Buchumschlag

The features of temperature dependence of contact resistivity of Au Ti Pd2Si p+-Si ohmic contacts

Gespeichert in:

Bibliographische Detailangaben
Datum:	2010
Hauptverfasser:	A. E. Belyaev, N. S. Boltovets, L. M. Kapitanchuk, R. V. Konakova, V. P. Kladko, Ya. Ya. Kudryk, A. V. Kuchuk, O. S. Lytvyn, V. V. Milenin, T. V. Korostinskaya, A. B. Ataubaeva, P. V. Nevolin
Format:	Artikel
Sprache:	Englisch
Veröffentlicht:	2010
Schriftenreihe:	Semiconductor Physics, Quantum Electronics and Optoelectronics
Online Zugang:	http://jnas.nbuv.gov.ua/article/UJRN-0000349117
Tags:	Tag hinzufügen Keine Tags, Fügen Sie den ersten Tag hinzu!
Назва журналу:	Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine \| LibNAS

Institution

Library portal of National Academy of Sciences of Ukraine | LibNAS

Ähnliche Einträge

Temperature dependence of contact resistance of Au−Ti−Pd2Si−n⁺ -Si ohmic contacts
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Temperature dependence of contact resistance of Au Ti Pd2Si n+-Si ohmic contacts
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Mechanism of current flow and temperature dependence of contact resistivity in Au-Pd-Ti-Pd-n+-GaN ohmic contacts
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Investigation of contact resistivity for Au—Ti—Pd—n-Si ohmic contacts for impatt diodes
von: V. V. Basanets, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Role of dislocations in formation of ohmic contacts to heavily doped n-Si
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Theoretical and experimental modelling the specific resistance of vertical ohmic contacts Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si in IMPATT diodes
von: P. M. Romanets, et al.
Veröffentlicht: (2016)

Ohmic contacts based on Pd to indium phosphide Gunn diodes
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Peculiarities of study of Au–Ti–Pd–n+-n-n+-Si multilayer contact structure to avalanche transit-time diodes
von: P. M. Romanets, et al.
Veröffentlicht: (2019)

On a feature of temperature dependence of contact resistivity for ohmic contacts to n-Si with an n+-n doping step
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
von: Boltovets, M.S., et al.
Veröffentlicht: (2010)

Formation of ohmic contacts to n(p)-gan and measurement of their contact resistivity
von: M. S. Boltovets, et al.
Veröffentlicht: (2010)

Method for data processing in application to ohmic contacts
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Heat-resistant barrier and ohmic contacts based on TiBx and ZrBx interstitial phases to microwave diode structures
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2008)

Mechanisms of contact resistance formation in ohmic contacts with high dislocation density (review)
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Methods for creation and properties of ohmic contacts to indium phosphide (rewiev)
von: Ya. Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)

Physical mechanisms providing formation of ohmic contacts metal-semiconductor (Review)
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2018)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n+-n-n++-n+++-InP
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2015)

Effect of microwave radiation on I V curves and contact resistivity of ohmic contacts to n-GaN and n-AlN
von: A. E. Belyaev, et al.
Veröffentlicht: (2013)

Influence of parameters inherent to ohmic contacts on properties of microwave avalanche transit-time diodes
von: Ya. Ya. Kudryk, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Structural and electrical-physical properties of the ohmic contacts based on palladium to n⁺ -n-n⁺⁺ -n⁺⁺⁺ -InP
von: Belyaev, A.E., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Schottky-barrier Au–TiBx–n-GaN contacts
von: Ya. Kudryk
Veröffentlicht: (2015)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
von: P. O. Sai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Features of the formation of ohmic contacts to n+-InN
von: P. O. Sai, et al.
Veröffentlicht: (2019)

Metrological aspects of studying the specific contact resistivity of ohmic contacts by using the four-contact method
von: V. N. Sheremet
Veröffentlicht: (2014)

Influence of gettering on aluminum ohmic contact formation
von: V. N. Litvinenko, et al.
Veröffentlicht: (2020)

Исследование удельного сопротивления омических контактов Au–Ti–Pd–n-Si для лавинно-пролетных диодов
von: Basanets, V. V., et al.
Veröffentlicht: (2015)

Ohmic contacts to InN-based materials
von: Sai, P.O.
Veröffentlicht: (2016)

Ohmic contacts to InN-based materials
von: P. O. Sai
Veröffentlicht: (2016)

Heterostructure ohmic contacts to p-CdTe polycrystalline films
von: A. V. Sukach, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Resistance formation mechanisms for contacts and to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: A. V. Sachenko, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Детекторы оптического сигнала на основе структур Au-nSi-Al, Au-nSi
von: Ёдгорова, Д.М., et al.
Veröffentlicht: (2005)

Effect of microwave treatment on current flow mechanism ohmic contacts to GaN
von: V. N. Sheremet
Veröffentlicht: (2013)

Investigation of resistance formation mechanisms for contacts to n-AlN and n-GaN with a high dislocation density
von: Sachenko, A.V., et al.
Veröffentlicht: (2012)

Photocatalysis and optical properties of ZnO nanostructures grown by MOCVD on Si, Au/Si and Ag/Si wafers
von: V. A. Karpyna, et al.
Veröffentlicht: (2023)

Modification of properties of the glass-Si₃N₄-Si-SiO₂ structure at laser treatment
von: Konakova, R.V., et al.
Veröffentlicht: (2009)

Determination of the Schottky barrier height in diodes based on Au-TiB2-n-SiC 6H from the current-voltage and capacitance-voltage characteristics
von: Ya. Ya. Kudryk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

The catalytic activity of Pd- and Pd-Au-phases on active carbons supported catalysts in reaction of carbon monooxide oxidation
von: V. A. Zazhigalov, et al.
Veröffentlicht: (2011)

Interface features of SiO2/SiC heterostructures according to methods for producing the SiO2 thin films
von: Yu. Yu. Bacherikov, et al.
Veröffentlicht: (2012)

Efficient core-SiO2/shell-Au nanostructures for surface enhanced Raman scattering
von: V. O. Yukhymchuk, et al.
Veröffentlicht: (2014)

Radiation-stimulated processes in silicon structures with contacts based on TiN
von: M. U. Nasyrov, et al.
Veröffentlicht: (2015)