Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃
The surface morphology of In₄Se₃ crystals has been investigated using scanning electron and tunneling microscopy. The surface shows virtually no relief fluctuations except for a cluster structure on the nanometer scale. After cleavage, a small number of extended defects of micrometer size were also...
Saved in:
| Date: | 2006 |
|---|---|
| Main Author: | |
| Format: | Article |
| Language: | Ukrainian |
| Published: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Subjects: | |
| Online Access: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.63 |
| Tags: |
Add Tag
No Tags, Be the first to tag this record!
|
| Journal Title: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipment| _version_ | 1862133852991913984 |
|---|---|
| author | Balitsky, A. A. |
| author_facet | Balitsky, A. A. |
| author_sort | Balitsky, A. A. |
| baseUrl_str | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/oai |
| collection | OJS |
| datestamp_date | 2026-04-10T17:54:41Z |
| description | The surface morphology of In₄Se₃ crystals has been investigated using scanning electron and tunneling microscopy. The surface shows virtually no relief fluctuations except for a cluster structure on the nanometer scale. After cleavage, a small number of extended defects of micrometer size were also detected on the surface. The surface roughness is practically ideal for the formation of sharp heterojunctions when used as a substrate. |
| first_indexed | 2026-04-11T01:00:29Z |
| format | Article |
| id | oai:tkea.com.ua:article-979 |
| institution | Technology and design in electronic equipment |
| keywords_txt_mv | keywords |
| language | Ukrainian |
| last_indexed | 2026-04-11T01:00:29Z |
| publishDate | 2006 |
| publisher | PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers |
| record_format | ojs |
| spelling | oai:tkea.com.ua:article-9792026-04-10T17:54:41Z Surface morphology characteristics of layered In₄Se₃ crystals Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃ Balitsky, A. A. layered crystals In₄Se₃ cleavage surface roughness sharp heterojunction слоистые кристаллы In₄Se₃ скол поверхность шероховатость резкий гетеропереход The surface morphology of In₄Se₃ crystals has been investigated using scanning electron and tunneling microscopy. The surface shows virtually no relief fluctuations except for a cluster structure on the nanometer scale. After cleavage, a small number of extended defects of micrometer size were also detected on the surface. The surface roughness is practically ideal for the formation of sharp heterojunctions when used as a substrate. Исследована топология поверхности кристалла In4Se3 методами сканирующей электронной и туннельной микроскопии. На поверхности практически отсутствуют флуктуации рельефа за исключением кластерной структуры в нанометровом масштабе. После скалывания на поверхности также обнаружено небольшое количество протяженных дефектов микрометровых размеров. Шероховатость поверхности практически идеальна для формирования резких гетеропереходов в качестве подложки. PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers 2006-04-30 Article Article Peer-reviewed Article application/pdf https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.63 Technology and design in electronic equipment; No. 2 (2006): Tekhnologiya i konstruirovanie v elektronnoi apparature; 63-64 Технологія та конструювання в електронній апаратурі; № 2 (2006): Технология и конструирование в электронной аппаратуре; 63-64 3083-6549 3083-6530 uk https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.63/890 Copyright (c) 2006 Balitsky A. A. http://creativecommons.org/licenses/by/4.0/ |
| spellingShingle | слоистые кристаллы In₄Se₃ скол поверхность шероховатость резкий гетеропереход Balitsky, A. A. Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃ |
| title | Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃ |
| title_alt | Surface morphology characteristics of layered In₄Se₃ crystals |
| title_full | Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃ |
| title_fullStr | Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃ |
| title_full_unstemmed | Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃ |
| title_short | Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃ |
| title_sort | особенности топологии поверхности слоистых кристаллов in₄se₃ |
| topic | слоистые кристаллы In₄Se₃ скол поверхность шероховатость резкий гетеропереход |
| topic_facet | layered crystals In₄Se₃ cleavage surface roughness sharp heterojunction слоистые кристаллы In₄Se₃ скол поверхность шероховатость резкий гетеропереход |
| url | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.63 |
| work_keys_str_mv | AT balitskyaa surfacemorphologycharacteristicsoflayeredin4se3crystals AT balitskyaa osobennostitopologiipoverhnostisloistyhkristallovin4se3 |