Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод
A design of a silicon p–i–n photodiode crystal thermostabilized by a Peltier thermoelectric module is proposed and investigated. It is shown that such a design allows the noise current density to remain practically unchanged within the temperature range of 20–85 °C.
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.39 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1861862057463250944 |
|---|---|
| author | Dobrovolsky, Yu. G. |
| author_facet | Dobrovolsky, Yu. G. |
| author_sort | Dobrovolsky, Yu. G. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-07T20:25:22Z |
| description | A design of a silicon p–i–n photodiode crystal thermostabilized by a Peltier thermoelectric module is proposed and investigated. It is shown that such a design allows the noise current density to remain practically unchanged within the temperature range of 20–85 °C. |
| first_indexed | 2026-04-08T01:00:24Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-940 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-08T01:00:24Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9402026-04-07T20:25:22Z Silicon thermostabilized p–i–n photodiode Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод Dobrovolsky, Yu. G. photodiode silicon thermostabilization thermoelectric module dark current noise current фотодиод кремний термостатирование термоэлектрический модуль темновой ток ток шума A design of a silicon p–i–n photodiode crystal thermostabilized by a Peltier thermoelectric module is proposed and investigated. It is shown that such a design allows the noise current density to remain practically unchanged within the temperature range of 20–85 °C. Предложена и исследована конструкция кристалла кремниевого p–і–n-фотодиода, термостатированного термоэлектрическим модулем Пельтье. Показано, что такая конструкция позволяет сохранить практически неизменной плотность тока шума в диапазоне температур 20—85°С. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-08-31 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.39 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 39-41 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 39-41 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.39/852 Copyright (c) 2006 Dobrovolsky Yu. G. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | фотодиод кремний термостатирование термоэлектрический модуль темновой ток ток шума Dobrovolsky, Yu. G. Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_alt | Silicon thermostabilized p–i–n photodiode |
| title_full | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_fullStr | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_full_unstemmed | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_short | Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| title_sort | кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод |
| topic | фотодиод кремний термостатирование термоэлектрический модуль темновой ток ток шума |
| topic_facet | photodiode silicon thermostabilization thermoelectric module dark current noise current фотодиод кремний термостатирование термоэлектрический модуль темновой ток ток шума |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.39 |
| work_keys_str_mv | AT dobrovolskyyug siliconthermostabilizedpinphotodiode AT dobrovolskyyug kremnievyjtermostatirovannyjpinfotodiod |