Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
Heterojunctions SnS2–xSex–InSe were fabricated using the optical contact method of semiconductors. Their photoresponse spectrum narrows linearly with increasing x. The p–n junction is concentrated in InSe, and under equilibrium conditions it can be realized either as a conventional depletion mode (x...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | Katerinchuk, V. N., Kovalyuk, M. Z. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.41 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃
von: Balitsky, A. A.
Veröffentlicht: (2006)
von: Balitsky, A. A.
Veröffentlicht: (2006)
Особливості нікелевих наноструктур сформованих на міжшарових поверхнях сколювання (0001) інтеркалатів NiхInSe
von: Galiy, P. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Galiy, P. V., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Дослідження кристалів Cu2ZnSnSe4 та гетеропереходів на їхній основі
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Конверсія етиллактату в лактид на кислотному SnO2/SiO2 каталізаторі
von: Varvarin, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Varvarin, A.M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Photoelectrical parameters of SnS2-khSekh-InSe heterojunctions (0≤kh≤1)
von: V. N. Katerinchuk, et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: V. N. Katerinchuk, et al.
Veröffentlicht: (2006)
Електропровідність поверхні плівок SnO2:Sb, модифікованої Pd і Pt
von: Panov, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Panov, E. V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Конверсія D-фруктози в етиллактат на SnO2-вмісних каталізаторах
von: Prudius, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Prudius, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Семенов, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Электрические свойства анизотипных гетеропереходов n-ТiО2:Mn/p-CdTe
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Mostovyi, A. I., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена
von: Rusetskii, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Rusetskii, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Термостабильные интерференционные оксидные покрытия для активных элементов лазеров ИК-диапазона
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Zagoruiko, Yu. A., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Окиснення суміші ксилоза-метанол в метиллактат та метилгліколат на CeO2 SnO2/Al2O3 каталізаторі
von: Prudius, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Prudius, S. V., et al.
Veröffentlicht: (2024)
The influence of mechanochemical and microwave modification on the properties of SnO2 as photocatalyst
von: Samsonenko, Mariia M., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Samsonenko, Mariia M., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Квантовохімічне моделювання структури та властивостей нанокластерів SnO2
von: Filonenko, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
von: Filonenko, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2021)
Вивчення фізико-хімічних та сорбційних властивостей SnO2, отриманих шляхом механохімічної та мікрохвильової обробок
von: Samsonenko, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Samsonenko, M. M., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Технологічні особливості одержання сплавів та лігатур системи TI–ZR–NB–SN в умовах електронно-променевої ливарної технології
von: Ворон, М. М., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Ворон, М. М., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Проблемы при измерениях интегральной чувствительности фотоприемников и некоторые пути их решения
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Doktorovich, I. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
von: Kondrik , Оleksandr
Veröffentlicht: (2024)
von: Kondrik , Оleksandr
Veröffentlicht: (2024)
Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)
Ультразвуковий та механохімічний синтези нанодисперсної ТіO2/SnO2 системи
von: Sachuk, O.V.
Veröffentlicht: (2020)
von: Sachuk, O.V.
Veröffentlicht: (2020)
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Дослідження роботи органічних сонячних елементів з використанням наночастинок SnO2 для наростання електронного транспортного шару шляхом імпульсного лазерного осадження
von: Al-Hamdany, Faris M.A., et al.
Veröffentlicht: (2024)
von: Al-Hamdany, Faris M.A., et al.
Veröffentlicht: (2024)
Сцинтиляційні матеріали на основі твердих розчинів ZnSxSe1–x
von: Trubaeva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaeva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Термоелектричні властивості монокристалів сполук Tl₄SnS₄(Se₄) і Tl₂SnS₃(Se₃)
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Малаховська, Т.О., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
von: Polozov, B. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Polozov, B. P., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Квантовохімічне моделювання кислотно-основних властивостей поверхні наночастинок SnO2
von: Filonenko, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Filonenko, O. V., et al.
Veröffentlicht: (2023)
Влияние γ-облучения на параметры локализованных состояний в монокристаллах p-InSe и n-InSe<Sn>
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Мустафаева, С.Н., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Сучасні підходи в розробці біосумісних титанових сплавів з підвищеним рівнем експлуатаційних властивостей
von: Ворон, Михайло, et al.
Veröffentlicht: (2023)
von: Ворон, Михайло, et al.
Veröffentlicht: (2023)
Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)
Особливості одержання титанових сплавів системи Ti–Al–Si–Zr–Mo–Nb–Sn в умовах електронно-променевої ливарної технології: Processy litʹâ, 2020, Tom 140, №2, p.8-14
von: Ладохін, С. В., et al.
Veröffentlicht: (2020)
von: Ладохін, С. В., et al.
Veröffentlicht: (2020)
Совещание «Двухканальные фотоэлектрические астрофотометры»
von: Пугач, А.Ф.
Veröffentlicht: (1985)
von: Пугач, А.Ф.
Veröffentlicht: (1985)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Ähnliche Einträge
-
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009) -
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)