Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах
The spectral photosensitivity and current transport mechanisms in two-barrier p(Al0,08Ga0,82)In0,1As-nGaAs:О-Au structures at room temperature have been investigated. It is shown that, depending on the operating mode, both tunnel-injection and generation-injection currents occur. The st...
Saved in:
| Date: | 2006 |
|---|---|
| Main Authors: | , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.3.40 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862043265168048128 |
|---|---|
| author | Yodgorova, D. М. Ashrapov, F. M. |
| author_facet | Yodgorova, D. М. Ashrapov, F. M. |
| author_sort | Yodgorova, D. М. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-09T19:55:25Z |
| description | The spectral photosensitivity and current transport mechanisms in two-barrier p(Al0,08Ga0,82)In0,1As-nGaAs:О-Au structures at room temperature have been investigated. It is shown that, depending on the operating mode, both tunnel-injection and generation-injection currents occur. The studied two-sided photosensitive structure, which remains functional under either polarity of the applied voltage, is of interest for the detection and processing of optical signals in the visible (λ = 0.5–0.9 μm, λ = 0.9–1.0 μm) and near-infrared (λ = 1.0–1.4 μm, λ = 1.4–1.6 μm) spectral ranges, which are promising for optoelectronic applications. |
| first_indexed | 2026-04-10T01:00:37Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-957 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-10T01:00:37Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9572026-04-09T19:55:25Z Investigation of the impurity photoeffect in two-barrier p–n–m structures Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах Yodgorova, D. М. Ashrapov, F. M. two-barrier structure impurity photosensitivity tunnel-injection generation-injection exponent двухбарьерная структура примесная фоточувствительность туннельно-инжекционный генерационно-инжекционный показатель степени The spectral photosensitivity and current transport mechanisms in two-barrier p(Al0,08Ga0,82)In0,1As-nGaAs:О-Au structures at room temperature have been investigated. It is shown that, depending on the operating mode, both tunnel-injection and generation-injection currents occur. The studied two-sided photosensitive structure, which remains functional under either polarity of the applied voltage, is of interest for the detection and processing of optical signals in the visible (λ = 0.5–0.9 μm, λ = 0.9–1.0 μm) and near-infrared (λ = 1.0–1.4 μm, λ = 1.4–1.6 μm) spectral ranges, which are promising for optoelectronic applications. Исследованы спектральная фоточувствительность и механизмы токопереноса в двухбарьерных p(Al0,08Ga0,82)In0,1As-nGaAs:О-Au-структурах при комнатной температуре. Показано, что в зависимости от режима включения имеют место туннельно-инжекционный и генерационно-инжекционный токи. Исследованная двухсторонне чувствительная и работоспособная при любой полярности рабочего напряжения двухбарьерная структура представляет интерес для приема и обработки оптических сигналов в видимой (λ=0,5…0,9 мкм, λ=0,9…1,0 мкм) и ближней ИК (λ=1,0…1,4 мкм, λ=1,4…1,6 мкм) областях спектра, перспективных для оптоэлектроники. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-06-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.3.40 Technology and design in electronic equipment; No. 3 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 40-47 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 3 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 40-47 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.3.40/869 Copyright (c) 2006 D. М. Yodgorova, F. M. Ashrapov http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | двухбарьерная структура примесная фоточувствительность туннельно-инжекционный генерационно-инжекционный показатель степени Yodgorova, D. М. Ashrapov, F. M. Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах |
| title | Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах |
| title_alt | Investigation of the impurity photoeffect in two-barrier p–n–m structures |
| title_full | Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах |
| title_fullStr | Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах |
| title_full_unstemmed | Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах |
| title_short | Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах |
| title_sort | исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах |
| topic | двухбарьерная структура примесная фоточувствительность туннельно-инжекционный генерационно-инжекционный показатель степени |
| topic_facet | two-barrier structure impurity photosensitivity tunnel-injection generation-injection exponent двухбарьерная структура примесная фоточувствительность туннельно-инжекционный генерационно-инжекционный показатель степени |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.3.40 |
| work_keys_str_mv | AT yodgorovadm investigationoftheimpurityphotoeffectintwobarrierpnmstructures AT ashrapovfm investigationoftheimpurityphotoeffectintwobarrierpnmstructures AT yodgorovadm issledovanieprimesnogofotoéffektavdvuhbarʹernyhpnmstrukturah AT ashrapovfm issledovanieprimesnogofotoéffektavdvuhbarʹernyhpnmstrukturah |