Р–i–n-фотодіод на основі високоомного кремнію p-типу з підвищеною чутливістю на довжині хвилі 1060 нм

• Datum: 2020
• Hauptverfasser: Kukurudziak , Mykola, Andreeva, Olga, Lipka, Volodymyr
• Format: Artikel
• Sprache: English
• Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2020
• Schlagworte: фотодіод; кремній; чутливість; технологічний режим
• Online Zugang: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2020.5-6.16
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

The paper presents the results of development, optimization and improvement of p–i–n photodiode technology based on high-resistance p-type silicon with increased responsivity at a wavelength of 1060 nm. The optimal material was selected and the technological modes optimal for solving the set task we...