Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
The effect of atomic hydrogen on silicon single crystals was investigated at 300–310 K, with a chamber pressure of 20 Pa and an atomic hydrogen concentration of about 1019 m–1. Silicon samples of both conductivity types, including n-type Si with (100) and (111) orientations, were treated in an atomi...
Saved in:
| Date: | 2006 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.61 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1861862057527214080 |
|---|---|
| author | Zhavzharov, E. L. Matushin, V. M. |
| author_facet | Zhavzharov, E. L. Matushin, V. M. |
| author_sort | Zhavzharov, E. L. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-07T20:22:09Z |
| description | The effect of atomic hydrogen on silicon single crystals was investigated at 300–310 K, with a chamber pressure of 20 Pa and an atomic hydrogen concentration of about 1019 m–1. Silicon samples of both conductivity types, including n-type Si with (100) and (111) orientations, were treated in an atomic hydrogen environment for 30–720 s. It was shown that exposure to atomic hydrogen leads to changes in the electrophysical parameters of silicon crystals and of metal–semiconductor structures fabricated on their basis. A physical mechanism explaining the observed results is proposed. |
| first_indexed | 2026-04-08T01:00:24Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-947 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-08T01:00:24Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9472026-04-07T20:22:09Z Interaction of atomic hydrogen with the surface of silicon single crystals Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния Zhavzharov, E. L. Matushin, V. M. silicon surface atomic hydrogen surface potential metal–semiconductor structure кремний поверхность атомарный водород потенциал поверхности структура The effect of atomic hydrogen on silicon single crystals was investigated at 300–310 K, with a chamber pressure of 20 Pa and an atomic hydrogen concentration of about 1019 m–1. Silicon samples of both conductivity types, including n-type Si with (100) and (111) orientations, were treated in an atomic hydrogen environment for 30–720 s. It was shown that exposure to atomic hydrogen leads to changes in the electrophysical parameters of silicon crystals and of metal–semiconductor structures fabricated on their basis. A physical mechanism explaining the observed results is proposed. Исследовалось влияние атомарного водорода на монокристаллы кремния при комнатных температурах, давлении в рабочей камере 20 Па и концентрациях атомарного водорода 1019 м–3. Образцы кремния разного типа проводимости с разной ориентацией обрабатывались в среде атомарного водорода в течение 30—720 с. Показано, что воздействие атомарного водорода приводит к изменению электрофизических параметров кристаллов кремния, а также изготовленных на их основе структур "металл—полупроводник". Предложен физический механизм, объясняющий результаты исследований. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-08-31 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.61 Technology and design in electronic equipment; No. 4 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 61-64 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 4 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 61-64 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.61/859 Copyright (c) 2006 Zhavzharov E. L., Matushin V. M. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | кремний поверхность атомарный водород потенциал поверхности структура Zhavzharov, E. L. Matushin, V. M. Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния |
| title | Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния |
| title_alt | Interaction of atomic hydrogen with the surface of silicon single crystals |
| title_full | Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния |
| title_fullStr | Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния |
| title_full_unstemmed | Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния |
| title_short | Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния |
| title_sort | взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния |
| topic | кремний поверхность атомарный водород потенциал поверхности структура |
| topic_facet | silicon surface atomic hydrogen surface potential metal–semiconductor structure кремний поверхность атомарный водород потенциал поверхности структура |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.61 |
| work_keys_str_mv | AT zhavzharovel interactionofatomichydrogenwiththesurfaceofsiliconsinglecrystals AT matushinvm interactionofatomichydrogenwiththesurfaceofsiliconsinglecrystals AT zhavzharovel vzaimodejstvieatomarnogovodorodaspoverhnostʹûmonokristallovkremniâ AT matushinvm vzaimodejstvieatomarnogovodorodaspoverhnostʹûmonokristallovkremniâ |