Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах
The spectral photosensitivity and current transport mechanisms in two-barrier p(Al0,08Ga0,82)In0,1As-nGaAs:О-Au structures at room temperature have been investigated. It is shown that, depending on the operating mode, both tunnel-injection and generation-injection currents occur. The st...
Збережено в:
| Дата: | 2006 |
|---|---|
| Автори: | , |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.3.40 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Репозитарії
Technology and design in electronic equipmentБудьте першим, хто залишить коментар!