak, M. S.
Опубліковано: (2023) -
Максимально допустимий перегин пачкорду типу SM на довжині хвилі 1550нм
за авторством: Маркевич, П.В., та інші
Опубліковано: (2010) -
High-resistivity p-type silicon-based p-i-n photodiode with high responsivity at the wavelength of 1060 nm
за авторством: M. S. Kukurudziak, та інші
Опубліковано: (2020)