Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
A method for obtaining an abrupt p–n junction by liquid-phase epitaxy is presented. It consists in the growth of a thin intermediate p-type layer on a heavily doped p+ substrate, followed by the growth of an n-type layer from a melt cooled at a decreasing rate.
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , , , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.59 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1861862057548185600 |
|---|---|
| author | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Yuldashev, Sh.Sh. Boltaeva, Sh. Sh. |
| author_facet | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Yuldashev, Sh.Sh. Boltaeva, Sh. Sh. |
| author_sort | Karimov, A. V. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-07T20:22:32Z |
| description | A method for obtaining an abrupt p–n junction by liquid-phase epitaxy is presented. It consists in the growth of a thin intermediate p-type layer on a heavily doped p+ substrate, followed by the growth of an n-type layer from a melt cooled at a decreasing rate. |
| first_indexed | 2026-04-08T01:00:24Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-946 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-08T01:00:24Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9462026-04-07T20:22:32Z Physico-technological foundations for obtaining an abrupt p–n junction Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Yuldashev, Sh.Sh. Boltaeva, Sh. Sh. abrupt p–n junction liquid-phase epitaxy intermediate layer solution–melt cooling резкий p–n-переход жидкостная эпитаксия промежуточный слой раствор-расплав охлаждение A method for obtaining an abrupt p–n junction by liquid-phase epitaxy is presented. It consists in the growth of a thin intermediate p-type layer on a heavily doped p+ substrate, followed by the growth of an n-type layer from a melt cooled at a decreasing rate. Приведен способ получения резкого p–n-перехода методом жидкостной эпитаксии, заключающийся в выращивании тонкого промежуточного слоя p-типа проводимости на сильнолегированной p+-подложке, а затем слоя n-типа проводимости из расплава, охлаждаемого с уменьшающейся скоростью. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-08-31 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.59 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 59-60 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 59-60 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.59/858 Copyright (c) 2006 Karimov A. V., Yodgorova D. M., Yuldashev Sh.Sh., Boltaeva Sh. Sh. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | резкий p–n-переход жидкостная эпитаксия промежуточный слой раствор-расплав охлаждение Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Yuldashev, Sh.Sh. Boltaeva, Sh. Sh. Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_alt | Physico-technological foundations for obtaining an abrupt p–n junction |
| title_full | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_fullStr | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_full_unstemmed | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_short | Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| title_sort | физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода |
| topic | резкий p–n-переход жидкостная эпитаксия промежуточный слой раствор-расплав охлаждение |
| topic_facet | abrupt p–n junction liquid-phase epitaxy intermediate layer solution–melt cooling резкий p–n-переход жидкостная эпитаксия промежуточный слой раствор-расплав охлаждение |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.59 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav physicotechnologicalfoundationsforobtaininganabruptpnjunction AT yodgorovadm physicotechnologicalfoundationsforobtaininganabruptpnjunction AT yuldashevshsh physicotechnologicalfoundationsforobtaininganabruptpnjunction AT boltaevashsh physicotechnologicalfoundationsforobtaininganabruptpnjunction AT karimovav fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda AT yodgorovadm fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda AT yuldashevshsh fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda AT boltaevashsh fizikotehnologičeskieosnovypolučeniârezkogopnperehoda |