Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов
The processes of mounting MOSFET transistor chips onto metallic and ceramic die holders intended for surface mounting have been investigated. The quality of chip attachment was evaluated using optical inspection, non-destructive X-ray television diagnostics, photoacoustic testing, and laser microint...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.45 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862133853048537088 |
|---|---|
| author | Anufriev, D. L. Rubtsevich, I. I. Kerentsev, A. F. |
| author_facet | Anufriev, D. L. Rubtsevich, I. I. Kerentsev, A. F. |
| author_sort | Anufriev, D. L. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-10T16:19:47Z |
| description | The processes of mounting MOSFET transistor chips onto metallic and ceramic die holders intended for surface mounting have been investigated. The quality of chip attachment was evaluated using optical inspection, non-destructive X-ray television diagnostics, photoacoustic testing, and laser microinterferometry. Results on electrical and thermal parameters are presented. It was established that mounting chips on Au–Si eutectic significantly increases the stability of the thermal parameters of high-power transistors under cyclic temperature changes. |
| first_indexed | 2026-04-11T01:00:29Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-974 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-11T01:00:29Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9742026-04-10T16:19:47Z Surface mounting of high-power package-free MOSFET transistors Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов Anufriev, D. L. Rubtsevich, I. I. Kerentsev, A. F. surface mounting package-free MOSFET transistor gold–silicon eutectic die holder vibration soldering поверхностный монтаж бескорпусный MOSFET-транзистор золото-кремниевая эвтектика кристаллодержатель вибрационная пайка The processes of mounting MOSFET transistor chips onto metallic and ceramic die holders intended for surface mounting have been investigated. The quality of chip attachment was evaluated using optical inspection, non-destructive X-ray television diagnostics, photoacoustic testing, and laser microinterferometry. Results on electrical and thermal parameters are presented. It was established that mounting chips on Au–Si eutectic significantly increases the stability of the thermal parameters of high-power transistors under cyclic temperature changes. Исследованы процессы монтажа кристаллов MOSFET-транзисторов на металлические и керамические кристаллодержатели, предназначенные для поверхностного монтажа. Качество присоединения кристаллов оценивалось методами оптического контроля, неразрушающей рентгенотелевизионной диагностики, фотоакустического контроля и лазерной микроинтерферометрии. Представлены результаты по электрическим и тепловым параметрам. Установлено, что монтаж кристаллов на эвтектику Au-Si позволяет значительно повысить устойчивость тепловых параметров мощных транзисторов к циклическому изменению температуры. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-04-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.45 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 45-48 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 45-48 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.45/885 Copyright (c) 2006 Anufriev D. L., Rubtsevich I. I., Kerentsev A. F. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | поверхностный монтаж бескорпусный MOSFET-транзистор золото-кремниевая эвтектика кристаллодержатель вибрационная пайка Anufriev, D. L. Rubtsevich, I. I. Kerentsev, A. F. Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов |
| title | Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов |
| title_alt | Surface mounting of high-power package-free MOSFET transistors |
| title_full | Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов |
| title_fullStr | Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов |
| title_full_unstemmed | Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов |
| title_short | Поверхностный монтаж мощных бескорпусных MOSFET-транзисторов |
| title_sort | поверхностный монтаж мощных бескорпусных mosfet-транзисторов |
| topic | поверхностный монтаж бескорпусный MOSFET-транзистор золото-кремниевая эвтектика кристаллодержатель вибрационная пайка |
| topic_facet | surface mounting package-free MOSFET transistor gold–silicon eutectic die holder vibration soldering поверхностный монтаж бескорпусный MOSFET-транзистор золото-кремниевая эвтектика кристаллодержатель вибрационная пайка |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.45 |
| work_keys_str_mv | AT anufrievdl surfacemountingofhighpowerpackagefreemosfettransistors AT rubtsevichii surfacemountingofhighpowerpackagefreemosfettransistors AT kerentsevaf surfacemountingofhighpowerpackagefreemosfettransistors AT anufrievdl poverhnostnyjmontažmoŝnyhbeskorpusnyhmosfettranzistorov AT rubtsevichii poverhnostnyjmontažmoŝnyhbeskorpusnyhmosfettranzistorov AT kerentsevaf poverhnostnyjmontažmoŝnyhbeskorpusnyhmosfettranzistorov |