Сенсоры на основе CdZnTe для измерений рентгеновского излучения

• Дата: 2006
• Автори: Rybka, A. V., Zakharchenko, A. А., Davydov, L. N., Shlyakhov, I. N., Blinkin, A. A., Kutnyi, K. V.
• Формат: Стаття
• Мова: Українська
• Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
• Теми: рентгеновское излучение; полупроводниковые сенсоры; CdTe; CdZnTe; дозиметрия; спектрометрия; детекторы
• Онлайн доступ: https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.23
• Назва журналу: Technology and design in electronic equipment

Sensors based on the wide-bandgap semiconductor compound CdZnTe have been investigated. The advantages of such sensors are demonstrated: a wide range of photon flux and energy measurement, high detection efficiency, and satisfactory energy resolution without the need for deep cooling. Devices based...