Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
The main global trends in the development of high-brightness light-emitting diodes are considered. According to these trends, by 2012 the luminous efficacy of light sources based on white LEDs will exceed that of incandescent lamps by a factor of 100. Considerable attention is given to methods of ob...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Struhljak, N. Ja., Zajachuk, D. M., Krukovsky, S. I., Bosyi, V. I. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.3.03 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Выращивание гетероструктур GaSb/InAs жидкофазной эпитаксией без растворения подложки
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2003)
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2003)
Светоизлучающие диоды белого света: состояние и основные тенденции развития
von: Струхляк, Н.Я., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Струхляк, Н.Я., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Предэпитаксиальная обработка подложек GaSb для жидкофазного выращивания гомоэпитаксиальных слоев
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Andronova, О. V., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Формирование МОП-транзисторов с изоляцией активных элементов окисленным пористым кремнием
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Novosyadlyi, S. P., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Обобщенный теоретический подход к анализу газофазных процессов эпитаксии
von: Voronin, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Voronin, V. O., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Гетероструктуры на основе GaAs с квантовыми точками InAs для фотоэлектрических преобразователей
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Maronchuk, I. E., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Метод жидкофазной эпитаксии толстых слоев
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Dranchuk, S. N., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Комбинированный способ выращивания эпитаксиальных слоев полупроводниковых соединений A³B⁵
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование спектров фотолюминесценции низкоразмерных структур InSb, сформированных в матрице GaSb
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Andronova, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Корреляция параметров арсенид-галлиевых эпитаксиальных слоев и технологии их выращивания
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Массоперенос при жидкофазной эпитаксии двухслойных систем
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Dranchuk, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Получение арсенид-галлиевых структур силовых биполярных и полевых транзисторов методом газофазной эпитаксии
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Оптимизация распределения концентрации носителей по толщине эпитаксиальных слоев
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Формирование гетероструктур GaTe/CdSe для использования в солнечных элементах
von: Balitskii, О. A.
Veröffentlicht: (2005)
von: Balitskii, О. A.
Veröffentlicht: (2005)
Новые конструктивно-технологические решения светодиодных модулей для ламп-ретрофитов
von: Borshchov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Borshchov, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Охлаждение светодиодного модуля с помощью различных теплоотводов
von: Naumova, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Naumova, A. M., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Закономерности деградации светоизлучающих диодов
von: Vikulin, I. М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Vikulin, I. М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Оптимизация геометрических характеристик p–n-структур для оптоэлектроники
von: Vikulin, I. М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Vikulin, I. М., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Тепловые режимы системы охлаждения светодиодного светильника на основе тепловой трубы
von: Rassamakin, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Rassamakin, A. B., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Слаботочные диоды Ганна на основе арсенида галлия для КВЧ-аппаратов
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Yatsunenko, A. G., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Матричный светодиодный излучатель для фотодинамической терапии
von: Denysov, M. O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Denysov, M. O., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Органические светоизлучающие структуры — технологии XXI века
von: Sorokin, V. M, et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Sorokin, V. M, et al.
Veröffentlicht: (2009)
Органические светоизлучающие структуры — технологии XXI века
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Сорокин, В.М., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Экспресс-метод определения наименьшей разницы цветов испытуемого люмино-фора и белого света
von: Хмиль, Д.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Хмиль, Д.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Особенности фотоэлектрических характеристик фотоэлектропреобразовательных структур
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Дифференциальная диагностика отеков легких у новорожденных
von: Вороньжев, И.А.
Veröffentlicht: (2007)
von: Вороньжев, И.А.
Veröffentlicht: (2007)
Ультразвуковые и морфологические сопоставления при дегенеративных заболеваниях межпозвонковых дисков поясничного отдела позвоночника
von: Пономаренко, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Пономаренко, С.А., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Клиническая и ультразвуковая оценка эффективности фитоселективной терапии неспецифических эндоцервицитов у женщин репродуктивного возраста
von: Абдуллаев, Р.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Абдуллаев, Р.Я., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Оценка хелаторной терапии десфералом при гомозиготной β-талассемии у детей по данным комплексного эхокардиографического исследования
von: Гусейнова, Дж.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Гусейнова, Дж.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Дуплексное сканирование при подвывихе атланта у детей
von: Абдуллаев, Р.Я., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Абдуллаев, Р.Я., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Высокие технологии ультразвукового сканирования в определении поражения регионарных лимфатических узлов при саркомах мягких тканей
von: Головко, Т.С.
Veröffentlicht: (2005)
von: Головко, Т.С.
Veröffentlicht: (2005)
Роль узи в изучении репродуктивной функции женщины
von: Сысун, Л.А.
Veröffentlicht: (2007)
von: Сысун, Л.А.
Veröffentlicht: (2007)
Ультразвуковая диагностика повреждений периферических нервов при боевой травме
von: Гречанык, Е.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Гречанык, Е.И., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Ähnliche Einträge
-
Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013) -
Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014) -
Химическое осаждение из газовой фази гетеро- и наноструктур соединений III–V
von: Voronin, V. A., et al.
Veröffentlicht: (2008) -
Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Получение поверхностно-барьерных структур на основе четырехкомпонентных твердых растворов А4В6
von: Tkachuk, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)