Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)

Heterojunctions SnS2–xSex–InSe were fabricated using the optical contact method of semiconductors. Their photoresponse spectrum narrows linearly with increasing x. The p–n junction is concentrated in InSe, and under equilibrium conditions it can be realized either as a conventional depletion mode (x...

Повний опис

Збережено в:
Бібліографічні деталі
Дата:2006
Автори: Katerinchuk, V. N., Kovalyuk, M. Z.
Формат: Стаття
Мова:Українська
Опубліковано: PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006
Теми:
Онлайн доступ:https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.41
Теги: Додати тег
Немає тегів, Будьте першим, хто поставить тег для цього запису!
Назва журналу:Technology and design in electronic equipment

Репозитарії

Technology and design in electronic equipment

Схожі ресурси