Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs
It is shown that for Schottky-barrier field-effect transistors based on three-layer GaAs structures (film – buffer layer – substrate), the parameter spread caused by the nonuniform distribution of deep centers across the wafer can be characterized by a single quantity: the effective concentration of...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.36 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1861862057549234177 |
|---|---|
| author | Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. |
| author_facet | Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. |
| author_sort | Gorev, N. B. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-07T20:25:51Z |
| description | It is shown that for Schottky-barrier field-effect transistors based on three-layer GaAs structures (film – buffer layer – substrate), the parameter spread caused by the nonuniform distribution of deep centers across the wafer can be characterized by a single quantity: the effective concentration of unoccupied deep centers at the film – buffer layer interface. This parameter reflects the integral influence of deep centers in both the buffer layer and the substrate on current transport in the film and can be determined from the low-frequency capacitance–voltage characteristic. |
| first_indexed | 2026-04-08T01:00:24Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-939 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-08T01:00:24Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9392026-04-07T20:25:51Z Prediction of parameter variation in Schottky barrier field effect transistors on GaAs Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. gallium arsenide field-effect transistor Schottky barrier deep centers saturation current transconductance cutoff voltage parameter spread арсенид галлия полевой транзистор барьер Шоттки глубокие центры ток насыщения крутизна напряжение отсечки разброс параметров It is shown that for Schottky-barrier field-effect transistors based on three-layer GaAs structures (film – buffer layer – substrate), the parameter spread caused by the nonuniform distribution of deep centers across the wafer can be characterized by a single quantity: the effective concentration of unoccupied deep centers at the film – buffer layer interface. This parameter reflects the integral influence of deep centers in both the buffer layer and the substrate on current transport in the film and can be determined from the low-frequency capacitance–voltage characteristic. Показано, что в случае полевых транзисторов с барьером Шоттки на трехслойных структурах GaAs (пленка — буферный слой — подложка) о разбросе параметров транзисторов, вызванном неоднородным распределением глубоких центров по пластине, можно судить по одной величине, а именно, по эффективной концентрации незаполненных глубоких центров на границе "пленка — буферный слой", которая характеризует интегральное влияние глубоких центров в буферном слое и подложке на токоперенос в пленке и может быть определена из низкочастотной вольт-фарадной характеристики. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-08-31 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.36 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 36-39 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 36-39 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.36/851 Copyright (c) 2006 N. B. Gorev, I. F. Kodzhespirova, E. N. Privalov http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | арсенид галлия полевой транзистор барьер Шоттки глубокие центры ток насыщения крутизна напряжение отсечки разброс параметров Gorev, N. B. Kodzhespirova, I. F. Privalov, E. N. Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_alt | Prediction of parameter variation in Schottky barrier field effect transistors on GaAs |
| title_full | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_fullStr | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_full_unstemmed | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_short | Прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером Шоттки на GaAs |
| title_sort | прогнозирование разброса параметров полевых транзисторов с барьером шоттки на gaas |
| topic | арсенид галлия полевой транзистор барьер Шоттки глубокие центры ток насыщения крутизна напряжение отсечки разброс параметров |
| topic_facet | gallium arsenide field-effect transistor Schottky barrier deep centers saturation current transconductance cutoff voltage parameter spread арсенид галлия полевой транзистор барьер Шоттки глубокие центры ток насыщения крутизна напряжение отсечки разброс параметров |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.36 |
| work_keys_str_mv | AT gorevnb predictionofparametervariationinschottkybarrierfieldeffecttransistorsongaas AT kodzhespirovaif predictionofparametervariationinschottkybarrierfieldeffecttransistorsongaas AT privaloven predictionofparametervariationinschottkybarrierfieldeffecttransistorsongaas AT gorevnb prognozirovanierazbrosaparametrovpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT kodzhespirovaif prognozirovanierazbrosaparametrovpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas AT privaloven prognozirovanierazbrosaparametrovpolevyhtranzistorovsbarʹeromšottkinagaas |