Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃
The surface morphology of In₄Se₃ crystals has been investigated using scanning electron and tunneling microscopy. The surface shows virtually no relief fluctuations except for a cluster structure on the nanometer scale. After cleavage, a small number of extended defects of micrometer size were also...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Balitsky, A. A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.63 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности электронной структуры слоистых сверхпроводников RNi₂B₂C, RFe₄Al₈ и FeSe
von: Логоша, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Логоша, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Оптичнi та електричнi властивостi шаруватих кристалiв InSe i GaSe, інтеркальованих етиловим спиртом
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Boledzyuk, V. B., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Berezianskyi, B. M.
Veröffentlicht: (2007)
von: Berezianskyi, B. M.
Veröffentlicht: (2007)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Влияние гамма-облучения на фотоэлектрические параметры InSe-гетероструктур
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Смешанный сценарий реконструкции заряженной поверхности гелия
von: Шикин, В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Шикин, В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Исследование фотоэлектрических свойств симметричной гетероструктуры "окисел–InSe–окисел"
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Нелинейные явления в подвижности двумерной системы электронов на поверхности жидкого гелия
von: Сивоконь, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (1996)
von: Сивоконь, В.Е., et al.
Veröffentlicht: (1996)
Формирование низкочастотных гармоник на поверхности жидкого водорода и гелия в турбулентном режиме
von: Абдурахимов, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Абдурахимов, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера
von: Alekseik, O. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Alekseik, O. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi2Te3 в процессе их хранения
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Fermi surface and effect of high magnetic fields on the metal–semimetal Peierls-like transition of (TSeT)₂Cl
von: Laukhin, V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Laukhin, V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Probing the Fermi surface by positron annihilation and Compton scattering
von: Dugdale, S.B.
Veröffentlicht: (2014)
von: Dugdale, S.B.
Veröffentlicht: (2014)
Электронный топологический переход Лифшица и сложные магнитные структуры в тяжелых редкоземельных металлах
von: Андрианов, А.В.
Veröffentlicht: (2014)
von: Андрианов, А.В.
Veröffentlicht: (2014)
Electronic structure, Fermi surface and dHvA effect in YIn₃, LuIn₃, and YbIn₃
von: Antonov, V.N.
Veröffentlicht: (2014)
von: Antonov, V.N.
Veröffentlicht: (2014)
Natural orbital functional theory and pairing correlation effects in electron momentum density
von: Barbiellini, В.
Veröffentlicht: (2014)
von: Barbiellini, В.
Veröffentlicht: (2014)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Технология изготовления термоэлектрических модулей Пельтье повышенной надежности
von: Dobrovolsky, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2004)
von: Dobrovolsky, Yu. G., et al.
Veröffentlicht: (2004)
3D слоистые структуры в качестве основы ненакаливаемых катодов и активных элементов фотодиодов
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)
Вплив покриваючого ліганду на величину щілини та енергетичні рівні екситонів колоїдних розчинів та плівок квантових точок ZnSe
von: Bondar, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
von: Bondar, N. V., et al.
Veröffentlicht: (2019)
РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ ПРОДОЛЖЕНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ С ЦИЛИНДРИЧЕСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ ПРИ ПОМОЩИ ФУНКЦИИ ГРИНА
von: Коновалов, О.Я., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Коновалов, О.Я., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Динамика слоистых ян-теллеровских кристаллов редкоземельных соединений (Обзор)
von: Кутько, В. І.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кутько, В. І.
Veröffentlicht: (2005)
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
von: Станецкая, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Станецкая, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Стаціонарна спектроскопія та субнаносекундний резонансний перенос енергії екситонного збудження водних розчинів та плівок нанокристалів ZnSe
von: Bondar, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)
von: Bondar, N.V., et al.
Veröffentlicht: (2022)
Получение наноструктурированных пленок AlN и ZnO и их применение в электронной технике
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2005)
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2005)
Ähnliche Einträge
-
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Полупроводниковые гетеропереходы оксид-InSe(GaSe) для фотоэлектрических анализаторов поляризованного излучения
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2004) -
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)