Buchumschlag

Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники

The influence of complex doping with rare-earth elements (Yb, Gd) and aluminum on the electrophysical properties of InGaAsP layers grown by liquid-phase epitaxy has been studied. Using a technological approach based on complex doping, InP/InGaAsP epitaxial structures for photodetectors were obtained...

Ausführliche Beschreibung

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2026
1. Verfasser:	Krukovsky, S. I.
Format:	Artikel
Sprache:	Ukrainisch
Veröffentlicht:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2026
Schlagworte:	комплексное легирование эпитаксиальные структуры редкоземельные элементы оптоэлектроника
Online Zugang:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.27
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Ähnliche Einträge

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
von: Krukovsky, S. I., et al.
Veröffentlicht: (2007)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
von: Круковський, C.I., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
von: S. I. Krukovskij
Veröffentlicht: (2006)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
von: Вакив, Н.М., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
von: Круковський, С.І., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
von: S. I. Krukovskyi, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
von: Колежук, К.В., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм.
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
von: Терлецкая, Л.Л., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Область повышенных шумов преобразования в фоторезисторах
von: Головко, А.Г.
Veröffentlicht: (2003)

Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
von: Корнейчук, В.И., et al.
Veröffentlicht: (2003)

Радиационный анизотропный оптикотермоэлемент с боковым термостатированием
von: Ащеулов, А.А., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
von: Vakiv, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
von: Vakiv, N. M., et al.
Veröffentlicht: (2014)

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
von: Ya. O. Sychikova
Veröffentlicht: (2011)

Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
von: Сичікова, Я.О.
Veröffentlicht: (2011)

Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
von: Викулин, И.М., et al.
Veröffentlicht: (2004)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Formation of the regular porous structure of p-InP
von: Ja. A. Sychikova, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)

Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si
von: Горох, Г.Г., et al.
Veröffentlicht: (2011)

Формирование регулярной пористой структуры р-InP
von: Сычикова, Я.А., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
von: Garkavenko, A. S.
Veröffentlicht: (2012)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
von: Rotner, S. M., et al.
Veröffentlicht: (2006)

Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
von: V. F. Mitin, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Свойства коммутационных ячеек, используемых в системах автоматизированного контроля
von: Medvedik, A. D.
Veröffentlicht: (2009)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: Milenin, V.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
von: V. V. Milenin, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
von: Mitin, Vadim, et al.
Veröffentlicht: (2020)

КИХ-фильтры с независимым управлением фазочастотной характеристикой
von: Ivanov, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Золь-гель-SiO₂-матрицы, легированные люминесцентными материалами
von: Ганина, И.И., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Novitskyi, S. V.
Veröffentlicht: (2012)

Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
von: Колбасов, Г.Я., et al.
Veröffentlicht: (2000)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
von: Новицкий, С.В.
Veröffentlicht: (2012)