Исследование примесного фотоэффекта в двухбарьерных p–n–m-структурах

The spectral photosensitivity and current transport mechanisms in two-barrier p(Al0,08Ga0,82)In0,1As-nGaAs:О-Au structures at room temperature have been investigated. It is shown that, depending on the operating mode, both tunnel-injection and generation-injection currents occur. The st...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автори: Yodgorova, D. М., Ashrapov, F. M.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.3.40
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment