Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники
The influence of complex doping with rare-earth elements (Yb, Gd) and aluminum on the electrophysical properties of InGaAsP layers grown by liquid-phase epitaxy has been studied. Using a technological approach based on complex doping, InP/InGaAsP epitaxial structures for photodetectors were obtained...
Збережено в:
| Дата: | 2026 |
|---|---|
| Автор: | |
| Формат: | Стаття |
| Мова: | Українська |
| Опубліковано: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2026
|
| Теми: | |
| Онлайн доступ: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.27 |
| Теги: |
Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |