Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
Heterojunctions SnS2–xSex–InSe were fabricated using the optical contact method of semiconductors. Their photoresponse spectrum narrows linearly with increasing x. The p–n junction is concentrated in InSe, and under equilibrium conditions it can be realized either as a conventional depletion mode (x...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.41 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862133849814728704 |
|---|---|
| author | Katerinchuk, V. N. Kovalyuk, M. Z. |
| author_facet | Katerinchuk, V. N. Kovalyuk, M. Z. |
| author_sort | Katerinchuk, V. N. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-10T16:03:08Z |
| description | Heterojunctions SnS2–xSex–InSe were fabricated using the optical contact method of semiconductors. Their photoresponse spectrum narrows linearly with increasing x. The p–n junction is concentrated in InSe, and under equilibrium conditions it can be realized either as a conventional depletion mode (x > 0) or as an inversion conductivity mode (x = 0). The dependence of forward current on voltage in the heterojunctions corresponds to that of diodes with ideal characteristics. The obtained heterojunctions can be used as photodetectors. |
| first_indexed | 2026-04-11T01:00:26Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-972 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-11T01:00:26Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9722026-04-10T16:03:08Z Photoelectric parameters of SnS₂–ₓSeₓ–InSe heterojunctions (0 ≤ x ≤ 1) Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1) Katerinchuk, V. N. Kovalyuk, M. Z. SnS₂ SnSe₂ InSe heterojunction photoelectric parameters SnS₂ SnSe₂ InSe гетеропереход фотоэлектрические параметры Heterojunctions SnS2–xSex–InSe were fabricated using the optical contact method of semiconductors. Their photoresponse spectrum narrows linearly with increasing x. The p–n junction is concentrated in InSe, and under equilibrium conditions it can be realized either as a conventional depletion mode (x > 0) or as an inversion conductivity mode (x = 0). The dependence of forward current on voltage in the heterojunctions corresponds to that of diodes with ideal characteristics. The obtained heterojunctions can be used as photodetectors. Методом оптического контакта полупроводников изготовлены гетеропереходы SnS2–xSex–InSe. Спектр их фотоотклика линейно сужается с увеличением х. P-n-переход сосредоточен в InSe, и в равновесных условиях может реализовываться как обычный режим обеднения (x>0), так и режим инверсной проводимости (х=0). Зависимость прямого тока от напряжения гетеропереходов соответствует зависимости диодов с идеальными характеристиками. Полученные гетеропереходы могут использоваться как фотоприемники. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-04-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.41 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 41-42 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 41-42 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.41/883 Copyright (c) 2006 Katerinchuk V. N., Kovalyuk M. Z. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | SnS₂ SnSe₂ InSe гетеропереход фотоэлектрические параметры Katerinchuk, V. N. Kovalyuk, M. Z. Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1) |
| title | Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1) |
| title_alt | Photoelectric parameters of SnS₂–ₓSeₓ–InSe heterojunctions (0 ≤ x ≤ 1) |
| title_full | Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1) |
| title_fullStr | Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1) |
| title_full_unstemmed | Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1) |
| title_short | Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1) |
| title_sort | фотоэлектрические параметры гетеропереходов sns₂–хseₓ–inse (0≤х≤1) |
| topic | SnS₂ SnSe₂ InSe гетеропереход фотоэлектрические параметры |
| topic_facet | SnS₂ SnSe₂ InSe heterojunction photoelectric parameters SnS₂ SnSe₂ InSe гетеропереход фотоэлектрические параметры |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.41 |
| work_keys_str_mv | AT katerinchukvn photoelectricparametersofsns2xsexinseheterojunctions0x1 AT kovalyukmz photoelectricparametersofsns2xsexinseheterojunctions0x1 AT katerinchukvn fotoélektričeskieparametrygeteroperehodovsns2hsexinse0h1 AT kovalyukmz fotoélektričeskieparametrygeteroperehodovsns2hsexinse0h1 |