Особенности топологии поверхности слоистых кристаллов In₄Se₃
The surface morphology of In₄Se₃ crystals has been investigated using scanning electron and tunneling microscopy. The surface shows virtually no relief fluctuations except for a cluster structure on the nanometer scale. After cleavage, a small number of extended defects of micrometer size were also...
Gespeichert in:
| Datum: | 2006 |
|---|---|
| 1. Verfasser: | Balitsky, A. A. |
| Format: | Artikel |
| Sprache: | Ukrainisch |
| Veröffentlicht: |
PE "Politekhperiodika", Book and Journal Publishers
2006
|
| Schlagworte: | |
| Online Zugang: | https://www.tkea.com.ua/index.php/journal/article/view/TKEA2006.2.63 |
| Tags: |
Tag hinzufügen
Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
|
| Назва журналу: | Technology and design in electronic equipment |
Institution
Technology and design in electronic equipmentÄhnliche Einträge
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Особенности электронной структуры слоистых сверхпроводников RNi₂B₂C, RFe₄Al₈ и FeSe
von: Логоша, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Логоша, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Ненакаливаемые катоды на основе углеродных наноструктурированных слоистых структур
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Belyanin, A. F., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Технологии изготовления фотонных кристаллов
von: Berezianskyi, B. M.
Veröffentlicht: (2007)
von: Berezianskyi, B. M.
Veröffentlicht: (2007)
Исследование кристаллов Cu2ZnSnTe4 и гетеропереходов на их основе
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovaliuk, T. T., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Двухфункциональный датчик давления-температуры на основе нитевидных кристаллов кремния
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2013)
Смешанный сценарий реконструкции заряженной поверхности гелия
von: Шикин, В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Шикин, В., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Интенсивность теплоотдачи при кипении на поверхности малого размера
von: Alekseik, O. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Alekseik, O. S., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Кудринский, З.Р., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Гетероструктуры, полученные методом отжига монокристаллов InSe в парах серы
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2009)
Формирование низкочастотных гармоник на поверхности жидкого водорода и гелия в турбулентном режиме
von: Абдурахимов, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Абдурахимов, Л.В., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Влияние самоинтеркаляции меди на термоэлектрические свойства легированных кристаллов Bi2Te3 в процессе их хранения
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Aliyeva, A. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Формирование полированной поверхности халькогенидов Bi и Sb в травильных композициях K2Cr2O7–HBr
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Pavlovich, I. I., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Fermi surface and effect of high magnetic fields on the metal–semimetal Peierls-like transition of (TSeT)₂Cl
von: Laukhin, V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Laukhin, V., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Фотоэлектрические свойства гетеропереходов n-SiC/n-Si
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
von: Semenov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2012)
Probing the Fermi surface by positron annihilation and Compton scattering
von: Dugdale, S.B.
Veröffentlicht: (2014)
von: Dugdale, S.B.
Veröffentlicht: (2014)
Электронный топологический переход Лифшица и сложные магнитные структуры в тяжелых редкоземельных металлах
von: Андрианов, А.В.
Veröffentlicht: (2014)
von: Андрианов, А.В.
Veröffentlicht: (2014)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Влияние отжига на ВАХ гетероперехода n-ZnO – p-InSe
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2015)
Поверхностные нанообразования при окислении слоистых кристаллов SnS₂
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
von: Катеринчук, В.Н., et al.
Veröffentlicht: (2007)
Фоточутливі нанокомпозити на основі нанотрубок TiО2, CdSe і оксиду графена
von: Rusetskii, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Rusetskii, I. A., et al.
Veröffentlicht: (2016)
РЕШЕНИЕ ЗАДАЧИ ПРОДОЛЖЕНИЯ МАГНИТНОГО ПОЛЯ С ЦИЛИНДРИЧЕСКОЙ ПОВЕРХНОСТИ ПРИ ПОМОЩИ ФУНКЦИИ ГРИНА
von: Коновалов, О.Я., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Коновалов, О.Я., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Низкоразмерные кристаллы кремния для фотоэлектрических преобразователей
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
von: Druzhinin, A. A., et al.
Veröffentlicht: (2011)
Компьютерная обработка изображений, полученных при помощи сенсора на базе гетероперехода CdS–Cu2S
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)
von: Borschak, V. A.
Veröffentlicht: (2012)
Динамика слоистых ян-теллеровских кристаллов редкоземельных соединений (Обзор)
von: Кутько, В. І.
Veröffentlicht: (2005)
von: Кутько, В. І.
Veröffentlicht: (2005)
Вплив вмісту сірки на сцинтиляційні властивості змішаних кристалів ZnSxSe1-x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Химическое травление поверхности кристаллов ZnSe растворами H₂O₂–HBr–уксусная кислота
von: Станецкая, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
von: Станецкая, А.С., et al.
Veröffentlicht: (2014)
Электрические и топологические свойства пленок оксидов, термически выращенных на подложках InSe
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Katerynchuk, V. M., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Особливості кристалографії поверхонь сколювання (100) шаруватих напівпровідникових кристалів In4Se3
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)
von: Galiy, P. V.
Veröffentlicht: (2014)
Некоторые особенности фотоэлектрических характеристик двухбазовой Ag–N⁰Al₀.₂Ga₀.₈As–n⁺GaAs–n⁰Ga₀.₉In₀.₁As–Au-структуры
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
von: Yodgorova, D. M., et al.
Veröffentlicht: (2008)
Дослідження можливості використання матеріалів на основі CdTeSe для детекторів іонізуючих випромінювань
von: Kondrik , Оleksandr
Veröffentlicht: (2024)
von: Kondrik , Оleksandr
Veröffentlicht: (2024)
Физико-технологические основы получения резкого p–n-перехода
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Karimov, A. V., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Взаимодействие атомарного водорода с поверхностью монокристаллов кремния
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)
von: Zhavzharov, E. L., et al.
Veröffentlicht: (2006)
Resonant tunneling of electrons in quantum wires
von: Krive, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
von: Krive, I.V., et al.
Veröffentlicht: (2010)
Дослідження ширини забороненої зони в змішаних кристалах ZnSxSe1–x
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
von: Trubaieva, O. G., et al.
Veröffentlicht: (2018)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Makhniy, V. P., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Высокотемпературная люминесценция кристаллов ZnSe:Yb
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
von: Махний, В.П., et al.
Veröffentlicht: (2016)
Ähnliche Einträge
-
Гетеропереходы, сформированные отжигом слоистых кристаллов GaSe и InSe в парах цинка
von: Kudrynskyi, Z. R., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Гетеропереход на основе кристалла FeIn₂Se₄, полученного методом Бриджмена
von: Kovalyuk, Z. D., et al.
Veröffentlicht: (2007) -
Фотоэлектрические параметры гетеропереходов SnS₂–хSeₓ–InSe (0≤х≤1)
von: Katerinchuk, V. N., et al.
Veröffentlicht: (2006) -
Характеристики фотодиодов со структурой «собственный оксид – InSe», облученных высокоэнергетическими электронами
von: Sydor, O. N., et al.
Veröffentlicht: (2012) -
Особенности электронной структуры слоистых сверхпроводников RNi₂B₂C, RFe₄Al₈ и FeSe
von: Логоша, А.В., et al.
Veröffentlicht: (2014)