Кремниевый термостатированный p–i–n-фотодиод

A design of a silicon p–i–n photodiode crystal thermostabilized by a Peltier thermoelectric module is proposed and investigated. It is shown that such a design allows the noise current density to remain practically unchanged within the temperature range of 20–85 °C.

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Bibliographische Detailangaben
Datum:2006
1. Verfasser: Dobrovolsky, Yu. G.
Format: Artikel
Sprache:Ukrainisch
Veröffentlicht: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Schlagworte:
Online Zugang:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.39
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Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

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