Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала
The results of a study of the photoelectric characteristics of a microphoto terminal consisting of a photodiode–diode structure with oppositely connected photo- and dark diodes are presented. It is shown that in the photogalvanic mode its parameters undergo insignificant changes, while in the photor...
Saved in:
| Date: | 2006 |
|---|---|
| Main Authors: | , , , , |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.32 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862133849761251328 |
|---|---|
| author | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Buzrukov, U. M. Mirdjalilova, M. A. Boltaeva, Sh. Sh. |
| author_facet | Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Buzrukov, U. M. Mirdjalilova, M. A. Boltaeva, Sh. Sh. |
| author_sort | Karimov, A. V. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-10T08:55:54Z |
| description | The results of a study of the photoelectric characteristics of a microphoto terminal consisting of a photodiode–diode structure with oppositely connected photo- and dark diodes are presented. It is shown that in the photogalvanic mode its parameters undergo insignificant changes, while in the photoreceptive mode it exhibits high photosensitivity. The proposed design of the elements is of interest for switching several photoelectric structures with minimal losses. |
| first_indexed | 2026-04-11T01:00:25Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-968 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-11T01:00:25Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9682026-04-10T08:55:54Z Study of photoelectric characteristics of a microphoto terminal Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Buzrukov, U. M. Mirdjalilova, M. A. Boltaeva, Sh. Sh. photodiode–diode structure photosensitivity photogalvanic photoreceptive mode фотодиодно-диодная структура фоточувствительность фотогальванический фотоприемный режим The results of a study of the photoelectric characteristics of a microphoto terminal consisting of a photodiode–diode structure with oppositely connected photo- and dark diodes are presented. It is shown that in the photogalvanic mode its parameters undergo insignificant changes, while in the photoreceptive mode it exhibits high photosensitivity. The proposed design of the elements is of interest for switching several photoelectric structures with minimal losses. Приведены результаты исследования фотоэлектрических характеристик микрофототерминала, состоящего из фотодиодно-диодной структуры с встречновключенными фото- и темновым диодами. Показано, что в фотогальваническом режиме его параметры подвержены незначительным изменениям, а в фотоприемном обладают высокой фоточувствительностью. Предлагаемая конструкция элементов представляет интерес для коммутации нескольких фотоэлектрических структур с малыми потерями. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-04-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.32 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 32-35 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 32-35 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.32/880 Copyright (c) 2006 Karimov A. V., Yodgorova D. M., Buzrukov U. M., Mirdjalilova M. A., Boltaeva Sh. Sh. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | фотодиодно-диодная структура фоточувствительность фотогальванический фотоприемный режим Karimov, A. V. Yodgorova, D. M. Buzrukov, U. M. Mirdjalilova, M. A. Boltaeva, Sh. Sh. Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала |
| title | Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала |
| title_alt | Study of photoelectric characteristics of a microphoto terminal |
| title_full | Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала |
| title_fullStr | Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала |
| title_full_unstemmed | Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала |
| title_short | Исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала |
| title_sort | исследование фотоэлектрических характеристик микрофототерминала |
| topic | фотодиодно-диодная структура фоточувствительность фотогальванический фотоприемный режим |
| topic_facet | photodiode–diode structure photosensitivity photogalvanic photoreceptive mode фотодиодно-диодная структура фоточувствительность фотогальванический фотоприемный режим |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.32 |
| work_keys_str_mv | AT karimovav studyofphotoelectriccharacteristicsofamicrophototerminal AT yodgorovadm studyofphotoelectriccharacteristicsofamicrophototerminal AT buzrukovum studyofphotoelectriccharacteristicsofamicrophototerminal AT mirdjalilovama studyofphotoelectriccharacteristicsofamicrophototerminal AT boltaevashsh studyofphotoelectriccharacteristicsofamicrophototerminal AT karimovav issledovaniefotoélektričeskihharakteristikmikrofototerminala AT yodgorovadm issledovaniefotoélektričeskihharakteristikmikrofototerminala AT buzrukovum issledovaniefotoélektričeskihharakteristikmikrofototerminala AT mirdjalilovama issledovaniefotoélektričeskihharakteristikmikrofototerminala AT boltaevashsh issledovaniefotoélektričeskihharakteristikmikrofototerminala |