Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей
The results of plasma-chemical etching (PCE) of the surface of photovoltaic converter (PVC) wafers, pre-structured by chemical etching, are presented. PCE was carried out in a plasma-chemical reactor using a mixture of sulfur hexafluoride (SF₆) and 10% oxygen. Mass spectrometry demonstrated high eff...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| Hauptverfasser: | , , , , |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.52 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862133852739207168 |
|---|---|
| author | Polozov, B. P. Fedorovich, O. A. Golotyuk, V. N. Marinenko, A. A. Lukomsky, D. V. |
| author_facet | Polozov, B. P. Fedorovich, O. A. Golotyuk, V. N. Marinenko, A. A. Lukomsky, D. V. |
| author_sort | Polozov, B. P. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-10T17:02:39Z |
| description | The results of plasma-chemical etching (PCE) of the surface of photovoltaic converter (PVC) wafers, pre-structured by chemical etching, are presented. PCE was carried out in a plasma-chemical reactor using a mixture of sulfur hexafluoride (SF₆) and 10% oxygen. Mass spectrometry demonstrated high efficiency of working gas utilization in the reactor. Electron microscopy studies revealed varying degrees of surface structure modification depending on etching time. As a result of short-term treatment of the silicon wafer surface, its interaction with light is enhanced — the short-circuit current increases by 5.5%, and the efficiency of the PVC rises from 12% to 13%. |
| first_indexed | 2026-04-11T01:00:28Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-976 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-11T01:00:28Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9762026-04-10T17:02:39Z Influence of plasma-chemical etching on the surface structure of silicon wafers for photovoltaic converters Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей Polozov, B. P. Fedorovich, O. A. Golotyuk, V. N. Marinenko, A. A. Lukomsky, D. V. photovoltaic converters plasma-chemical etching plasma-chemical reactor фотоэлектрические преобразователи плазмохимическое травление плазмохимический реактор The results of plasma-chemical etching (PCE) of the surface of photovoltaic converter (PVC) wafers, pre-structured by chemical etching, are presented. PCE was carried out in a plasma-chemical reactor using a mixture of sulfur hexafluoride (SF₆) and 10% oxygen. Mass spectrometry demonstrated high efficiency of working gas utilization in the reactor. Electron microscopy studies revealed varying degrees of surface structure modification depending on etching time. As a result of short-term treatment of the silicon wafer surface, its interaction with light is enhanced — the short-circuit current increases by 5.5%, and the efficiency of the PVC rises from 12% to 13%. Представлены результаты плазмохимического травления (ПХТ) поверхности пластин фотоэлектрических преобразователей (ФЭП), структурированной химическим травлением. ПХТ проводилось в плазмохимическом реакторе в смеси элегаза (SF6) и 10% кислорода. С помощью масс-спектрометрии показана высокая эффективность использования рабочих газов в ПХР. Проведенные при помощи электронного микроскопа исследования показали различной степени изменения структуры поверхности в зависимости от времени травления. В результате кратковременной обработки поверхности кремниевой пластины повышается эффективность ее взаимодействия со светом - увеличивается ток короткого замыкания на 5,5% и повышается КПД ФЭП с 12% до 13%. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-04-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.52 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 52-55 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 52-55 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.52/887 Copyright (c) 2006 Polozov B. P., Fedorovich O. A., Golotyuk V. N., Marinenko A. A., Lukomsky D. V. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | фотоэлектрические преобразователи плазмохимическое травление плазмохимический реактор Polozov, B. P. Fedorovich, O. A. Golotyuk, V. N. Marinenko, A. A. Lukomsky, D. V. Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей |
| title | Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей |
| title_alt | Influence of plasma-chemical etching on the surface structure of silicon wafers for photovoltaic converters |
| title_full | Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей |
| title_fullStr | Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей |
| title_full_unstemmed | Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей |
| title_short | Влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей |
| title_sort | влияние плазмохимического травления на структуру поверхности кремниевых пластин фотоэлектрических преобразователей |
| topic | фотоэлектрические преобразователи плазмохимическое травление плазмохимический реактор |
| topic_facet | photovoltaic converters plasma-chemical etching plasma-chemical reactor фотоэлектрические преобразователи плазмохимическое травление плазмохимический реактор |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.52 |
| work_keys_str_mv | AT polozovbp influenceofplasmachemicaletchingonthesurfacestructureofsiliconwafersforphotovoltaicconverters AT fedorovichoa influenceofplasmachemicaletchingonthesurfacestructureofsiliconwafersforphotovoltaicconverters AT golotyukvn influenceofplasmachemicaletchingonthesurfacestructureofsiliconwafersforphotovoltaicconverters AT marinenkoaa influenceofplasmachemicaletchingonthesurfacestructureofsiliconwafersforphotovoltaicconverters AT lukomskydv influenceofplasmachemicaletchingonthesurfacestructureofsiliconwafersforphotovoltaicconverters AT polozovbp vliânieplazmohimičeskogotravleniânastrukturupoverhnostikremnievyhplastinfotoélektričeskihpreobrazovatelej AT fedorovichoa vliânieplazmohimičeskogotravleniânastrukturupoverhnostikremnievyhplastinfotoélektričeskihpreobrazovatelej AT golotyukvn vliânieplazmohimičeskogotravleniânastrukturupoverhnostikremnievyhplastinfotoélektričeskihpreobrazovatelej AT marinenkoaa vliânieplazmohimičeskogotravleniânastrukturupoverhnostikremnievyhplastinfotoélektričeskihpreobrazovatelej AT lukomskydv vliânieplazmohimičeskogotravleniânastrukturupoverhnostikremnievyhplastinfotoélektričeskihpreobrazovatelej |