Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
The effect of atomic hydrogen on silicon single crystals was investigated at 300–310 K, with a chamber pressure of 20 Pa and an atomic hydrogen concentration of about 1019 m–1. Silicon samples of both conductivity types, including n-type Si with (100) and (111) orientations, were treated in an atomi...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.4.61 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |