Cover Image

Комплексно-легированные эпитаксиальные структуры InP/InGaAsP для оптоэлектроники

The influence of complex doping with rare-earth elements (Yb, Gd) and aluminum on the electrophysical properties of InGaAsP layers grown by liquid-phase epitaxy has been studied. Using a technological approach based on complex doping, InP/InGaAsP epitaxial structures for photodetectors were obtained...

Full description

Saved in:

Bibliographic Details
Date:	2026
Main Author:	Krukovsky, S. I.
Format:	Article
Language:	Ukrainian
Published:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2026
Subjects:	комплексное легирование эпитаксиальные структуры редкоземельные элементы оптоэлектроника
Online Access:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.27
Tags:	Add Tag No Tags, Be the first to tag this record!
Journal Title:	Technology and design in electronic equipment

Institution

Technology and design in electronic equipment

Similar Items

Свойства двойных гетеропереходов p+-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2012)

Свойства эпитаксиальных слоев GaAs, легированных редкоземельными элементами
by: Krukovsky, S. I., et al.
Published: (2007)

Фотоелектричні властивості подвійних гетеропереходів p+-InP/n-InGaAsP/n-InP
by: Круковський, C.I., et al.
Published: (2012)

Complex-dopping epitaxial structures InP/InGaAsP for optoelectronic
by: S. I. Krukovskij
Published: (2006)

Properties of p+-InP/n-InGaAsP/n-InP double heterojunctions grown at different technological regimes
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2011)

Свойства двойных гетеропереходов p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, изготовленных методом жидкофазной эпитаксии
by: Вакив, Н.М., et al.
Published: (2012)

Властивості подвійних гетеропереходів p⁺-InP/n-InGaAsP/n-InP, отриманих за різних технологічних режимів
by: Круковський, С.І., et al.
Published: (2011)

Photoelectrical properties of p+-inp/n-ingaasp/n-inp double heterojunctions
by: S. I. Krukovskyi, et al.
Published: (2012)

Многослойные гетероструктуры на основе поликристаллических пленок соединений А²В⁶
by: Колежук, К.В., et al.
Published: (2003)

Ультрафиолетовый радиометр диапазона 300...400 нм.
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2004)

Структуры на основе гетероперехода "кремний—арсенид галлия" для интегральных оптронов
by: Терлецкая, Л.Л., et al.
Published: (2003)

Усиление тока в инжекционных фотодиодах с полевым электродом
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2003)

Область повышенных шумов преобразования в фоторезисторах
by: Головко, А.Г.
Published: (2003)

Исследование микроэлектронных фотоприемных устройств с искусственным резистором
by: Корнейчук, В.И., et al.
Published: (2003)

Радиационный анизотропный оптикотермоэлемент с боковым термостатированием
by: Ащеулов, А.А., et al.
Published: (2004)

Получение активных слоев InP в составе гетероструктур для диодов Ганна
by: Vakiv, M. M., et al.
Published: (2010)

Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
by: Makhniy, V. P., et al.
Published: (2016)

Получение двухсторонних высоковольтных эпитаксиальных кремниевых p–i–n-структур методом ЖФЭ
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2013)

Формирование резких границ раздела в эпитаксиальных структурах p+-AlGaAs/n-GaAs методом МОС-гидридной эпитаксии
by: Vakiv, N. M., et al.
Published: (2014)

Obtaining over-inP/mono-InP overgrowth by electrochemical etching
by: Ya. O. Sychikova
Published: (2011)

Отримання надграток рor-InP/mono-InP шляхом електрохімічного травління
by: Сичікова, Я.О.
Published: (2011)

Оптимизация геометрических характеристик p-n-структур для оптоэлектроники
by: Викулин, И.М., et al.
Published: (2004)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
by: Milenin, V.V., et al.
Published: (2010)

Effect of pulsing magnetic field on radiative recombination spectra of GaP and InP single crystals
by: V. V. Milenin, et al.
Published: (2010)

Formation of the regular porous structure of p-InP
by: Ja. A. Sychikova, et al.
Published: (2010)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
by: Mostovyi, A. I., et al.
Published: (2013)

Эпитаксиальные наноструктуры InGaN, выращенные в порах анодного оксида алюминия на Si
by: Горох, Г.Г., et al.
Published: (2011)

Формирование регулярной пористой структуры р-InP
by: Сычикова, Я.А., et al.
Published: (2010)

Природа переходов и механизмы генерации в лазерах на основе радиационно легированных кристаллов CdS
by: Garkavenko, A. S.
Published: (2012)

Мощные резисторы нового поколения на основе углеродных (алмазоподобных) пленок
by: Rotner, S. M., et al.
Published: (2006)

Cryogenic resistance thermometers based on Ge–InP films
by: V. F. Mitin, et al.
Published: (2020)

Свойства коммутационных ячеек, используемых в системах автоматизированного контроля
by: Medvedik, A. D.
Published: (2009)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
by: Milenin, V.V., et al.
Published: (2010)

Defect reorganization induced by pulsed magnetic field in porous InP
by: V. V. Milenin, et al.
Published: (2010)

Кріогенні термометри опору на основі плівок Ge–InP
by: Mitin, Vadim, et al.
Published: (2020)

КИХ-фильтры с независимым управлением фазочастотной характеристикой
by: Ivanov, V. V., et al.
Published: (2012)

Золь-гель-SiO₂-матрицы, легированные люминесцентными материалами
by: Ганина, И.И., et al.
Published: (2009)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Novitskyi, S. V.
Published: (2012)

Фотоэлектрохимические процессы, импеданс и шумы на полупроводниковом InP-электроде
by: Колбасов, Г.Я., et al.
Published: (2000)

Исследование температурной зависимости контактного сопротивления омических контактов к InP
by: Новицкий, С.В.
Published: (2012)