Зображення обкладинки

Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)

Heterojunctions SnS2–xSex–InSe were fabricated using the optical contact method of semiconductors. Their photoresponse spectrum narrows linearly with increasing x. The p–n junction is concentrated in InSe, and under equilibrium conditions it can be realized either as a conventional depletion mode (x...

Повний опис

Збережено в:

Бібліографічні деталі
Дата:	2006
Автори:	Katerinchuk, V. N., Kovalyuk, M. Z.
Формат:	Стаття
Мова:	Українська
Опубліковано:	PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Теми:	SnS₂ SnSe₂ InSe гетеропереход фотоэлектрические параметры
Онлайн доступ:	https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.41
Теги:	Додати тег Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:	Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси

Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2007)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)

Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2007)

Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2004)

Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
за авторством: Boledzyuk, V. B., та інші
Опубліковано: (2018)

Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2009)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Semenov, A. V., та інші
Опубліковано: (2012)

Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2005)

Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
за авторством: Katerynchuk, V. M., та інші
Опубліковано: (2010)

Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃
за авторством: Balitsky, A. A.
Опубліковано: (2006)

Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2018)

Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
за авторством: Kovaliuk, T. T., та інші
Опубліковано: (2015)

Конверсія етиллактату в лактид на кислотному SnO2/SiO2 каталізаторі
за авторством: Varvarin, A.M., та інші
Опубліковано: (2018)

Напівпровідникові оксиди металів, леговані наночастинками золота, для використання в газових сенсорах ацетону
за авторством: Ovodok, E., та інші
Опубліковано: (2022)

Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
за авторством: Ковалюк, З.Д., та інші
Опубліковано: (2005)

Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
за авторством: V. N. Katerinchuk, та інші
Опубліковано: (2006)

Структурнi характеристики i газочутливi властивостi нанорозмiрних матерiалiв дiоксиду олова, синтезованих iз сульфату олова
за авторством: Ovodok, E., та інші
Опубліковано: (2021)

Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
за авторством: Семенов, А.В., та інші
Опубліковано: (2012)

Вплив покриваючого ліганду на величину щілини та енергетичні рівні екситонів колоїдних розчинів та плівок квантових точок ZnSe
за авторством: Bondar, N. V., та інші
Опубліковано: (2019)

Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
за авторством: Mostovyi, A. I., та інші
Опубліковано: (2013)

Стаціонарна спектроскопія та субнаносекундний резонансний перенос енергії екситонного збудження водних розчинів та плівок нанокристалів ZnSe
за авторством: Bondar, N.V., та інші
Опубліковано: (2022)

Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
за авторством: Kovalyuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2015)

The influence of mechanochemical and microwave modification on the properties of SnO2 as photocatalyst
за авторством: Samsonenko, Mariia M., та інші
Опубліковано: (2023)

Технологічні особливості одержання сплавів та лігатур системи TI–ZR–NB–SN в умовах електронно-променевої ливарної технології
за авторством: Ворон, М. М., та інші
Опубліковано: (2023)

Фотодиоды на основе моноселенидов индия и галлия
за авторством: Kovaliuk, Z. D., та інші
Опубліковано: (2003)

Ультразвуковий та механохімічний синтези нанодисперсної ТіO2/SnO2 системи
за авторством: Sachuk, O.V.
Опубліковано: (2020)

Самоасоційовані атомні групи в розплавах Ga–Sn
за авторством: Bilyk, R., та інші
Опубліковано: (2021)

Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
за авторством: Zagoruiko, Yu. A., та інші
Опубліковано: (2010)

Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
за авторством: Doktorovich, I. V., та інші
Опубліковано: (2015)

Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
за авторством: Kondrik , Оleksandr
Опубліковано: (2024)

Камера тепла и холода для изделий фотоэлектронной техники.
за авторством: Dunaenko, A. Kh., та інші
Опубліковано: (2003)

Порівняльні оптичні та енергетичні характеристики екситонів у водних розчинах та твердих плівках квантових точок
за авторством: Bondar, N.V., та інші
Опубліковано: (2025)

Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
за авторством: Малаховська, Т.О., та інші
Опубліковано: (2009)

Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Bi₂Te₃-хSex 〈Ag〉 (х = 0.04) nanocrystal formation
за авторством: Aleskerov, F.K., та інші
Опубліковано: (2009)

Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
за авторством: Polozov, B. P., та інші
Опубліковано: (2006)

Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
за авторством: Trubaeva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Зміна забороненої зони ZnSxSe1–x об’ємних напівпровідників шляхом регулювання вмісту сірки
за авторством: Trubaieva, O. G., та інші
Опубліковано: (2018)

Dipolе-центр у кристалах селеніду цинку
за авторством: Degoda, V.Ya., та інші
Опубліковано: (2022)