Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
The influence of complex doping with rare-earth elements (Yb, Gd) and aluminum on the electrophysical properties of InGaAsP layers grown by liquid-phase epitaxy has been studied. Using a technological approach based on complex doping, InP/InGaAsP epitaxial structures for photodetectors were obtained...
Saved in:
| Date: | 2026 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2026
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.27 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862043267269394432 |
|---|---|
| author | Krukovsky, S. I. |
| author_facet | Krukovsky, S. I. |
| author_sort | Krukovsky, S. I. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-09T22:09:23Z |
| description | The influence of complex doping with rare-earth elements (Yb, Gd) and aluminum on the electrophysical properties of InGaAsP layers grown by liquid-phase epitaxy has been studied. Using a technological approach based on complex doping, InP/InGaAsP epitaxial structures for photodetectors were obtained. On the basis of these structures, mesa photodiodes were fabricated with an active area of 0.3·10–2 cm² and dark currents not exceeding 10–9 A at 300 K. |
| first_indexed | 2026-04-10T01:00:39Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-967 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-10T01:00:39Z |
| publishDate | 2026 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9672026-04-09T22:09:23Z Complex-doped InP/InGaAsP epitaxial structures for optoelectronics Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники Krukovsky, S. I. complex doping epitaxial structures rare-earth elements optoelectronics комплексное легирование эпитаксиальные структуры редкоземельные элементы оптоэлектроника The influence of complex doping with rare-earth elements (Yb, Gd) and aluminum on the electrophysical properties of InGaAsP layers grown by liquid-phase epitaxy has been studied. Using a technological approach based on complex doping, InP/InGaAsP epitaxial structures for photodetectors were obtained. On the basis of these structures, mesa photodiodes were fabricated with an active area of 0.3·10–2 cm² and dark currents not exceeding 10–9 A at 300 K. Изучено влияние комплексного легирования редкоземельными элементами (Yb, Gd) и алюминием на электрофизические свойства слоев InGaAsP, полученных жидкофазной эпитаксией. С применением технологического подхода, который базируется на использовании комплексного легирования, получены эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для фотоприемников. На основе этих структур изготовлены мезаструктуры фотодиодов с активной площадью 0,3·10–2 см2 и темновыми токами не более 10–9 А при 300 К. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2026-04-10 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.27 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 27-31 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 27-31 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.27/879 Copyright (c) 2006 Krukovsky S. I. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | комплексное легирование эпитаксиальные структуры редкоземельные элементы оптоэлектроника Krukovsky, S. I. Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники |
| title | Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники |
| title_alt | Complex-doped InP/InGaAsP epitaxial structures for optoelectronics |
| title_full | Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники |
| title_fullStr | Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники |
| title_full_unstemmed | Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники |
| title_short | Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники |
| title_sort | комплексно-легированные эпитаксиальные структуры inp/ingaasp для оптоэлектроники |
| topic | комплексное легирование эпитаксиальные структуры редкоземельные элементы оптоэлектроника |
| topic_facet | complex doping epitaxial structures rare-earth elements optoelectronics комплексное легирование эпитаксиальные структуры редкоземельные элементы оптоэлектроника |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.27 |
| work_keys_str_mv | AT krukovskysi complexdopedinpingaaspepitaxialstructuresforoptoelectronics AT krukovskysi kompleksnolegirovannyeépitaksialʹnyestrukturyinpingaaspdlâoptoélektroniki |